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  • 頂尖半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)商選擇Crossing Automation公司的Spartan EFEM作為第二代量測工具

    2010年6月8日,Crossing Automation公司(www.crossinginc.com)近日宣布,其開發(fā)的SpartanTM設(shè)備前端模塊(EFEM)已被一家頂尖的光刻與量測設(shè)備產(chǎn)商選擇作為第二代量測工具。Crossing是一家向大規(guī)模半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)商提

  • 臺積電5月營收環(huán)比增長3.5%

    TSMC 10日公布2010年5月營收報告,就非合并財務(wù)報表方面,營收約為新臺幣338億3,900萬元,較今年4月增加了3.5%,較去年同期則增加了38.3%。累計2010年1至5月營收約為新臺幣1,556億9,700萬元,較去年同期增加了85.8%。

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    2010-06-11
    臺積電 TSMC
  • 臺積電高管:三星較GlobalFoundries更具威脅性

    晶圓代工市場戰(zhàn)火越來越激烈,三星電子(Samsung Electronics)與全球晶圓(Global Foundries;GF)競飆資本支出,擴充產(chǎn)能及提升技術(shù),讓臺積電如臨大敵,不過,臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義認為,從成本優(yōu)勢來看,

  • 臺積電5月營收創(chuàng)歷史新高 年增38.3%

    晶圓代工龍頭臺積電(2330-TW)今天公布2010年5月營收報告,2010年5月合并營收約為348.19億元,為單月歷史新高,較今年4月增加 3.0%,較去年同期則增加37.9%。累計2010年1至5月合并營收約為新臺幣1608.15億元,較去年同

  • 聯(lián)電重拾月營收百億風(fēng)光 臺積電可望續(xù)創(chuàng)歷史新高

    聯(lián)電5月營收恢復(fù)成長態(tài)勢,達到新臺幣100.9億元,創(chuàng)下歷史第4高紀錄,由于聯(lián)電6、8及12寸廠產(chǎn)能處于滿載,預(yù)期2010年下半單月營收仍有高點可期。至于產(chǎn)能同樣處于滿載的臺積電近期亦將公布營運實績,預(yù)期將續(xù)創(chuàng)歷史新

  • 臺積電與復(fù)旦產(chǎn)學(xué)研合

    圖:(左起)TSMC中國區(qū)業(yè)務(wù)發(fā)展副總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球、上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進中心負責人與復(fù)旦大學(xué)科技處處長龔新高昨天簽署產(chǎn)學(xué)研聯(lián)盟協(xié)議\\張帆攝 【本 報記者張帆上海九日電】上海集成電路技術(shù)與產(chǎn)業(yè)促進中心(

  • 陶氏電子材料獲得聯(lián)華電子公司的杰出供應(yīng)商獎

    費城--(美國商業(yè)資訊)--為全球半導(dǎo)體行業(yè)提供化學(xué)機械研磨(CMP)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者和創(chuàng)新者陶氏電子材料(Dow Electronic Materials)今日宣布其半導(dǎo)體技術(shù)業(yè)務(wù)獲得了聯(lián)華電子公司(UMC)頒發(fā)的2009年杰出供應(yīng)商獎。陶氏

  • 京元電 實施庫藏股

    京元電(2449)昨(9)日舉行董事會,決定再啟動實施庫藏股,估計將自集中市場買回1.5萬張股票,價格區(qū)間9.28元到20.58元,買回金額在3.08 億元到13.92億元間,是今年首家實施庫藏股的封測廠。 這也是京元電第九

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    2010-06-10
    電表
  • IEDM綜述:具備卓越性能的32nm制造工藝技術(shù)

    英特爾此次發(fā)布的32nm工藝制造技術(shù),在SoC用途方面具有卓越的性能。這一點與該公司在此次IEDM的其他論文中發(fā)布的個人電腦等高性能微處理器用32nm工藝制造技術(shù)相比一目了然。 采用此次發(fā)布的英特爾高性能微處理器制

  • 世界一流300mm半導(dǎo)體晶圓制造廠Qimonda尋找買家

    高力國際(Colliers International)旗下部門ATREG已被聘為Qimonda德國德累斯頓先進300mm生產(chǎn)園的出售顧問。該高度開放的生產(chǎn)園位于撒克遜州,擁有一個一流的300mm半導(dǎo)體晶圓制造廠,包括281種先進的前端半導(dǎo)體生產(chǎn)工具

  • 基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

    目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因,對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢,因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。

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    2010-06-10
    LED 金屬 反射 GAN
  • 基于PCI-9812的太赫茲成像數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計

    基于PCI-9812數(shù)據(jù)采集卡,針對P4-42熱釋電探測器,設(shè)計一個逐點掃描式的太赫茲成像數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。計算機通過掃描控制裝置中控制樣品的移動,使數(shù)據(jù)采集卡采集由P4-42熱釋電探測器探測到的太赫茲信號。再在計算機中根據(jù)采集到的信號重建被測物體的太赫茲圖像,可以實現(xiàn)樣品的運動控制、太赫茲信號采集以及圖像重建等功能。這對于太赫茲成像的實際應(yīng)用具有一定的意義。

  • 互感的原理與計算

    無論在何處,只要存在兩個電流回路,就會有互感。一個回路的電流產(chǎn)生一個磁場,而該磁場會影響第二個回路。兩個回路相互作用,其相互作用的系數(shù)隨距離的增加快速地減小。兩個回路之間相互作用的系數(shù)稱為它們的互感,

  • 端接電路之間的互容

    如果將“互容的測量”例中的電阻接地,將會發(fā)生什么呢?如果把“互容的測量”例中的每個電阻的一端接地,容性耦合噪聲電壓值大約除以6。直觀地來分析,如果用連接在兩個電阻正中間的寄生電容來表示這個互容,電阻RA的

  • 互容與串擾的關(guān)系

    假設(shè)已知一個互容的值為CM,電路的上升時間為T,接收電路的阻抗為RB,我們可以按驅(qū)動波形VA的相對值來估算串擾。首先求出波形VA的單位時間電壓變化的最大值,其中△V為驅(qū)動波形的階躍幅度,TR是驅(qū)動波形的上升時間:

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