探秘LDO的PSRR參數(shù)及周邊電路對(duì)其影響
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LDO(Low Dropout Regulator)是嵌入式系統(tǒng)中廣泛使用的器件,也是最基本的模擬類電源,由于其輸出噪聲小,電路簡(jiǎn)單,所以在各種應(yīng)用中都是不可或缺的器件,其中有一些重要的參數(shù)對(duì)電路的性能影響很大,PSRR就是其中的一個(gè),本文以MIC5235-ADJ輸出可調(diào)整類型的LDO為例,通過(guò)仿真詳細(xì)分析一下PSRR的曲線及周邊電路對(duì)其有哪些影響,以便在設(shè)計(jì)中引起注意。
一.LDO的基本概念
首先,我們簡(jiǎn)要回顧一下LDO的基本概念,由于LDO本質(zhì)的結(jié)構(gòu),導(dǎo)致其效率比較低,在應(yīng)用中,一般需要保持輸入電壓和輸出電壓有一定的壓差,當(dāng)壓差越大時(shí),效率就會(huì)越低。這里有一個(gè)可以做到的最小壓差的指標(biāo)(Dropout),會(huì)在規(guī)格書中有說(shuō)明,以MIC5235-ADJ為例,如圖1所示。
圖1 Dropout參數(shù)示例
可以看到,隨著負(fù)載電流的增加,這個(gè)壓差參數(shù)也會(huì)增加,這是一般的特性。在應(yīng)用中,壓差Dropout參數(shù)越小,則越容易保持輸出電壓不變的前提下降低輸入電壓,提高效率,在電池供電應(yīng)用中,也更容易提高電池的使用壽命。
圖2 LDO的主要優(yōu)勢(shì)
PSRR(Power SupplyRejection ratio), 它是指LDO對(duì)輸入端的AC分量的衰減的參數(shù),PSRR越大,則紋波及噪聲從輸入端到輸出端的衰減比例越大,如圖3表達(dá)式所示。
圖3 PSRR的基本概念及表達(dá)式
在LDO相比DC/DC的主要優(yōu)勢(shì)中,輸出噪聲低是一個(gè)典型的選擇LDO作為電源的供電的原因,而PSRR對(duì)輸出噪聲的影響是比較大的,比如當(dāng)LDO的前級(jí)是一個(gè)DC/DC電源時(shí),如圖4,所示,DC/DC會(huì)給LDO輸入帶來(lái)高頻紋波及一些高頻噪聲,此時(shí)LDO的PSRR參數(shù)對(duì)輸出電壓的紋波及噪聲影響很大,有必要對(duì)其詳細(xì)分析。
圖4 典型的嵌入式系統(tǒng)電源架構(gòu)
接下來(lái),我們簡(jiǎn)單看一下MIC5235這個(gè)高耐壓LDO的基本情況。以下圖5是輸出可調(diào)整版本的典型應(yīng)用框圖,我們?cè)O(shè)置輸出電壓為9V,輸入電壓為12V,輸出按照150mA電流,輸出電容為2.2uF/5mohm ESR。
圖5 MIC5235-ADJ的典型應(yīng)用框圖
由于輸出電壓設(shè)為9V,按照分壓電阻和參考電壓的關(guān)系,我們?cè)O(shè)置相應(yīng)的分壓電阻R1,R2,分別為62.58k和10k。
圖6 分壓電阻設(shè)置
從MIC5235的規(guī)格書中找到了PSRR的曲線,可以看到如圖6所示,在低頻下PSRR相對(duì)比較高,隨著頻率的增加到200k,PSRR逐漸降低,然后又隨著頻率的增加而增加一直到1M,大概是這樣的一個(gè)趨勢(shì)。
圖6 MIC5235的PSRR曲線
接下來(lái),我們通過(guò)仿真的方式,看一下仿真的PSRR和實(shí)際規(guī)格書是否一致,另外,再看一下外圍電路變化對(duì)其有什么影響。
二.LDO的PSRR基本仿真結(jié)果
仿真原理圖很簡(jiǎn)單,直接按照規(guī)格書的典型應(yīng)用電路設(shè)置,如圖7所示,根據(jù)PSRR的基本概念,它是輸入到輸出的電壓增益的對(duì)數(shù)坐標(biāo)值,所以我們采用小信號(hào)測(cè)試的儀器去測(cè)試輸入電壓到輸出電壓的增益,在輸入電壓源上施加干擾源。
圖7 MIC5235-ADJ的PSRR仿真
圖8 LDO輸出電壓時(shí)域波形
經(jīng)過(guò)仿真瞬態(tài)后,LDO輸出電壓,如圖8所示,基本正常,輸出電壓穩(wěn)定在9V.
圖9 MIC5235-ADJ的PSRR增益
從PSRR的仿真結(jié)果來(lái)看,從低頻10Hz到1k左右,增益基本在42db左右。從1k到50k附近增益逐漸降低,最低達(dá)到25db。從50k到10M一直在增大衰減,最大為80db左右(和規(guī)格書曲線基本一致,但由于一些非理想因素略有差異)。
三.LDO的PSRR外圍電路影響因素仿真
接下來(lái),我們看一下外圍電路對(duì)LDO的PSRR的影響有多大。以上述仿真結(jié)果為比較基準(zhǔn)。首先我們修改一下輸出濾波電容的值,由2.2uF改為22uF。
圖10 輸出濾波電容容值增大
圖11 輸出電容容值增大對(duì)PSRR的影響
從圖11的仿真結(jié)果看,在輸出電容ESR不變的情況下,增大容值后,從3k一直到10M的頻段內(nèi),PSRR都有大幅增加,濾波效果很明顯,輸出電壓波形良好,稍有一些過(guò)沖。
圖12 輸出電容容值增大時(shí)輸出電壓波形
圖13 輸出電容ESR改為1mohm
在保持輸出電容不變的情況下,將ESR電阻從5mohm改為1mohm,依然將初始仿真結(jié)果作為參考基準(zhǔn)。
圖14 輸出電容ESR減小對(duì)PSRR的影響
從圖14仿真結(jié)果來(lái)看,輸出電容容值不變的情況下,選擇ESR更小的電容,將提高高頻段的衰減。
圖15 輸出電容ESR大幅增加的影響
將ESR大幅度增加,從5mohm變到50mohm,則發(fā)現(xiàn)對(duì)高頻段的影響非常大,從600k到10M衰減變小了很多。
圖16 增加前饋電容1n
如圖16,在輸出分壓電阻上增加1n的前饋電容,依然將原始仿真結(jié)果作為基準(zhǔn)。
圖17 增加前饋電容對(duì)PSRR的影響
增加1nF前饋電容后,發(fā)現(xiàn)中頻段,從1k到100k的衰減有大幅度增加。
圖18 增加前饋電容后輸出電壓波形
總結(jié),通過(guò)對(duì)LDO的PSRR的仿真,我們可以知道,在規(guī)格書給出的PSRR特性曲線基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化電路系統(tǒng)的PSRR若干有效的方法,如通過(guò)調(diào)整增大輸出電容及減小其ESR對(duì)中高頻段的PSRR有很大幫助,而通過(guò)增加前饋電容,對(duì)中頻段的PSRR有很大幫助,在保持環(huán)路穩(wěn)定性的前提下,適當(dāng)調(diào)整外圍電路參數(shù),有助于進(jìn)一步改善PSRR的特性。





