全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業(yè)設備用逆變器等應用，開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。

此次發(fā)售的產(chǎn)品包括4款分立封裝的產(chǎn)品（TO-247-4L和TO-247N各2款）“RGA80TRX2HR／RGA80TRX2EHR／RGA80TSX2HR／RGA80TSX2EHR”和11款裸芯片產(chǎn)品“SG84xxWN”，預計未來將會進一步擴大產(chǎn)品陣容。

近年來，汽車和工業(yè)設備朝高電壓化方向發(fā)展，這就要求安裝在車載電動壓縮機、HV加熱器和工業(yè)設備逆變器等應用中的功率元器件也能支持高電壓。另一方面，為了實現(xiàn)無碳社會，從更節(jié)能、簡化冷卻機構、外殼的小型化等角度出發(fā)，對功率元器件的效率提升也提出了強烈的要求。另外，車載電子產(chǎn)品還需要符合車載產(chǎn)品可靠性標準。不僅如此，在逆變器和加熱器電路中，還要求功率元器件在發(fā)生短路時能夠切斷電流，并且需要具有更高的短路耐受能力。在這種背景下，ROHM通過改進器件結構，并采用合適的封裝形式，開發(fā)出支持高電壓、并實現(xiàn)業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT新產(chǎn)品。

第4代1200V IGBT通過改進包括外圍結構在內的器件結構，不僅實現(xiàn)了高達1200V的耐壓能力和符合車載電子產(chǎn)品標準的可靠性，還實現(xiàn)了10μsec.（Tj＝25℃時）的業(yè)界超高短路耐受能力以及業(yè)界超低的開關損耗和導通損耗特性。另外，新產(chǎn)品采用4引腳TO-247-4L封裝，通過確保引腳間的爬電距離*4，可在污染等級為2級的環(huán)境*5中支持1100V的有效電壓，與以往產(chǎn)品相比，可支持更高電壓的應用。由于爬電距離對策是在器件上實施的，因此也有助于減輕客戶的設計負擔。此外，TO-247-4L封裝產(chǎn)品通過增加開爾文發(fā)射極引腳*6，還實現(xiàn)了高速開關和更低損耗。通過對TO-247-4L封裝新產(chǎn)品、普通產(chǎn)品和以往產(chǎn)品在三相逆變器中的實際效率進行比較，證實新產(chǎn)品的損耗比普通產(chǎn)品低約24%，比以往產(chǎn)品低約35%，這將有助于實現(xiàn)應用產(chǎn)品的高效率驅動。

新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格 1,500日元/個，不含稅）。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems （Thailand） Co., Ltd.（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開始通過電商進行銷售，通過Ameya360等電商平臺均可購買。

未來，ROHM將會繼續(xù)擴大更高性能IGBT的產(chǎn)品陣容，從而為汽車和工業(yè)設備應用的高效率驅動和小型化貢獻力量。

＜產(chǎn)品陣容＞

分立產(chǎn)品

裸芯片產(chǎn)品

＜應用示例＞

◇車載電動壓縮機

◇車載HV加熱器（PTC加熱器、冷卻液加熱器）

◇工業(yè)設備逆變器

＜電商銷售信息＞

開始銷售時間：2024年11月起

網(wǎng)售平臺：Ameya360等

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

產(chǎn)品型號：RGA80TRX2HR、RGA80TRX2EHR、

RGA80TSX2HR、RGA80TSX2EHR

＜支持信息＞

通過ROHM官網(wǎng)，可以下載包括通過仿真如實再現(xiàn)產(chǎn)品電氣特性的SPICE模型在內的各種電路設計所需的資料。

＜關于采用了RGA系列的賽米控丹佛斯功率半導體模塊＞

賽米控丹佛斯額定電流10A～150A的功率半導體模塊“MiniSKiiP®”，采用了ROHM的1200V耐壓IGBT“RGA系列”。

＜術語解說＞

*1) 汽車電子產(chǎn)品可靠性標準“AEC-Q101”

AEC是Automotive Electronics Council的縮寫，是大型汽車制造商和美國大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的汽車電子元器件的可靠性標準。Q101是適用于分立半導體元器件（晶體管、二極管等）的標準。

*2) 短路耐受能力

當負載等短路時，功率元器件能夠承受而不至于損壞的時間。

*3) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）

同時具有MOSFET的高速開關特性和雙極晶體管的低導通損耗特性的功率晶體管。

*4) 爬電距離

兩個導體之間沿絕緣表面測得的最短距離。

在半導體設計中，為了防止觸電、漏電、半導體產(chǎn)品短路，需要采取確保爬電距離和電氣間隙的絕緣對策。

*5) 污染等級2級的環(huán)境

污染等級2級相當于家庭和辦公室等常見的環(huán)境，即僅存在干燥的非導電污染物的狀態(tài)。

污染等級是確定元器件的電氣間隙和爬電距離時會產(chǎn)生影響的環(huán)境等級，根據(jù)污染物質的有無、數(shù)量和狀態(tài)分為1～4級。

*6) 開爾文發(fā)射極引腳

測量電壓專用的發(fā)射極引腳。通過使流過電流的發(fā)射極引腳分離，可以將電流流過時電壓壓降的影響降至更低，從而實現(xiàn)高速且穩(wěn)定的開關。

注）“MiniSKiiP®”是賽米控丹佛斯的商標或注冊商標。