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[導(dǎo)讀]半橋器件采用Trench IGBT技術(shù),可選低VCE(ON)或低Eoff,適用于大電流逆變級(jí)。

2024年2月29日,美國(guó)賓夕法尼亞MALVERN、中國(guó)上海——日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊——VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造,為設(shè)計(jì)人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)選件—低VCE(ON)或低Eoff—降低運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用大電流逆變級(jí)導(dǎo)通或開關(guān)損耗。

Vishay推出采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊,降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗

日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)能效果優(yōu)于市場(chǎng)上其他器件的Trench IGBT,與具有超軟反向恢復(fù)特性的第四代FRED Pt®反并聯(lián)二極管封裝在一起。模塊小型INT-A-PAK封裝采用新型柵極引腳布局,與34mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝100%兼容,可采用機(jī)械插接方式更換。

這款工業(yè)級(jí)器件可用于各種應(yīng)用的電源逆變器,包括鐵路設(shè)備;發(fā)電、配電和儲(chǔ)電系統(tǒng);焊接設(shè)備;電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人。為降低TIG焊機(jī)輸出級(jí)導(dǎo)通損耗,VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125C,額定電流下,集電極至發(fā)射極電壓僅為≤1.07V,達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應(yīng)用,開關(guān)損耗極低,+125C,額定電流下,Eoff僅為1.0mJ。

模塊符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),集電極至發(fā)射極電壓為650V,集電極連續(xù)電流為100A至200A,結(jié)到外殼的熱阻極低。器件通過(guò)UL E78996認(rèn)證,可直接安裝散熱片,EMI小,減少了對(duì)吸收電路的要求。

器件規(guī)格表:

Vishay推出采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊,降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗

新型IGBT功率模塊現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為15周。

關(guān)于VISHAY

Vishay是全球最大的分立半導(dǎo)體和無(wú)源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一,這些產(chǎn)品對(duì)于汽車、工業(yè)、計(jì)算、消費(fèi)、通信、國(guó)防、航空航天和醫(yī)療市場(chǎng)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶,Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000強(qiáng)企業(yè)”。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站:www.vishay.com。

The DNA of tech®是Vishay Intertechnology的注冊(cè)商標(biāo)。FRED Pt是Vishay Intertechnology的注冊(cè)商標(biāo)。

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