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芯片業(yè)提前反彈廠商對(duì)65nm代工需求突增

關(guān)于全球經(jīng)濟(jì)的景氣趨勢(shì)，經(jīng)濟(jì)學(xué)家的預(yù)測(cè)有時(shí)是不準(zhǔn)的。像2009年初期大家都比較悲觀，現(xiàn)在看來，由于全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的力道較預(yù)期強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)2010年就可超越2008年表現(xiàn)，這要?dú)w功于中國(guó)的山寨產(chǎn)品。而臺(tái)積電在庫(kù)存管理方

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2010-01-19

芯片 65NM 臺(tái)積電 EDA
新系列MEMS加速計(jì)突破尺寸和功耗極限

意法半導(dǎo)體發(fā)布新系列三軸數(shù)字加速計(jì)的產(chǎn)品細(xì)節(jié)。新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最小的占板面積、大幅降低的電流消耗和增強(qiáng)的功能。意法半導(dǎo)體在加速計(jì)設(shè)計(jì)方面取得了最新進(jìn)步，將傳感器尺寸縮小到2 x 2mm，100Hz采樣率時(shí)的功耗降

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2010-01-19

意法半導(dǎo)體編程 MEMS BSP
用工頻波作為編碼的光電型位置檢測(cè)電路

采用上述光電型位置檢測(cè)電路后，整個(gè)電路相對(duì)客戶原MCU方案大幅簡(jiǎn)化，BOM成本降低一半左右，并且產(chǎn)品功耗大幅減低，穩(wěn)定程度大幅度提高，各種惡劣環(huán)境下都不會(huì)發(fā)生誤判現(xiàn)象，此外生產(chǎn)測(cè)試程序也大幅度簡(jiǎn)化，顯著提高了產(chǎn)品的綜合性能。

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2010-01-19

光電編碼工頻位置檢測(cè)
集成電路相關(guān)參數(shù)和故障表現(xiàn)

集成電路各項(xiàng)參數(shù)一般對(duì)分析電路的工作原理作用不大，但對(duì)于電路的故障分析與檢修卻有不可忽視的作用。在維修實(shí)踐中，絕大多數(shù)均無廠家提供的IC參數(shù)，但了解集成電路相關(guān)知識(shí)對(duì)檢修工作仍有一定的幫助。 1.電參數(shù)

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2010-01-19

集成電路引腳噪聲直流電壓
巧焊場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路

焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

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2010-01-19

集成場(chǎng)效應(yīng)管 CMOS CMOS集成電路
臺(tái)積電與聯(lián)電大客戶賽靈思合作28納米產(chǎn)品

外電引用分析師資訊指出，聯(lián)電大客戶賽靈思（Xilinx）3月可能宣布與臺(tái)積電展開28納米制程合作；臺(tái)積電28納米已確定取得富士通微電子、高通訂單，若再與賽靈思合作，將對(duì)聯(lián)電等同業(yè)的先進(jìn)制程構(gòu)成極大壓力。外電引用B

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2010-01-19

先進(jìn)制程聯(lián)電賽靈思臺(tái)積電
大日本印刷開發(fā)出銅線用量減半的金屬布線膜

大日本印刷開發(fā)出了可使引線鍵合工序中的銅線用量減至原來約1/2的金屬布線膜。將于2010年6月開始面向QFP（quad flat package）銷售。大日本印刷稱，由于銅價(jià)上漲等因素，“訂單相當(dāng)多”。大日本印刷力爭(zhēng)2010年度銷售

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2010-01-19

金屬布線 IC芯片 PACKAGE
擁有TSV硅轉(zhuǎn)接板封裝實(shí)用化加速

大日本印刷（DNP）為促進(jìn)采用TSV（硅通孔）的硅轉(zhuǎn)接板（Interposer）封裝技術(shù)的實(shí)用化，于2010年1月推出了設(shè)計(jì)評(píng)測(cè)用標(biāo)準(zhǔn)底板。該公司此前曾為不同項(xiàng)目個(gè)別提供過評(píng)測(cè)底板，而此次標(biāo)準(zhǔn)底板的價(jià)格為原來的一半以下。并

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2010-01-19

封裝高頻特性 LSI INTER
聯(lián)電茂硅訂單追產(chǎn)能爆

中小尺寸晶圓代工廠產(chǎn)能塞爆，聯(lián)電（2303）、茂硅（2342）、漢磊（5326）等6吋晶圓代工產(chǎn)線，都打破傳統(tǒng)淡季束縛沖上滿載，面臨「客戶追著跑」窘境，國(guó)內(nèi)6吋晶圓代工龍頭茂硅訂單能見度達(dá)本季末，因而延后歲修計(jì)劃。

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2010-01-19

晶圓代工聯(lián)電 LED 模擬IC
面板助燃晶圓火熱

在晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電陸續(xù)釋出晶圓代工景氣樂觀展望后，中、小尺寸晶圓廠營(yíng)運(yùn)逐步轉(zhuǎn)強(qiáng)，也讓晶圓代工產(chǎn)業(yè)活絡(luò)氣氛更加確立。中小尺寸晶圓代工技術(shù)多屬成熟制程，全球幾乎已無業(yè)者大幅新增產(chǎn)能，反倒還有部分歐

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2010-01-19

晶圓代工晶圓臺(tái)積電
員工分紅市價(jià)課稅聯(lián)電：三月中討論

企業(yè)員工股票分紅所得今年起將按市價(jià)課稅，臺(tái)積（2330）今年起員工分紅將全發(fā)現(xiàn)金、聯(lián)發(fā)科員工現(xiàn)金分紅從15%提高到50%，聯(lián)電（2303）表示，將等到三月中董事會(huì)討論。

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2010-01-19

聯(lián)發(fā)科聯(lián)電
臺(tái)積電員工分紅全部采用現(xiàn)金形式：不再發(fā)股票

臺(tái)積電決定從今年起，員工分紅100%以現(xiàn)金發(fā)放，不再發(fā)放股票。臺(tái)積電表示，今年起，員工分紅全以現(xiàn)金發(fā)放，是衡量外在環(huán)境變化的結(jié)果。臺(tái)積電從上市以來，實(shí)施員工股票分紅制長(zhǎng)達(dá)15年，這也是臺(tái)灣科技業(yè)一直用來激勵(lì)

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2010-01-19

聯(lián)發(fā)科電表 EPS 臺(tái)積電
晶圓廠產(chǎn)能不足　MOSFET供貨警報(bào)響

臺(tái)晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動(dòng)作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急

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2010-01-19

半導(dǎo)體晶體管 MOSFET 晶圓廠
臺(tái)積電與聯(lián)電大客戶賽靈思合作28納米產(chǎn)品

外電引用分析師資訊指出，聯(lián)電大客戶賽靈思（Xilinx）3月可能宣布與臺(tái)積電展開28納米制程合作；臺(tái)積電28納米已確定取得富士通微電子、高通訂單，若再與賽靈思合作，將對(duì)聯(lián)電等同業(yè)的先進(jìn)制程構(gòu)成極大壓力。外電引用B

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2010-01-19

先進(jìn)制程聯(lián)電賽靈思臺(tái)積電
宏力半導(dǎo)體推出45V LDMOS電源管理制程

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，日前發(fā)布了基于其穩(wěn)定的0.18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45V LDMOS電源管理制程。與傳統(tǒng)線寬相比，0.18微米邏輯平臺(tái)使得更高集成度的數(shù)字電路成為可能，從而可以適用于SoC和智能

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2010-01-18

半導(dǎo)體器件電源管理 LDMOS

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芯片業(yè)提前反彈廠商對(duì)65nm代工需求突增

新系列MEMS加速計(jì)突破尺寸和功耗極限

用工頻波作為編碼的光電型位置檢測(cè)電路

集成電路相關(guān)參數(shù)和故障表現(xiàn)

巧焊場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路

臺(tái)積電與聯(lián)電大客戶賽靈思合作28納米產(chǎn)品

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擁有TSV硅轉(zhuǎn)接板封裝實(shí)用化加速

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面板助燃晶圓火熱

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