準(zhǔn)確可靠的電壓測(cè)量在大學(xué)物理教學(xué)中具有重要意義。在研究目前主流電壓表設(shè)計(jì)方案的基礎(chǔ)上,提出一種基于FPGA技術(shù)的新型數(shù)字電壓表的設(shè)計(jì)方法,極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)集成度和電路可靠性。以Altera公司高性價(jià)比的CycloneⅡ系列EP2C5T144芯片為控制核心,以較高性能的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器為信號(hào)采集芯片,完成電壓數(shù)據(jù)的采集、轉(zhuǎn)換、處理、顯示,并實(shí)現(xiàn)了檔位的自動(dòng)轉(zhuǎn)換和較寬的測(cè)量范圍。詳細(xì)討論儀表關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì)思路以及關(guān)鍵算法的實(shí)現(xiàn)步驟。測(cè)試結(jié)果表明,該儀表測(cè)量誤差不大于O.02 V,具有較高的測(cè)量精度,滿足教學(xué)實(shí)驗(yàn)中的電壓測(cè)量要求。
通富微電:擴(kuò)產(chǎn)為匹配富士通東芝封測(cè)需求2010年Q1,公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入3.9億元,同比增長100.1%,綜合毛利率為16.8%;實(shí)現(xiàn)營業(yè)利潤3,282萬元,凈利潤3,013萬元,同比上升2829.5%;基本每股收益為0.087元。BGA產(chǎn)品量產(chǎn)
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,法銀巴黎證券指出,臺(tái)積電因12吋產(chǎn)能大缺貨,正與歐日國際整合組件大廠(IDM)洽談買下設(shè)備產(chǎn)能。臺(tái)積電打的如意算盤是一方面借由買下12吋產(chǎn)能直接掌握客戶訂單,另一方面則在接下來的20納米高端制程
上海華虹NEC成立于1997年7月,資本額為9億美元,是大陸第1家8吋晶圓廠,目前擁有2條8吋生產(chǎn)線,月產(chǎn)能8.5萬片,客戶遍及大陸、臺(tái)灣、南韓、日本以及美國等。 上海華虹NEC的Power MOSFET和分離件組件(Discrete)制程
發(fā)展物聯(lián)網(wǎng),已成為世界各國占領(lǐng)后危機(jī)時(shí)代全球競爭制高點(diǎn)和轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式、調(diào)整優(yōu)化經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)的重要手段。溫總理在今年的《政府工作報(bào)告》中提出,我國要“大力培育戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),加快物聯(lián)網(wǎng)的研發(fā)應(yīng)用&rd
本周電子大廠法說匯聚,其中又以晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電最受矚目,第1季明顯淡季不淡,今(26)日法說行情跟著啟動(dòng),臺(tái)積電大漲約2.5%,聯(lián)電更大漲逾4%,雙雙躍上所有均線之上,成為今日多頭總司令。 晶圓代工大廠法說
臺(tái)積電將在今(27)日召開法人說明會(huì),法銀巴黎證券指出,臺(tái)積電因12吋產(chǎn)能大缺貨,正與歐日國際整合組件大廠(IDM)洽談買下設(shè)備產(chǎn)能。臺(tái)積電打的如意算盤是一方面藉由買下12吋產(chǎn)能直接掌握客戶訂單,另一方面則
士蘭微[17.31 2.55%](600460)董事長陳向東日前表示,公司計(jì)劃切入LED芯片的下游封裝業(yè)務(wù),進(jìn)一步提升LED業(yè)務(wù)的盈利水平。 陳向東介紹,公司子公司杭州士蘭明芯科技有限公司的LED芯片制造業(yè)務(wù),已經(jīng)成為公司穩(wěn)定
IC晶片正在持續(xù)微縮,但導(dǎo)線架的小型化看來卻已達(dá)到極限了,這導(dǎo)致連接二者的金導(dǎo)線正在逐步增加其長度。更長的導(dǎo)線意味著消耗的金屬更多、成本更高,同時(shí)也會(huì)對(duì)接合的可靠性帶來損害。如果因線徑增加而提升了金線
德國英飛凌科技與美國飛兆半導(dǎo)體宣布,雙方就功率MOSFET用封裝達(dá)成合作伙伴協(xié)議。 合作的封裝是英飛凌的“PowerStage 3x3”及飛兆的“MLP 3x3(Power33)”。據(jù)稱,此次合作旨在避免該封裝供貨上的風(fēng)險(xiǎn),該封裝集
DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析,晶圓代工市場(chǎng)新秀GlobalFoundries挾著阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(Advanced Technology Investment Co.,ATIC)雄厚資金來勢(shì)洶洶,在12吋產(chǎn)能擴(kuò)充一舉超越聯(lián)電(UMC),成為全球擁
半導(dǎo)體及微電子市場(chǎng)高新技術(shù)創(chuàng)新公司Brewer Science宣布公司在美國獲得了一項(xiàng)新專利,該專利是關(guān)于一種新型光感化合物,在MEMS器件的制造過程中可用作保護(hù)層。 Brewer Science, Inc., Issued U.S. Patent for Protec
合肥光源滿能量注入系統(tǒng)升級(jí)所需沖擊磁鐵設(shè)計(jì)參數(shù)分別為注入束流能量800 MeV;偏轉(zhuǎn)角度6.895 mrad;峰值磁感應(yīng)強(qiáng)度0.096 T;電感0.5H;峰值電流3 100 A;脈沖波形底寬800 ns~3.5us。依據(jù)該設(shè)計(jì)參數(shù)對(duì)下面幾種脈
較窄的脈沖波形一般由傳輸線型脈沖發(fā)生器產(chǎn)生[3 ,4 ] 。脈沖傳輸線可用沿線分布的4 個(gè) 參數(shù)表示,即電阻R 、電感L 、電容C 和線與線之間的電導(dǎo)G。這些參數(shù)若沿線均勻分布,則稱為均勻傳輸線,可用單位長度的參數(shù)R0 、L
矩形脈沖發(fā)生器和方波的區(qū)別在于,方波的高電平和低電平所占時(shí)間相等(即占空比為50%),而矩形脈沖則不等。圖5.3-35是一個(gè)占空比可調(diào)的矩形脈沖發(fā)生器電路及其工作波形,其工作原理方波發(fā)生器見圖5.3-34,。該電路利