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利用復(fù)位端以及預(yù)置端構(gòu)成的模6計(jì)數(shù)器電路

利用復(fù)位端構(gòu)成的模6計(jì)數(shù)器電路利用集成計(jì)數(shù)器的預(yù)置端和復(fù)位端可以構(gòu)成任意模計(jì)數(shù)器。下圖所示依次是利用74163和74192構(gòu)成的模6計(jì)數(shù)器，工作波形圖如圖。利用預(yù)置端構(gòu)成的模六計(jì)數(shù)器

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2010-01-13

計(jì)數(shù)器電路集成
MAX5965,MAX5965A, MAX5965B應(yīng)用電路

5965A/MAX5965B是四路、單芯片、-48V電源控制器，設(shè)計(jì)用于IEEE® 802.3af標(biāo)準(zhǔn)/pre-IEEE 802.3at兼容供電設(shè)備(PSE)。這兩款器件提供用電設(shè)備(PD)偵測(cè)、分級(jí)、限流以及直流和交流負(fù)載斷開(kāi)檢測(cè)，滿足IEEE 802.3af標(biāo)準(zhǔn)

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2010-01-13

器件軟件應(yīng)用電路端口
在MAXQ8913微控制器中從RAM執(zhí)行應(yīng)用程序

MAXQ8913及其它MAXQ®微控制器采用的Harvard存儲(chǔ)器映射架構(gòu)為用戶提供了極大的靈活性，可根據(jù)需要將不同的物理內(nèi)存(例如數(shù)據(jù)SRAM)映射為程序或數(shù)據(jù)內(nèi)存空間。在特定環(huán)境下，從數(shù)據(jù)SRAM執(zhí)行一個(gè)程序的部分代碼能夠

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2010-01-13

微控制器 RAM 應(yīng)用程序 BSP
MAX9382在鎖相環(huán)中的應(yīng)用

該應(yīng)用筆記討論了鑒頻鑒相器的指標(biāo)對(duì)鎖相環(huán)(PLL)死區(qū)及抖動(dòng)性能的影響。在使用電荷泵環(huán)路濾波的PLL設(shè)計(jì)中，通過(guò)產(chǎn)生具有最小脈寬的鑒相輸出脈沖，可以減輕PLL的死區(qū)效應(yīng)和相關(guān)的鎖相環(huán)抖動(dòng)。鎖相環(huán)廣泛用于電信行業(yè)

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2010-01-13

鎖相環(huán) 函數(shù) 電荷泵脈沖寬度
一種帶有運(yùn)動(dòng)檢測(cè)功能的無(wú)線圖像監(jiān)控終端

介紹了監(jiān)控終端系統(tǒng)的構(gòu)成，重點(diǎn)闡述圖像采集、運(yùn)動(dòng)檢測(cè)和GPRS無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸?shù)膶?shí)現(xiàn)方法，將感興趣的監(jiān)控圖像傳輸至監(jiān)控中心，從而大大減少GPRS傳輸?shù)臄?shù)據(jù)流量，降低了成本，減輕了監(jiān)控人員的工作強(qiáng)度。

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2010-01-13

無(wú)線圖像監(jiān)控終端 BSP
APD非線性響應(yīng)補(bǔ)償

激光模塊需對(duì)雪崩光電二極管(APD)的非線性響應(yīng)進(jìn)行補(bǔ)償。本應(yīng)用筆記以DS1875 SFP控制器為例，探討如何使用Maxim的光控制器完成非線性補(bǔ)償。 APD特性光模塊采用基于雪崩光電二極管(APD)的光接收器支持高靈敏度設(shè)計(jì)。

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2010-01-13

控制器線性 PD RS
ADL5535以及ADL5536應(yīng)用電路

ADL5535應(yīng)用電路 (評(píng)估板參考電路)Figure 10 shows the schematic for the ADL5535 evaluation board. The board is powered by a single 5 V supply. The components used on the board are listed in Table 4. Pow

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2010-01-13

應(yīng)用電路 AD BOARD SUPPLY
旋轉(zhuǎn)變壓器的位置檢測(cè)電路與萬(wàn)用表AC/DC(交流直接)自動(dòng)轉(zhuǎn)換電路

旋轉(zhuǎn)變壓器的位置檢測(cè)電路由于旋轉(zhuǎn)變壓器的輸出是包含著位置信息的模擬信號(hào)，需對(duì)其進(jìn)行處理并將其轉(zhuǎn)化為對(duì)應(yīng)的包含著位置信息的數(shù)字量，才能與DSP等控制芯片接口。這就需要設(shè)計(jì)相應(yīng)的信號(hào)轉(zhuǎn)換電路或使用專用的旋轉(zhuǎn)變

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2010-01-13

萬(wàn)用表轉(zhuǎn)換電路旋轉(zhuǎn)變壓器位置檢測(cè)
肖特基二極管的結(jié)構(gòu)與封裝及應(yīng)用

肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材

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2010-01-13

金屬封裝單管肖特基二極管
WI-FI外設(shè)的音頻參考設(shè)計(jì)(科勝訊&Ozmo Devices)

科勝訊系統(tǒng)公司和Ozmo Devices 共同宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)揚(yáng)聲器和免提電話參考設(shè)計(jì)。新的解決方案基于科勝訊創(chuàng)新的 CX2070X 音頻系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）產(chǎn)品系列和 OZMO1000 超低功耗 Wi-Fi PAN SoC。科勝訊的 CX2070X SoC 采用專

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2010-01-13

Wi-Fi 音頻 DEVICES
臺(tái)積電與富士通合作開(kāi)發(fā)28納米芯片

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，富士通旗下富士通微電子近期將派遣10到15名工程師與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)28納米芯片，臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年底將出貨富士通相關(guān)產(chǎn)品。臺(tái)積電28納米去年已與富士通微電子共同宣布，雙方同意以臺(tái)積電先進(jìn)的技術(shù)平

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2010-01-13

富士通微電子臺(tái)積電納米芯片
FCI任命副總裁

自2010年1月1日起，Christophe Duverne被任命為FCI副總裁兼微連接部門總經(jīng)理，并加入FCI執(zhí)行委員會(huì)。 FCI董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官Pierre Vareille表示：“我堅(jiān)信，Christophe對(duì)智能卡和RFID（射頻識(shí)別）產(chǎn)業(yè)的深刻了解將令

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2010-01-13

智能卡 ST TOP FCI
Christophe Duverne被任命為FCI副總裁兼微連接部門總經(jīng)理

自2010年1月1日起，Christophe Duverne被任命為FCI副總裁兼微連接部門總經(jīng)理，并加入FCI執(zhí)行委員會(huì)。FCI董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官Pierre Vareille表示：“我堅(jiān)信，Christophe對(duì)智能卡和RFID(射頻識(shí)別)產(chǎn)業(yè)的深刻了解將

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2010-01-13

智能卡 ST TOP FCI
德信無(wú)線聯(lián)手華旗資訊推運(yùn)動(dòng)傳感器游戲

1月12日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，中國(guó)德信無(wú)線通訊科技有限公司(China TechFaith Wireless Communication Technology Limited)與華旗資訊數(shù)碼科技有限公司(Huaqi Information Digital Technology Co. Ltd.)于本周二宣布

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2010-01-13

無(wú)線移動(dòng) 傳感器技術(shù) 運(yùn)動(dòng)傳感器
高通與臺(tái)積電攜手開(kāi)發(fā)28nm工藝，2010年中期委托臺(tái)積電生產(chǎn)

美國(guó)高通（Qualcomm）與臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）將就28nm邏輯LSI的工藝開(kāi)發(fā)與制造展開(kāi)合作。臺(tái)積電計(jì)劃從2010年中期開(kāi)始為高通量產(chǎn)28nm產(chǎn)品。高通將在該公司的便攜終端用芯片組“Snapdragon”等產(chǎn)品上采用28nm工藝。

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2010-01-13

臺(tái)積電絕緣柵極

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