深圳2024年9月3日 /美通社/ -- 9月3日，由開放數(shù)據(jù)中心委員會 (ODCC) 主辦的"2024開放數(shù)據(jù)中心峰會"在北京國際會議中心隆重召開。三星電子副總裁兼閃存應(yīng)用工程師團隊負責(zé)人，沈昊俊在會上發(fā)表了"跨入未來：人工智能時代的存儲創(chuàng)新"的主題演講。他深入淺出的介紹了推動社會進入生成式AI新時代的三大因素，即計算能力的飛躍，大語言模型（LLM）的精進，以及各種AI服務(wù)的興起，并進一步探討了生成式AI時代"更優(yōu)AI"的技術(shù)趨勢，指出新時代面臨的挑戰(zhàn)不僅僅是存儲器大容量的需求，隨著邁向更精密的AI模型，存儲器的高性能讀寫能力也是當(dāng)下面臨的巨大挑戰(zhàn)。

三星電子副總裁，閃存應(yīng)用工程師團隊負責(zé)人沈昊?。═homas Shim）發(fā)表主題演講

演講中，沈昊俊介紹了為解決這些問題三星半導(dǎo)體提出的存儲解決方案和行業(yè)主流應(yīng)用趨勢。為克服性能和容量的制約，采用并行搭載HBM和DRAM的方式正在逐漸成為行業(yè)趨勢。其中HBM在性能方面扮演重要角色，DRAM則日益突破內(nèi)存容量限制，滿足市場對大容量的需求。

關(guān)于目前行業(yè)主流應(yīng)用的大容量存儲產(chǎn)品，沈昊俊分別介紹了三星半導(dǎo)體目前單芯片容量最大32Gb的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，不久將可供應(yīng)128GB/256GB等大容量封裝規(guī)格；以及擁有目前三星最高隨機寫入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。

關(guān)于性能突破方面，三星的主要代表產(chǎn)品有通過12層單die24Gb容量堆疊技術(shù)實現(xiàn)的36GB容量的HBM3E Shine Bolt，每引腳速度可達三星最快8Gbps，峰值速率高達1TB/s；于此同時三星在存內(nèi)處理技術(shù)上取得顯著進展，LPDDR5X-PIM產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)能效提高70%左右，同時可以將性能提升最多8倍。

最后，三星從總成本優(yōu)化（TCO）層面說明了CXL存儲產(chǎn)品可在任何xPU環(huán)境中擴展容量和性能，以及無需兼容性驗證即可引入和運行的優(yōu)勢，并進一步強調(diào)未來大容量趨勢中，基于QLC NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品BM1743未來可提供的大容量規(guī)格計劃。

三星在2024 ODCC上榮獲產(chǎn)品獎項

三星在本次2024開放數(shù)據(jù)中心峰會上獲得了"優(yōu)秀合作伙伴"的稱號，與此同時，沈昊俊也強調(diào)了在技術(shù)挑戰(zhàn)面前緊密合作的重要性。三星將一如既往地與合作伙伴和客戶攜手合作，共同克服內(nèi)存技術(shù)的挑戰(zhàn)，將不確定性轉(zhuǎn)化為機遇，攜手開創(chuàng)AI時代的未來。