三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項(xiàng)突破性技術(shù)，其中通道孔蝕刻技術(shù)能基于雙堆棧架構(gòu)實(shí)現(xiàn)最高單元層數(shù)
 
推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，為各種AI應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案

深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布，三星首款1太比特（Tb）四層單元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式開始量產(chǎn)。

三星半導(dǎo)體1TB QLC第九代V-NAND

今年四月，三星啟動(dòng)了其首批三層單元（TLC）第九代V-NAND的量產(chǎn)，隨后又率先實(shí)現(xiàn)了QLC 第九代V-NAND的量產(chǎn)，這進(jìn)一步鞏固了三星在高容量、高性能NAND閃存市場(chǎng)中的地位。

“在距上次TLC版本量產(chǎn)僅四個(gè)月后，QLC第九代V-NAND產(chǎn)品成功啟動(dòng)量產(chǎn)，使我們能夠提供，能夠滿足人工智能時(shí)代需求的完整陣容的SSD解決方案?！比请娮訄?zhí)行副總裁兼閃存產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人SungHoi Hur表示：“隨著企業(yè)級(jí)SSD市場(chǎng)呈現(xiàn)日益增長的趨勢(shì)，對(duì)人工智能應(yīng)用的需求更加強(qiáng)勁，我們將通過QLC和TLC第九代V-NAND繼續(xù)鞏固三星在該領(lǐng)域的市場(chǎng)地位。”

三星計(jì)劃擴(kuò)大QLC第九代V- NAND的應(yīng)用范圍，從品牌消費(fèi)類產(chǎn)品開始，擴(kuò)展到移動(dòng)通用閃存（UFS）、個(gè)人電腦和服務(wù)器SSD，為包括云服務(wù)提供商在內(nèi)的客戶提供服務(wù)。

三星半導(dǎo)體1TB QLC第九代V-NAND

三星QLC第九代V-NAND綜合運(yùn)用多項(xiàng)創(chuàng)新成果，實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)技術(shù)突破。

• 三星引以為傲的通道孔蝕刻技術(shù)(Channel Hole Etching)，能夠基于雙堆棧架構(gòu)實(shí)現(xiàn)當(dāng)前業(yè)內(nèi)最高的單元層數(shù)。三星運(yùn)用在TCL第九代V-NAND中積累的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，優(yōu)化了存儲(chǔ)單元面積及外圍電路，位密度比上一代QLC V-NAND提升約86%。
• 預(yù)設(shè)模具(Designed Mold)技術(shù)能夠調(diào)整控制存儲(chǔ)單元的字線（WL）間距，確保同一單元層內(nèi)和單元層之間的存儲(chǔ)單元的特性保持一致，達(dá)到最佳效果。V-NAND層數(shù)越多，存儲(chǔ)單元特性越重要。采用預(yù)設(shè)模具技術(shù)使得數(shù)據(jù)保存性能相比之前的版本提升約20%，增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性。
• 預(yù)測(cè)程序(Predictive Program)技術(shù)能夠預(yù)測(cè)并控制存儲(chǔ)單元的狀態(tài)變化，盡可能減少不必要的操作。這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步讓三星QLC第九代V-NAND的寫入性能翻倍，數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提升60%。
• 低功耗設(shè)計(jì)(Low-Power Design)技術(shù)使得數(shù)據(jù)讀取功耗約分別下降了約30%和50%。這項(xiàng)技術(shù)降低了驅(qū)動(dòng)NAND存儲(chǔ)單元所需的電壓，能夠僅感測(cè)必要的位線（BL），從而盡可能減少功耗。