全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(電動汽車)用牽引逆變器，開發(fā)出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack?”，共4款產(chǎn)品(750V 2個型號：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2個型號：BSTxxxD12P4A1x1)。TRCDRIVE pack?的功率密度高，并采用ROHM自有的引腳排列方式，有助于解決牽引逆變器面臨的小型化、效率提升和減少工時等主要課題。

近年來，在致力于實現(xiàn)無碳社會的進程中，汽車的電動化發(fā)展迅速，這促進了更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)的開發(fā)。另一方面，作為關(guān)鍵器件備受關(guān)注的SiC功率器件卻面臨著難以同時減小尺寸并降低損耗的難題。對此，ROHM開發(fā)出TRCDRIVE pack?，可以解決動力系統(tǒng)中的這一課題。

TRCDRIVE pack?是牽引逆變器驅(qū)動用SiC封裝型模塊的專用商標，標有該商標的產(chǎn)品利用ROHM自有的結(jié)構(gòu)，更大程度地擴大了散熱面積，從而實現(xiàn)了緊湊型封裝。另外，新產(chǎn)品還搭載了低導通電阻的第4代SiC MOSFET，實現(xiàn)了是普通SiC封裝型模塊1.5倍的業(yè)界超高功率密度，非常有助于xEV逆變器的小型化。

此外，該模塊在模塊頂部配備了“Press fit pin”方式的控制用信號引腳，因此只需從頂部按壓柵極驅(qū)動器電路板即可完成連接，有助于減少安裝工時。不僅如此，還通過盡可能擴大主電流布線中的電流路徑和采用雙層布線結(jié)構(gòu)，降低了電感值(5.7nH)，從而有助于降低開關(guān)時的損耗。

該產(chǎn)品雖然是模塊產(chǎn)品，但目前已經(jīng)確立了類似于分立產(chǎn)品的量產(chǎn)體系，與以往普通的SiC殼體型模塊相比，產(chǎn)能提高了約30倍。新產(chǎn)品將于2024年6月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價格：75,000日元/個，不含稅)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)和藍碧石半導體宮崎工廠(日本宮崎縣)，后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM總部工廠(日本京都府)。如需樣品或了解相關(guān)事宜，請聯(lián)系ROHM銷售代表或通過ROHM官網(wǎng)的“聯(lián)系我們”垂詢。

<產(chǎn)品陣容>

關(guān)于TRCDRIVE pack?的產(chǎn)品陣容，ROHM計劃在2024年內(nèi)開發(fā)出封裝尺寸(Small / Large)和安裝模式(TIM：heat dissipation sheet / Ag Sinter)不同的共12款產(chǎn)品。此外，目前ROHM正在開發(fā)模塊內(nèi)配有散熱器的六合一產(chǎn)品，這將有助于加快符合規(guī)格要求的牽引逆變器設(shè)計速度和產(chǎn)品陣容擴展。

<應用示例>

?車載牽引逆變器

<支持信息>

ROHM擁有在公司內(nèi)部進行電機測試的設(shè)備，可在應用層面提供強力支持。為了加快TRCDRIVE pack?產(chǎn)品的評估和應用，ROHM還提供各種支持資源，其中包括從仿真到熱設(shè)計的豐富解決方案，助力客戶快速采用TRCDRIVE pack?產(chǎn)品。另外，ROHM還提供雙脈沖測試用和三相全橋用的兩種評估套件，支持在接近實際電路條件的狀態(tài)下進行評估。如需了解更多信息，請聯(lián)系ROHM的銷售代表或通過ROHM官網(wǎng)的“聯(lián)系我們”垂詢。

<關(guān)于“EcoSiC?”品牌>

EcoSiC?是采用了因性能優(yōu)于硅(Si)而在功率元器件領(lǐng)域備受關(guān)注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法，ROHM一直在自主開發(fā)SiC產(chǎn)品升級所必需的技術(shù)。另外，ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產(chǎn)體系，目前已經(jīng)確立了SiC領(lǐng)域先進企業(yè)的地位。

?TRCDRIVE pack?和EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

<術(shù)語解說>

*1) 牽引逆變器

電動汽車的驅(qū)動電機采用的是相位差為120度的三相交流電驅(qū)動。將來自電池的直流電轉(zhuǎn)換為交流電以實現(xiàn)這種三相交流電的逆變器即牽引逆變器。

*2) 二合一

要將直流電轉(zhuǎn)換為三相交流電，每相各需要一個高邊MOSFET和一個低邊MOSFET進行開關(guān)工作。將這兩個MOSFET組合成一個模塊的結(jié)構(gòu)稱為“二合一”。