寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要指基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的器件。相較于傳統(tǒng)的硅(Si)基器件，它們具有諸多卓越的性能。例如，寬帶隙器件擁有更高的擊穿電場強(qiáng)度，能夠承受更高的電壓;具備高電子遷移率，這使得電子在材料中移動(dòng)速度更快，大大提高了器件的開關(guān)速度和效率;同時(shí)，它們還具有低導(dǎo)通電阻以及較高的熱導(dǎo)率，有助于降低器件工作時(shí)的發(fā)熱問題，提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

電機(jī)控制應(yīng)用現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)

在當(dāng)前的電機(jī)控制領(lǐng)域，傳統(tǒng)的硅 MOSFET 或 IGBT 仍然占據(jù)著一定的市場份額。以 IGBT 為例，在大功率電機(jī)控制中，它近乎恒定的飽和電壓能使傳導(dǎo)損耗保持在較低水平，且大致與傳輸?shù)诫姍C(jī)的功率成正比。然而，IGBT 在開關(guān)切換過程中，尤其是關(guān)斷時(shí)，會(huì)產(chǎn)生較高的功率損耗，這是由于少數(shù)載流子重新組合產(chǎn)生的尾 “電流” 所致。盡管電機(jī)控制器的開關(guān)頻率通常較低，平均下來損耗量尚可接受，且在制造時(shí)也會(huì)對尾電流和飽和電壓進(jìn)行平衡優(yōu)化，以適配 10 - 20kHz 的典型電機(jī)脈沖寬度調(diào)制(PWM)頻率，但這種損耗問題依舊限制了系統(tǒng)效率的進(jìn)一步提升。

硅 MOSFET 在相對較低功率(幾千瓦左右)、1200V 左右的條件下有一定應(yīng)用。其在切換邊界的功率耗散相對較低，對于一些高速、低電感電機(jī)，較高的 PWM 頻率(如 10kHz 左右)能減少電流紋波，提高響應(yīng)能力。不過，MOSFET 的傳導(dǎo)損耗與電流的平方成正比，隨著功率增加，其性能很快變得難以滿足要求。

此外，隨著工業(yè)發(fā)展，對于電機(jī)控制應(yīng)用提出了更高的要求，如更高的功率密度、更高的效率以及更好的散熱性能等。傳統(tǒng)硅基器件在應(yīng)對這些挑戰(zhàn)時(shí)逐漸力不從心，這為寬帶隙器件的應(yīng)用提供了廣闊的空間。

寬帶隙器件在電機(jī)控制中的優(yōu)勢

更低的損耗

在功率轉(zhuǎn)換過程中，寬帶隙器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗都顯著低于傳統(tǒng)硅器件。以 SiC MOSFET 為例，在管芯面積和額定電壓相同的情況下，由于寬帶隙材料臨界擊穿電壓更高，溝道可以更短，其傳導(dǎo)損耗低于硅 MOSFET。并且，氮化鎵憑借更好的電子遷移率降低了導(dǎo)通電阻，在中低功率下，其電流器件的傳導(dǎo)損耗也能低于 IGBT。例如，額定電流為 60A、裸片電阻為 20 毫歐姆的 onsemi SiC MOSFET NTC020N120SC1，在導(dǎo)通時(shí)的功率耗散表現(xiàn)出色。較低的損耗不僅能節(jié)約能源，還能減少系統(tǒng)的散熱需求，降低散熱片的尺寸、重量和成本。

更高的工作溫度

寬帶隙器件，尤其是 SiC 器件，具有更高的工作結(jié)溫。SiC MOSFET 的臨界擊穿溫度約為 550°C，而硅 MOSFET 的臨界擊穿溫度僅為 150°C。這使得它們能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，對于一些工作環(huán)境較為惡劣，或者對散熱要求苛刻的電機(jī)控制應(yīng)用場景，如電動(dòng)汽車、工業(yè)高溫環(huán)境下的電機(jī)驅(qū)動(dòng)等，具有極大的優(yōu)勢，能夠有效延長電機(jī)的使用壽命，提高系統(tǒng)的可靠性。

更高的功率密度

由于寬帶隙器件能夠在更高的電壓和電流下工作，且具有較低的導(dǎo)通電阻和結(jié)電容，它們可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。這意味著在相同的空間內(nèi)，能夠集成更高功率的電機(jī)控制電路，對于空間受限的應(yīng)用，如無人機(jī)、電動(dòng)自行車等的電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，能夠有效減小系統(tǒng)的尺寸和重量，提升產(chǎn)品的競爭力。

如何選擇寬帶隙器件

根據(jù)應(yīng)用場景確定電壓和電流需求

不同的電機(jī)控制應(yīng)用場景對電壓和電流有著不同的要求。在選擇寬帶隙器件時(shí)，首先要明確應(yīng)用所需的最大電壓和電流。例如，在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，常見的電壓等級(jí)有 400V、690V 等，而電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓則通常在幾百伏甚至更高。對于電流需求，需要根據(jù)電機(jī)的功率、轉(zhuǎn)速以及運(yùn)行模式等因素來確定。如果選擇的器件額定電壓和電流過低，可能導(dǎo)致器件在工作過程中損壞;而選擇過高額定值的器件，則會(huì)增加成本，且可能在性能上并非最優(yōu)匹配。

考慮導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗

導(dǎo)通電阻(RDS (on))直接影響器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，開關(guān)損耗則與器件的開關(guān)速度等因素相關(guān)。對于以傳導(dǎo)損耗為主的應(yīng)用場景，應(yīng)優(yōu)先選擇導(dǎo)通電阻低的器件。如在一些低功率、連續(xù)工作的電機(jī)控制中，氮化鎵器件由于其較低的導(dǎo)通電阻，能有效降低功耗。而對于開關(guān)頻率較高的應(yīng)用，開關(guān)損耗成為關(guān)鍵因素，此時(shí)需要選擇開關(guān)速度快、開關(guān)損耗低的器件，如某些高性能的 SiC MOSFET 能夠在高頻開關(guān)下保持較低的損耗。

關(guān)注器件的散熱性能

良好的散熱性能是保證器件穩(wěn)定工作的重要因素。寬帶隙器件雖然本身熱導(dǎo)率較高，但在實(shí)際應(yīng)用中，仍需考慮封裝形式、散熱結(jié)構(gòu)等對散熱的影響。例如，一些采用特殊封裝工藝的器件，能夠更好地將內(nèi)部產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去。在設(shè)計(jì)電機(jī)控制電路時(shí)，要結(jié)合器件的散熱特性，合理設(shè)計(jì)散熱片、風(fēng)道等散熱系統(tǒng)，確保器件在工作過程中溫度處于合理范圍內(nèi)，以維持其性能和可靠性。

評(píng)估柵極驅(qū)動(dòng)要求

柵極驅(qū)動(dòng)對于寬帶隙器件的正常工作至關(guān)重要。不同類型的寬帶隙器件，其柵極驅(qū)動(dòng)要求有所不同。氮化鎵器件需要小驅(qū)動(dòng)電流實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)，所需最高電壓也只有 7V 左右;而碳化硅則需要 18V 左右才能達(dá)到完全飽和，接近其絕對最大值約 22V(實(shí)際值因具體器件而異)。同時(shí)，要注意避免柵極驅(qū)動(dòng)過程中產(chǎn)生的寄生效應(yīng)，如連接電感與柵極和雜散電容共振產(chǎn)生的振鈴，以及柵極和源極連接的電感導(dǎo)致的高 di/dt 雜散和災(zāi)難性導(dǎo)通等問題。在設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，要充分考慮這些因素，選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器，并進(jìn)行合理的布局布線。

成本考量

盡管寬帶隙器件的性能優(yōu)勢明顯，但其成本相對傳統(tǒng)硅器件仍然較高。在選擇器件時(shí)，需要綜合考慮系統(tǒng)的整體成本。一方面，要評(píng)估寬帶隙器件帶來的性能提升，如節(jié)能、減小散熱系統(tǒng)成本、提高功率密度等方面所節(jié)省的成本;另一方面，要根據(jù)產(chǎn)品的市場定位和成本預(yù)算，在滿足性能要求的前提下，選擇性價(jià)比最高的器件。隨著技術(shù)的發(fā)展和市場規(guī)模的擴(kuò)大，寬帶隙器件的成本也在逐漸降低，未來其性價(jià)比將更具競爭力。

結(jié)語

在電機(jī)控制應(yīng)用中，選擇合適的寬帶隙器件需要綜合考慮多個(gè)因素，包括應(yīng)用場景的電壓電流需求、導(dǎo)通電阻與開關(guān)損耗、散熱性能、柵極驅(qū)動(dòng)要求以及成本等。隨著寬帶隙器件技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，它們在電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用前景將愈發(fā)廣闊，能夠?yàn)殡姍C(jī)控制系統(tǒng)帶來更高的效率、功率密度和可靠性，助力相關(guān)產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)更高效、更節(jié)能的發(fā)展。