東芝正式宣布將開始建設之前延期的NAND型閃存量產線。預定于2010年7月開始建設四日市工廠的第五生產車間(Fab5),2011年春季竣工,最早將在2011年夏季投產?,F在,作為NAND量產線東芝已啟動了四日市工廠的第四生產車
在半導體內存行業(yè),美國美光科技(MicronTechnology)的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶(NumonyxB.V.)。除DRAM、NAND閃存外,該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP(Multi-chipPacka
一張掛在英特爾上海辦公室和英特爾中國執(zhí)行董事戈峻的一張PPT中的“圖紙”,“泄露”了英特爾大連芯片廠未來布局。昨日,CNET科技資訊網記者在英特爾大連芯片廠采訪了大連市副市長戴玉林與英特爾大連芯片廠總經理柯必
近期由于半導體產業(yè)復蘇,多數晶圓廠產能吃緊,據臺灣媒體報道近期博通、阿爾特拉、高通、英偉達等公司高管,紛紛利用到臺灣參加全球半導體聯盟理事會之便拜訪臺積電董事長張忠謀,希望臺積電能夠盡力提高產能滿足需
根據DRAMeXchange的預測,從今年到2012年,DRAM產業(yè)供給方面在產能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限,以及40nm以下制程轉進難度高影響下,位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復蘇,帶動消費者及企業(yè)換機潮,以及智
三星電子(SamsungElectronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時,雖然三星官方指出影響不大,但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張,甚至傳出高容量32GbNANDFlash芯片亦受影響,尤其目前包括MobileRAM、SDRAM和NORF
道瓊社25日報導,三星電子(Samsung Electronics)表示,截至臺北時間25日下午3時為止,南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示,目前尚未找出跳電的
英特爾成都工廠今天宣布正式投產最先進的2010全新酷睿移動處理器。此外,成都工廠將在今年下半年建設成為英特爾全球集中進行晶圓預處理的三大工廠之一。晶圓預處理工廠主要負責對晶圓進行第一次加工,將晶圓打磨、分
開始投產的支持200mm晶圓的工廠。德國羅伯特·博世的數據。(點擊放大)前工序的一部分。德國羅伯特·博世的數據。(點擊放大)等離子蝕刻工序。德國羅伯特·博世的數據。(點擊放大) 德國羅伯特·博世(Robert Bosch Gmb
據報道,華碩今天宣布旗下主流筆記本、Eee PC上網本和Eee Box迷你機將全面部署USB 3.0接口。華碩表示,其主板上配備的PLX橋接芯片可進一步提高帶寬,使得USB 3.0接口的傳輸速度比其它競爭對手的產品提高了74.38%。其
幾個月前,Intel便已經明確表態(tài)稱其下一代6系列芯片組不會內含USB3.0支持功能,不過最近據悉他們似乎準備推出一款獨立的USB3.0控制器產 品,以便彌補自己產品的不足。根據Xbit網站的報道,USB3.0控制器的廠商NEC公司
市場傳出,半導體暨太陽能硅晶圓廠中美硅晶轉投資的美國Globitech,近期將開董事會,可望通過在美國德州設太陽能模塊廠以利承接當地太陽能系統(tǒng)案,外傳中美硅晶正與德州政府洽談1筆30~50百萬瓦(MWp)的太陽能系統(tǒng)案,
LED封裝廠佰鴻公布2009年財報,全年營收約新臺幣43.21億元,營業(yè)毛利為7.23億元,毛利率約17%,稅后盈余為2.4億元,每股稅后盈余(EPS)為1.24元,展望2010年,佰鴻透過私募已陸續(xù)引進臺達電、英業(yè)達認購,且在大尺寸L
德國羅伯特·博世(Robert Bosch GmbH)在該公司位于羅伊特林根的生產基地內建設的支持200mm晶圓的工廠現已開始投產。此次的200mm晶圓工廠的目標是大幅擴大汽車業(yè)務及消費類產品業(yè)務,將其培育成新業(yè)務支柱。 該
新民網報導,由美光科技(Micron Inc.)投資3億美元建設的半導體測試產線近日在西安高新區(qū)開工建設,是美光繼05年在西安高新區(qū)投資建設半導體封裝測試生產基地以來的又一重大項目,建成后將成為包括固態(tài)硬盤、發(fā)光二極