在當(dāng)今的電子設(shè)備中，電源管理單元(SMPS)扮演著至關(guān)重要的角色，它們負(fù)責(zé)將輸入電壓轉(zhuǎn)換為設(shè)備所需的穩(wěn)定電壓。隨著能效標(biāo)準(zhǔn)和環(huán)保要求的日益嚴(yán)格，電源設(shè)計(jì)工程師面臨著提高效率、減少待機(jī)功耗和降低電磁干擾(EMI)的多重挑戰(zhàn)。準(zhǔn)諧振(Quasi-Resonant, QR)技術(shù)作為一種創(chuàng)新的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)方法，通過(guò)優(yōu)化開(kāi)關(guān)過(guò)程，顯著提升了電源的性能。本文將深入探討QR技術(shù)的原理、工作模式、應(yīng)用場(chǎng)景以及設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵考量。

一、QR技術(shù)的核心原理

1.1 基本概念

QR技術(shù)是一種軟開(kāi)關(guān)方法，它利用LC諧振電路在開(kāi)關(guān)管(如MOSFET)關(guān)斷后產(chǎn)生的衰減振蕩波形，使開(kāi)關(guān)管在電壓或電流的谷底(即波形的最低點(diǎn))導(dǎo)通。這種“谷底導(dǎo)通”策略顯著降低了開(kāi)關(guān)損耗，因?yàn)榇藭r(shí)開(kāi)關(guān)管兩端的電壓最低，從而減少了開(kāi)通時(shí)的能量損耗。QR技術(shù)通過(guò)控制開(kāi)關(guān)時(shí)機(jī)，實(shí)現(xiàn)了零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS)，這被稱為軟開(kāi)關(guān)，與傳統(tǒng)的硬開(kāi)關(guān)相比，能有效減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失和EMI干擾。

1.2 工作模式詳解

QR技術(shù)的工作模式主要分為三種：零電壓開(kāi)關(guān)準(zhǔn)諧振型變換電路(ZVS-QRCs)、零電流開(kāi)關(guān)準(zhǔn)諧振型變換電路(ZCS-QRCs)和諧振直流環(huán)(Resonant DC Link)。在反激式變換器中，ZVS-QRCs是最常見(jiàn)的應(yīng)用形式。當(dāng)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，變壓器漏感與開(kāi)關(guān)管寄生電容形成LC諧振電路，產(chǎn)生衰減振蕩的電壓波形?？刂破魍ㄟ^(guò)檢測(cè)這個(gè)波形，在電壓谷底(如第二或第三個(gè)谷底)開(kāi)啟開(kāi)關(guān)管，此時(shí)開(kāi)關(guān)管兩端電壓接近零，從而實(shí)現(xiàn)ZVS。

1.3 與CCM/DCM/BCM的關(guān)系

QR技術(shù)可以與連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)、斷續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)或臨界導(dǎo)通模式(BCM)結(jié)合使用。CCM、DCM和BCM是從電感電流連續(xù)性的角度定義的工作模式，而QR是從諧振電壓行為角度定義的優(yōu)化方式。QR本質(zhì)上屬于BCM的優(yōu)化，通過(guò)控制導(dǎo)通時(shí)機(jī)改善效率。例如，在QR模式下，開(kāi)關(guān)頻率可以根據(jù)負(fù)載需求動(dòng)態(tài)調(diào)整，輕載時(shí)頻率降低，重載時(shí)頻率升高，這種靈活性有助于提高輕載效率。

二、QR技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

2.1 顯著優(yōu)勢(shì)

QR技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)在于其高效率。通過(guò)減少開(kāi)關(guān)損耗，QR電源在寬輸入電壓范圍內(nèi)都能保持較高的能效，這對(duì)于適配器和電源模塊尤為重要。此外，QR技術(shù)降低了EMI，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)過(guò)程更加平滑，減少了電壓和電流的快速變化。QR還支持頻率調(diào)制(PFM)，允許開(kāi)關(guān)頻率隨負(fù)載變化，進(jìn)一步優(yōu)化能效。

2.2 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

然而，QR技術(shù)也帶來(lái)了設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn)。在寬輸入電壓應(yīng)用中，QR控制器需要處理輸入電壓變化導(dǎo)致的頻率變動(dòng)。例如，輸入電壓升高時(shí)，開(kāi)關(guān)頻率增加，初級(jí)峰值電流必須相應(yīng)減小以維持恒定的輸出功率。這可能導(dǎo)致過(guò)載保護(hù)問(wèn)題，因?yàn)镼R控制器通常只有過(guò)流保護(hù)特性，無(wú)法直接補(bǔ)償輸入電壓變化的影響。此外，QR控制器的設(shè)計(jì)需要精確的電壓前饋補(bǔ)償，以確保在不同輸入電壓下都能穩(wěn)定工作。

三、QR技術(shù)的應(yīng)用場(chǎng)景

3.1 反激式變換器

QR技術(shù)廣泛應(yīng)用于反激式變換器，這是因?yàn)樗軌蛴行Ю米儔浩鞯穆└泻烷_(kāi)關(guān)管的寄生電容實(shí)現(xiàn)諧振。在反激式QR變換器中，初級(jí)側(cè)磁能量在開(kāi)關(guān)周期內(nèi)以適當(dāng)?shù)姆绞睫D(zhuǎn)移至次級(jí)側(cè)，避免了反激式控制中常見(jiàn)的高開(kāi)關(guān)損耗。QR反激式變換器特別適合中小功率應(yīng)用，如手機(jī)充電器和LED驅(qū)動(dòng)電源。

3.2 GaN FET的應(yīng)用

隨著氮化鎵(GaN)FET技術(shù)的發(fā)展，QR技術(shù)得到了進(jìn)一步的優(yōu)化。GaN FET具有高電子遷移率、高擊穿電壓和低導(dǎo)通損耗等優(yōu)點(diǎn)，使其在高頻率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合表現(xiàn)出色。在QR反激式穩(wěn)壓器中，GaN FET的快速開(kāi)關(guān)特性增強(qiáng)了能量傳輸效率，使得在高頻操作下實(shí)現(xiàn)更為有效的能量傳輸。GaN FET的應(yīng)用顯著提高了QR電源的能效和功率密度。

3.3 適配器與電源模塊

QR技術(shù)是適配器和電源模塊的理想選擇，因?yàn)樗軌驖M足嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)和環(huán)保要求。QR適配器在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮開(kāi)關(guān)頻率的選擇、控制方案的設(shè)計(jì)、輸出電壓的穩(wěn)定性以及長(zhǎng)期可靠性。通過(guò)優(yōu)化這些因素，QR適配器可以實(shí)現(xiàn)更高的能效、更低的待機(jī)功耗和更小的體積。

四、QR技術(shù)的未來(lái)展望

4.1 能效標(biāo)準(zhǔn)的提升

隨著能效標(biāo)準(zhǔn)的不斷提升，QR技術(shù)將繼續(xù)優(yōu)化以滿足更高的能效要求。例如，歐盟的ErP指令和美國(guó)的DoE標(biāo)準(zhǔn)對(duì)電源的能效提出了嚴(yán)格的要求，QR技術(shù)通過(guò)減少開(kāi)關(guān)損耗和優(yōu)化頻率調(diào)制，能夠輕松滿足這些標(biāo)準(zhǔn)。

4.2 集成化與智能化

未來(lái)，QR技術(shù)將更加集成化和智能化。集成化的QR控制器將減少外部元件的數(shù)量，降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性和成本。智能化的QR電源將能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)負(fù)載和輸入電壓變化，動(dòng)態(tài)調(diào)整工作參數(shù)，以實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的能效和性能。

4.3 新興材料的應(yīng)用

新興材料如GaN和碳化硅(SiC)將進(jìn)一步推動(dòng)QR技術(shù)的發(fā)展。這些材料具有優(yōu)異的物理特性，能夠支持更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的功率密度，使得QR電源在更廣泛的領(lǐng)域得到應(yīng)用。

結(jié)論

QR技術(shù)通過(guò)優(yōu)化開(kāi)關(guān)過(guò)程，顯著提升了電源的能效和性能，減少了EMI和待機(jī)功耗。盡管在設(shè)計(jì)上存在挑戰(zhàn)，但隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和新興材料的應(yīng)用，QR技術(shù)將繼續(xù)在電源管理領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，滿足未來(lái)電子設(shè)備對(duì)高效、環(huán)保和緊湊型電源的需求。