英特爾搶先導(dǎo)入ASML的高數(shù)值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設(shè)備，為外界視為是英特爾重返技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位的關(guān)鍵作為。產(chǎn)業(yè)專家表示，High-NA EUV成本居高不下，英特爾搶用High-NA EUV恐面臨虧損擴大窘境。

臺積電年度技術(shù)論壇陸續(xù)于美國及歐洲舉行，臺積電預(yù)計2026年量產(chǎn)A16技術(shù)，將結(jié)合納米片晶體管及超級電軌架構(gòu)，為業(yè)界關(guān)注焦點。

當英特爾搶訂High-NA EUV設(shè)備，消息人士稱，ASML今年預(yù)計制造5臺High-NA EUV設(shè)備，已全數(shù)由英特爾包下。臺積電決定A16制程將持續(xù)采用既有EUV設(shè)備，不打算使用High-NA EUV設(shè)備，受到各界矚目，并引發(fā)熱烈討論。

英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）認為先前反對使用ASML的EUV設(shè)備是錯誤決策，拖累晶圓代工事業(yè)欠缺獲利能力。他指出，在采用EUV設(shè)備后，英特爾在價格、性能方面都很有競爭力。外界關(guān)注英特爾搶先導(dǎo)入High-NA EUV設(shè)備，能否有助其重返技術(shù)領(lǐng)先地位。

專家表示，臺積電會決定A16制程不采用High-NA EUV設(shè)備，應(yīng)是經(jīng)過綜合評估的決策。

專家表示，臺積電應(yīng)明確知道High-NA EUV設(shè)備帶來的好處，不過，在成本居高不下的情況下，通過其他方式，以滿足客戶的綜合需求。

據(jù)ASML指出，High-NA EUV設(shè)備將數(shù)值孔徑從0.33增至0.55，更具高分辨率圖像化能力，能夠提高精準度，成像更清晰，有助簡化制造流程，減少生產(chǎn)時間，提升生產(chǎn)效率。

臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理暨副共同首席運營官張曉強日前于歐洲技術(shù)論壇說，他喜歡High-NA EUV設(shè)備的性能，但不喜歡它的價格，成本非常高。

ASML每套EUV設(shè)備價格約1.8億美元，High-NA EUV設(shè)備報價高達3.8億美元，較EUV高出1倍以上，約122億元新臺幣。

專家表示，半導(dǎo)體先進封裝重要性日益提高，將扮演關(guān)鍵配套角色，英特爾爭搶High-NA EUV設(shè)備，是“選錯戰(zhàn)場、武器”，因為High-NA EUV設(shè)備不是未來左右輸贏的唯一關(guān)鍵。

專家說，臺積電為全球晶圓代工龍頭，客戶多、生態(tài)系完整，且資金充裕，客戶若有需求且愿意支付更高價格，臺積電勢必會采用High-NA EUV設(shè)備。

專家表示，臺積電采用High-NA EUV設(shè)備持審慎態(tài)度，應(yīng)已綜合考量必要性，英特爾若大舉采購High-NA EUV設(shè)備，未來產(chǎn)能利用率值得觀察，預(yù)期不排除可能面臨虧損擴大的窘境。

（科技新報）