5月21日消息，隨著人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心GPU需求激增，特別是英偉達H100等AI芯片需求量的大幅上升，導(dǎo)致臺積電面臨CoWoS先進封裝技術(shù)的產(chǎn)能危機。

據(jù)Trendforce報道，大型云端服務(wù)供應(yīng)商如微軟、谷歌、亞馬遜和Meta正在不斷擴大其人工智能基礎(chǔ)設(shè)施，預(yù)計今年的總資本支出將達到1700億美元。

這一增長直接推動了AI芯片需求的激增，進而導(dǎo)致硅中介層面積的增加，單個12英寸晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量正在減少。

臺積電為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，計劃在2024年全面提升封裝產(chǎn)能，預(yù)計年底每月產(chǎn)能將達到4萬片，相比2023年提升至少150%。

同時，臺積電已經(jīng)在規(guī)劃2025年的CoWoS產(chǎn)能計劃，預(yù)計產(chǎn)能可能還要實現(xiàn)倍增，其中英偉達的需求占據(jù)了一半以上。

然而，CoWoS封裝技術(shù)中的一個關(guān)鍵瓶頸是HBM芯片，HBM3/3E的堆疊層數(shù)將從HBM2/2E的4到8層升至8到12層，未來HBM4更是進一步升至16層，這無疑增加了封裝的復(fù)雜性和難度。

盡管其他代工廠也在尋求解決方案，例如英特爾提出使用矩形玻璃基板來取代傳統(tǒng)的12英寸晶圓中介層，但這些方案需要大量的準備工作，并且要等待行業(yè)參與者的合作。