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英飛凌與飛兆對功率MOSFET用封裝實行通用化

時間：2010-04-27 07:21:00

關(guān)鍵字：封裝英飛凌功率MOSFET 飛兆

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[導(dǎo)讀]德國英飛凌科技與美國飛兆半導(dǎo)體宣布，雙方就功率MOSFET用封裝達成合作伙伴協(xié)議。合作的封裝是英飛凌的“PowerStage 3x3”及飛兆的“MLP 3x3（Power33）”。據(jù)稱，此次合作旨在避免該封裝供貨上的風(fēng)險，該封裝集

德國英飛凌科技與美國飛兆半導(dǎo)體宣布，雙方就功率MOSFET用封裝達成合作伙伴協(xié)議。

合作的封裝是英飛凌的“PowerStage 3x3”及飛兆的“MLP 3x3（Power33）”。據(jù)稱，此次合作旨在避免該封裝供貨上的風(fēng)險，該封裝集成有3～20A的DC－DC轉(zhuǎn)換器用非對稱MOSFET、雙MOSFET及單MOSFET。

“由功率MOS FET用封裝的標(biāo)準(zhǔn)化，可將市場上流通的‘單獨’封裝控制在最小數(shù)量，同時還能提供較此前更小及性能更高的解決方案”（英飛凌）。

“通過封裝引腳配置的標(biāo)準(zhǔn)化及性能互補，兩公司可面向計算機市場、電信市場及服務(wù)器市場，提供高效率解決方案。另外，通過該封裝的標(biāo)準(zhǔn)化，還可通過兩個供應(yīng)商以業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝提供高性能產(chǎn)品”（飛兆）。（記者：小島郁太郎）

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