Exar公司將出席于2010年6月2號(hào)在深圳會(huì)展中心開(kāi)幕的首屆“深圳集成電路創(chuàng)新應(yīng)用展”,展位號(hào)為#6106 ,此次展會(huì)上,Exar公司將為觀眾介紹自己領(lǐng)先的可編程數(shù)字電源- PowerXR 解決方案和接口解決方案。 Exar將為蒞臨
VLSI提高2010年IC銷(xiāo)售額由增長(zhǎng)22%調(diào)整為25%,而IC出貨量由增長(zhǎng)19%至24%。其主要理由是Q1的結(jié)果超出預(yù)期。實(shí)際上按公司說(shuō)法是Q1的結(jié)果把公司的IC模型推到拐點(diǎn),表示產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入超周期中。按公司最新報(bào)告IC增長(zhǎng)率可
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)ICInsights日前發(fā)布2010年第1季全球半導(dǎo)體廠排名,受惠于全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇,以及半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣揚(yáng)升,晶圓代工龍頭臺(tái)積電首季擠進(jìn)前5大廠行列,至于臺(tái)灣地區(qū)IC設(shè)計(jì)龍頭及股王聯(lián)發(fā)科,在全球
金融危機(jī)之后,全球最大的獨(dú)立半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè)臺(tái)積電(LSETMSD),在資本投資上越發(fā)“兇猛”,這家公司希望以規(guī)模優(yōu)勢(shì)拉大與競(jìng)爭(zhēng)者的地位,今年資本開(kāi)支預(yù)計(jì)達(dá)48億美金,并加速在LED產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)的投入。臺(tái)積電一
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)上市了與其他競(jìng)爭(zhēng)公司的產(chǎn)品相比耗電量約削減90%的3軸加速度傳感器IC“LIS3DH”。電源電壓(核心電路用)為+1.71~3.6V,耗電量最大僅為2μA(低功率模式時(shí))。目前,市場(chǎng)上能夠買(mǎi)
一線(xiàn)封測(cè)廠日月光(2311)、力成(6239)今年訂單滿(mǎn)檔,二線(xiàn)封測(cè)廠硅格(6257)也不遑多讓。 法人預(yù)估,在聯(lián)發(fā)科(2454)、雷凌(3534)等營(yíng)運(yùn)動(dòng)能持續(xù)增加,美商SMSC也竄升前五大客戶(hù)挹注下,硅格第二季營(yíng)收季增
包括基頻(Baseband)、應(yīng)用處理器(AP)、無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)(WiFi & Blutooth)等智能型手機(jī)或電子書(shū)內(nèi)建芯片,今年起全面性導(dǎo)入65/55奈米制程,讓臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)12吋廠滿(mǎn)載到第3季。由于65/55奈米芯片電路線(xiàn)
金融危機(jī)之后,全球最大的獨(dú)立半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè)臺(tái)積電(LSETMSD),在資本投資上越發(fā)“兇猛”,這家公司希望以規(guī)模優(yōu)勢(shì)拉大與競(jìng)爭(zhēng)者的地位,今年資本開(kāi)支預(yù)計(jì)達(dá)48億美金,并加速在LED產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)的投入。臺(tái)積電一
根據(jù)路透報(bào)導(dǎo),德州儀器(Texas Instruments)對(duì)中芯國(guó)際(SMIC)成都芯片廠與封測(cè)廠的收購(gòu)案已進(jìn)入最后階段,預(yù)計(jì)在1~2個(gè)月內(nèi)就會(huì)完成,但未透露實(shí)際收購(gòu)金額。 業(yè)內(nèi)人士估計(jì),2座廠房的資產(chǎn)總額約為5億美元。
金融危機(jī)之后,全球最大的獨(dú)立半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè)臺(tái)積電(LSE:TMSD),在資本投資上越發(fā) “兇猛”,這家公司希望以規(guī)模優(yōu)勢(shì)拉大與競(jìng)爭(zhēng)者的地位,今年資本開(kāi)支預(yù)計(jì)達(dá)48億美金,并加速在LED產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)的投入。
電路的功能近來(lái)出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì),而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代,因?yàn)門(mén)TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng),容易停振或
電路的功能要求振蕩頻率和輸出電平非常穩(wěn)定的正弦波振蕩電路,如采用普通CR振蕩電路,很難實(shí)現(xiàn),若采用本電路則可達(dá)到這一要求。使用低通濾波器可把方波轉(zhuǎn)換成正弦波,但波形失真取決于濾波器的截止特性,要想獲得低
放大電路/調(diào)諧電路和變頻電路的設(shè)計(jì) 放大電路/調(diào)諧電路設(shè)計(jì) 利用圖21決定偏壓用的電阻值。首先,決定R1與R2值,使VG1S=0.5V。假設(shè)R2=47KΩ時(shí),I1=VG1S/R2=(0.5/47)×10-3,則R1=5.5/I1=517KΩ在此,取R1=510KΩ。
電路的功能階梯是電壓隨時(shí)間增加而呈階梯狀變化的波形。也可以說(shuō)是一種用數(shù)字電路產(chǎn)生的斜率線(xiàn)性不好的波形。在本電路中,最多可輸出15個(gè)階梯的電壓,每級(jí)的平均時(shí)間由外部輸入的時(shí)鐘決定,輸出電壓的級(jí)差相等。如要
電路的功能作為函數(shù)發(fā)生器的振蕩器,很容易產(chǎn)生短脈沖串波。本電路不僅有普通的CR振蕩器和脈沖發(fā)生器,還有可產(chǎn)生短脈沖器的附加器電路。短脈沖波大多作為測(cè)量音響設(shè)備傳輸狀態(tài)或電子儀器動(dòng)態(tài)特性的信號(hào)源使用。電路