中國上海，2025 年9月9日 — Nexperia 每年增加 800 多種新產(chǎn)品類型。2024 年，僅模擬和電源管理應用便推出了超過 70 種新部件。為支持 Nexperia 產(chǎn)品擴展，e絡盟緊跟其不斷擴大的產(chǎn)品組合，擴充了自身的庫存產(chǎn)品型號范圍，以便更精準的服務全球工程師。

Nexperia 提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路，在質(zhì)量和可靠性方面享有盛譽，并大筆投資制造業(yè)。比如在德國漢堡工廠投資 2 億美元研發(fā) SiC 和 GaN 技術。目前，這項投資已初見成效，其產(chǎn)品組合迅速增長，涵蓋功率 MOSFET、寬帶間隙半導體、IGBT 以及模擬和電源管理集成電路。

Nexperia 每年增加 800多種新產(chǎn)品類型。2024 年，僅模擬和電源管理應用便推出了超過 70 種新部件。

這些制造方面的進步和新產(chǎn)品的推出彰顯出 Nexperia 在努力踐行提升生產(chǎn)能力和滿足未來需求的承諾;e絡盟擴充新增 Nexperia 電源產(chǎn)品庫存的行動也體現(xiàn)出 e絡盟努力滿足客戶需求的決心。

e絡盟無源元件和半導體全球產(chǎn)品類別總監(jiān) Jose Lok 表示：“尖端電源產(chǎn)品的重要性不言而喻，Nexperia 提供的一些優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品已覆蓋汽車、工業(yè)、便攜式及可穿戴應用領域。我們共同努力確保開發(fā)人員能夠在需要時精準獲得所需元件。目前，e絡盟已在美洲、歐洲、中東和非洲以及亞太地區(qū)全面鋪開 Nexperia 庫存，隨時為全球工程師提供堅實支持?！?

e絡盟推出的新品系列包括：

? 功率 MOSFET – 汽車認證功率 MOSFET、小信號 MOSFET 以及專用 MOSFET(電壓范圍為 20V 至 100V)。這些器件采用銅夾片封裝技術(LFPAK、CCPAK)和微型引線封裝 (MLPAK)，提供卓越的開關性能和可靠性。

? H 系列(高速)和 M 系列(電動機驅(qū)動)650V IGBT 分立器件展現(xiàn)出出色的耐用性與高可靠性，同時可提升逆變器功率密度，適用于中高壓工業(yè)領域。

? SiC 二極管具有不受溫度影響的電容關閉和零恢復開關特性，以及出色的品質(zhì)因數(shù) (Qc x VF)。

? SiC MOSFET 提供出色的 RDSon 溫度穩(wěn)定性、快速開關速度和高短路耐受能力，適用于高功率和高電壓工業(yè)應用。

? 低壓增強型 GaN FET、650 V 增強型 GaN FET、40 V 雙向 GaN FET 和 650 V 共源共柵 GaN FET，旨在通過降低低功率或高功率轉(zhuǎn)換應用中的傳導和開關損耗來提高功率密度。

? 功率整流器可以提供高功率密度，同時還能減少反向恢復時間和功率損耗。

Nexperia 分銷事業(yè)部高級企業(yè)客戶經(jīng)理 Kinga Czutro 表示：“我們?yōu)殡娫串a(chǎn)品在廣泛應用中的出色表現(xiàn)感到自豪。e絡盟的及時供貨與專業(yè)支持，是助力工程師快速且可靠地實現(xiàn)設計落地的重要保障。這種合作關系充分體現(xiàn)了雙方的共同愿景。”