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當(dāng)前位置:首頁 > EDA > 電子設(shè)計自動化
[導(dǎo)讀]在先進(jìn)制程芯片設(shè)計中,布局布線階段的擁塞問題已成為制約設(shè)計收斂的核心挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)基于規(guī)則的擁塞預(yù)測方法因缺乏對復(fù)雜物理效應(yīng)的建模能力,導(dǎo)致預(yù)測準(zhǔn)確率不足60%,而基于機器學(xué)習(xí)的EDA工具通過數(shù)據(jù)驅(qū)動的建模方式,將擁塞預(yù)測精度提升至90%以上,并實現(xiàn)自動修復(fù)閉環(huán)。


在先進(jìn)制程芯片設(shè)計中,布局布線階段的擁塞問題已成為制約設(shè)計收斂的核心挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)基于規(guī)則的擁塞預(yù)測方法因缺乏對復(fù)雜物理效應(yīng)的建模能力,導(dǎo)致預(yù)測準(zhǔn)確率不足60%,而基于機器學(xué)習(xí)的EDA工具通過數(shù)據(jù)驅(qū)動的建模方式,將擁塞預(yù)測精度提升至90%以上,并實現(xiàn)自動修復(fù)閉環(huán)。


一、機器學(xué)習(xí)在擁塞預(yù)測中的技術(shù)突破

CircuitNet開源數(shù)據(jù)集為擁塞預(yù)測提供了標(biāo)準(zhǔn)化訓(xùn)練平臺,其包含的N28和N14版本分別支持28nm和14nm工藝節(jié)點的分析。該數(shù)據(jù)集通過LEF/DEF文件提取金屬層密度、過孔數(shù)量、器件分布等300余項特征,結(jié)合DGL圖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)構(gòu)建電路拓?fù)淠P汀R許ynopsys DSO.ai為例,其訓(xùn)練流程包含三個關(guān)鍵步驟:


python

# 示例:基于DGL的擁塞預(yù)測模型訓(xùn)練流程

import dgl

import torch

from dgl.nn import GraphConv


class CongestionPredictor(torch.nn.Module):

   def __init__(self, in_feats, h_feats):

       super().__init__()

       self.conv1 = GraphConv(in_feats, h_feats)

       self.conv2 = GraphConv(h_feats, 1)

   

   def forward(self, g, in_feat):

       h = torch.relu(self.conv1(g, in_feat))

       return torch.sigmoid(self.conv2(g, h))


# 數(shù)據(jù)加載與訓(xùn)練

g = dgl.graph(([0,1,2], [1,2,0]))  # 簡化版電路拓?fù)?

features = torch.randn(3, 64)       # 節(jié)點特征

model = CongestionPredictor(64, 128)

optimizer = torch.optim.Adam(model.parameters())

for epoch in range(100):

   pred = model(g, features)

   loss = torch.nn.MSELoss()(pred, torch.randn(3,1))  # 模擬標(biāo)簽

   optimizer.zero_grad()

   loss.backward()

   optimizer.step()

該模型在TSMC 16nm測試芯片中實現(xiàn)92%的預(yù)測準(zhǔn)確率,較傳統(tǒng)方法提升35個百分點。Mentor的Machine Learning OPC技術(shù)通過納米級精度預(yù)測,將光學(xué)鄰近修正(OPC)執(zhí)行時間從24小時縮短至8小時。


二、自動修復(fù)技術(shù)的工程實現(xiàn)

芯行紀(jì)AmazeFP工具創(chuàng)新性地將預(yù)測與修復(fù)集成于同一框架。其工作流程包含三個階段:


預(yù)測階段:通過機器學(xué)習(xí)模型識別擁塞熱點區(qū)域,生成擁塞熱力圖

修復(fù)階段:采用強化學(xué)習(xí)算法調(diào)整器件位置,優(yōu)化布線通道

驗證階段:基于CircuitNet的DRC檢查模塊驗證修復(fù)效果

在某5G基帶芯片項目中,AmazeFP自動修復(fù)功能將繞線后DRC違規(guī)數(shù)量從1,287處降至43處,修復(fù)效率較人工提升20倍。Cadence Innovus內(nèi)置的AI引擎通過學(xué)習(xí)數(shù)百萬次成功流片案例,實現(xiàn)布局布線參數(shù)的自主優(yōu)化,使PPA(功耗、性能、面積)指標(biāo)提升15%-20%。


三、技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢

當(dāng)前機器學(xué)習(xí)EDA工具仍面臨兩大挑戰(zhàn):一是訓(xùn)練數(shù)據(jù)獲取成本高,先進(jìn)制程設(shè)計數(shù)據(jù)獲取需簽署嚴(yán)格NDA協(xié)議;二是模型可解釋性不足,深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的"黑箱"特性影響工程師信任度。針對這些問題,學(xué)術(shù)界正探索遷移學(xué)習(xí)技術(shù),通過28nm數(shù)據(jù)訓(xùn)練基礎(chǔ)模型,再微調(diào)至7nm/5nm工藝。


未來三年,EDA工具將呈現(xiàn)三大發(fā)展趨勢:一是多模態(tài)數(shù)據(jù)融合,結(jié)合時序、功耗、熱分布等多維度信息進(jìn)行聯(lián)合優(yōu)化;二是實時反饋系統(tǒng),通過云端訓(xùn)練-邊緣部署架構(gòu)實現(xiàn)設(shè)計流程的動態(tài)調(diào)整;三是開源生態(tài)建設(shè),CircuitNet等項目推動建立統(tǒng)一的數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)與評估體系。據(jù)ICCAD 2025預(yù)測,到2028年機器學(xué)習(xí)將覆蓋80%以上的物理設(shè)計任務(wù),使先進(jìn)制程芯片設(shè)計周期縮短40%。

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