在這篇文章中，小編將對MOSFET的相關內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。

一、MOSFET為什么需要柵極電阻？

在晶體管的工作原理中，我們知道MOSFET的柵極到源極充當電容器。電容器的工作原理是這樣的：

1.當電容器充電時，電流流過它。一開始很多，后來越來越少。

2.當電容器充滿電時，沒有電流流過它。

當你的MOSFET開啟時，其柵源電容器已充滿電，所以沒有電流流過柵極。

但是當你的MOSFET被打開時，會有一個電流給這個柵源電容充電。因此，在一小段時間內(nèi)，可能會有大量電流流動。

為了確保這個短暫的電流對于你的單片機（或連接的其他東西）來說不會太高，你需要在輸出引腳和MOSFET晶體管的柵極之間串聯(lián)一個電阻器：

通常 1000Ω 是一個足夠好的值。但這取決于你的電路。你可以使用歐姆定律計算從電阻器獲得的最大電流：

I = V / R

例如，在單片機（或Arduino）的輸出引腳上具有 5V 電壓的情況下，1000Ω 為你提供 5mA 的最大電流：

I = 5V / 1000Ω

如果你想快速打開和關閉輸出，當使用的電阻越高，MOSFET 開啟/關閉 的速度就越慢。

二、MOSFET柵極電阻器和開關特性

一般來說，MOSFET 的柵極端子上連接一個電阻器。該柵極電阻器的用途包括抑制尖峰電流并減少輸出振鈴。較大的柵極電阻器會降低MOSFET的開關速度，從而導致功率損耗增大，性能降低以及出現(xiàn)潛在的發(fā)熱問題。相反，較小的柵極電阻器會提高MOSFET的開關速度，易引發(fā)電壓尖峰和振蕩，從而造成器件故障和損壞。因此必須通過調節(jié)柵極電阻器值來優(yōu)化 MOSFET 開關速度。

我們使用模擬法考慮圖 4.5 中所示電路的 MOSFET 開關波形。為了評估實際電路，將在模擬電路中插入線路雜散電感。輸出振鈴的幅度和持續(xù)時間取決于雜散電感。

我們模擬獲取圖4.5中所示電路的關斷波形，將柵極電阻器R3更改為1、10和50。圖4.6顯示了模擬結果。如上所述，減小柵極電阻器值會增大MOSFET的開關速度，而代價是增大了振鈴電壓。相反，增大柵極電阻器值會減小振鈴電壓，同時降低MOSFET的開關速度，從而增大其開關損耗。這是由于柵極電阻器值和柵極電壓限制了MOSFET的柵極充電電流。

以上便是小編此次想要和大家共同分享的有關MOSFET的內(nèi)容，如果你對本文內(nèi)容感到滿意，不妨持續(xù)關注我們網(wǎng)站喲。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day！