[導讀]道瓊社25日報導，三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的
道瓊社25日報導，三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺北時間25日下午3時為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導體廠房跳電造成的影響其實不大，主因多數面臨沖擊者為非內存生產線。
Yonhap News于南韓時間24日下午7時48分報導，三星電子器興市半導體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在當地時間下午2時30分左右斷電，并在3時35分、5時38分恢復電力。三星表示，上述廠房的核心生產運作并未中斷，主因廠房設有不斷電系統(tǒng)(UPS)。此外，該公司正在調查斷電原因以及對生產的損害程度。
受到三星電子半導體廠房跳電的影響，DRAM、NAND型閃存現(xiàn)貨報價走勢強勁。根據集邦科技(DRAMeXchange)報價，截至臺北時間25日下午6時為止，DDR3 1Gb 128Mx8 1333MHz勁揚2.46%，報3.08美元；NAND 64Gb 8Gx8 MLC漲1.12%，報15.26美元
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