在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)x的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果MOS管是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、MOS管應(yīng)用需求

1. 低壓應(yīng)用

當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be只有0.7V左右的壓降，導(dǎo)致實(shí)際最終加載gate上的電壓只有4.3V，這時(shí)候，我們選用標(biāo)稱(chēng)gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)。同樣的問(wèn)題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)合。

2. 寬電壓應(yīng)用

輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì)隨著時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。

為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過(guò)穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。

同時(shí)，如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì)出現(xiàn)輸入電壓比較高的時(shí)候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時(shí)候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。

3. 雙電壓應(yīng)用

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。

這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會(huì)面對(duì)1和2提到的問(wèn)題。

二、MOS管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS 管在逆變電路，開(kāi)光電源電路中經(jīng)常是成對(duì)出現(xiàn)，習(xí)慣上稱(chēng)之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET 為上管， Low-side MOSFET為下管。

如果上管和下管同時(shí)導(dǎo)通，就會(huì)導(dǎo)致電源短路，MOS 管會(huì)損壞，甚至?xí)r電源損壞，這種損壞是災(zāi)難行動(dòng)，必須避免．由于MOS 的開(kāi)通和關(guān)斷都是有時(shí)沿的，為了避免上管和下管同時(shí)導(dǎo)通，造成短路現(xiàn)象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時(shí)關(guān)斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F。

死區(qū)E---tDf上管關(guān)斷，下管還沒(méi)開(kāi)啟，下管體二極管續(xù)流，電流從最大值Io + ΔI/2 開(kāi)始下降，由于死區(qū)時(shí)間很短，工程上計(jì)算可以近似為死區(qū)E的電流恒定，以方便計(jì)算。

死區(qū)Ｅ對(duì)應(yīng)的功耗為：

死區(qū)F---tDf下管關(guān)斷，上管還沒(méi)開(kāi)啟，下管體二極管續(xù)流，電流接近最小值Io - ΔI/2 ，由于死區(qū)時(shí)間很短，工程上計(jì)算可以近似為死區(qū)F的電流恒定，以方便計(jì)算。

死區(qū)Ｆ對(duì)應(yīng)的功耗為：

工程上快速估算時(shí)，也會(huì)用把兩個(gè)死區(qū)的電流平均化，近似用Io替代， 一個(gè)完整的開(kāi)關(guān)周期的死區(qū)損耗如下：

以上便是小編此次帶來(lái)的有關(guān)MOS管的全部?jī)?nèi)容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關(guān)內(nèi)容，或者更多精彩內(nèi)容，請(qǐng)一定關(guān)注我們網(wǎng)站哦。