為滿足電力電子系統(tǒng)對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology(微芯科技公司)今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結構以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。

這一新產(chǎn)品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動汽車和數(shù)據(jù)中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農(nóng)用車以及更多電動飛機(MEA)中電源應用的關鍵構件。

設計人員可根據(jù)自己的要求選擇合適的功率器件解決方案。IGBT 7器件采用標準D3和D4 62毫米封裝，以及SP6C、SP1F和SP6LI封裝。該產(chǎn)品組合可在以下拓撲結構中提供多種配置：三電平中性點鉗位(NPC)、三相橋、升壓斬波器、降壓斬波器、雙共源、全橋、相腿、單開關和T型。支持電壓范圍為1200V至1700V，電流范圍為50A至900A。

Microchip負責分立產(chǎn)品業(yè)務的副總裁 Leon Gross 表示：“多功能 IGBT 7系列產(chǎn)品是易用性和成本效益與更高功率密度和可靠性的完美結合，為我們的客戶提供了最大的靈活性。這些產(chǎn)品專為通用工業(yè)應用以及專業(yè)航空航天和國防應用而設計。此外，我們的電源解決方案還可與Microchip廣泛的FPGA、單片機(MCU)、微處理器(MPU)、dsPIC® 數(shù)字信號控制器 (DSC)和模擬器件集成，能夠實現(xiàn)由一家供應商提供全面的系統(tǒng)解決方案?！?

更低的導通IGBT電壓 (Vce)、改進的反并聯(lián)二極管(Vf更低)和更高的電流能力可實現(xiàn)更低的功率損耗、更高的功率密度和更高的系統(tǒng)效率。低電感封裝加上Tvj -175°C時更高的過載能力，使這些器件成為以較低系統(tǒng)成本創(chuàng)建堅固耐用、高可靠性航空和防務應用(如推進、驅動和配電)的絕佳選擇。

對于需要增強 dv/dt 可控性的電機控制應用，IGBT 7 器件經(jīng)過設計，可實現(xiàn)高效、平滑和優(yōu)化的開關驅動，從而使電機平滑轉動。這些高性能器件還旨在提高系統(tǒng)可靠性、降低EMI和減少電壓尖峰。

Microchip提供廣泛的電源管理解決方案組合，包括模擬器件、硅(Si)和碳化硅(SiC)電源技術、dsPIC® 數(shù)字信號控制器 (DCS)以及標準、改進和定制電源模塊。