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一種大電流高輸出阻抗電流鏡的設(shè)計(jì)

0 引言電流鏡(CM)是模擬集成電路中最基本的單元電路之一。它是一種能將電路中某一支路的參考電流在其他支路得以重現(xiàn)或復(fù)制的電路，能減少電壓變化和溫度變化帶來的誤差，其性能對整個電路乃至系統(tǒng)的性能都有重

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2009-12-24

輸出阻抗電流 BSP 放大器
高速串行連接火爆推動保障性技術(shù)創(chuàng)新和市場發(fā)展

隨著USB和HDMI等等高速串行接口技術(shù)和產(chǎn)品開始向5G等超高傳輸速度方向發(fā)展，與之相配套的相關(guān)技術(shù)的重要性也日趨突出，并也帶來了芯片等行業(yè)新的市場機(jī)會。如高速串行傳輸與“傳統(tǒng)”并行架構(gòu)之間的橋接和轉(zhuǎn)

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2009-12-24

視頻監(jiān)控高速串行 PCIE PERICOM
安捷倫發(fā)表新一代高帶寬實(shí)時示波器

安捷倫科技(Agilent Technologies)日前宣布新一代高帶寬示波器，該設(shè)備采用具有磷化銦(InP)技術(shù)的前端芯片組，可提供突破性的功能。這款新芯片組有助于使安捷倫得以在2010上半年推出模擬帶寬高于16GHz的示波器。

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2009-12-24

安捷倫高帶寬實(shí)時示波器 HZ
搶人先養(yǎng)人！臺積電與清華大學(xué)合作65/90納米制程晶圓共乘

臺積電繼宣布明年調(diào)薪15%，強(qiáng)化人才誘因， 23日又宣布與北京清華大學(xué)合作，共同邀請?jiān)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域表現(xiàn)杰出的清大校友，在2010年舉辦一系列半導(dǎo)體創(chuàng)新人才演講及座談會，并提供清大先進(jìn)65納米與90納米制程晶圓共乘服務(wù)

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2009-12-24

芯片晶圓臺積電 3G手機(jī)
中芯國際財(cái)務(wù)總監(jiān)吳曼寧：2010年中芯有機(jī)會虧轉(zhuǎn)盈

中芯國際目前正處于非常時期，在新任執(zhí)行長王寧國上任后全力沖刺轉(zhuǎn)虧為盈，試圖集全力發(fā)揮中芯在大陸本土的地利優(yōu)勢，與過去幾年擴(kuò)充產(chǎn)能所打下的基礎(chǔ)。前任執(zhí)行長張汝京即便在離職前，也都對中芯未來轉(zhuǎn)虧為盈信心不

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2009-12-24

中芯國際半導(dǎo)體市場晶圓廠
搶人先養(yǎng)人！臺積電與北京清大合作65/90奈米制程晶圓共乘

臺積電(2330-TW)繼宣布明年調(diào)薪15%，強(qiáng)化人才誘因，今(23)日又宣布與北京清華大學(xué)合作，共同邀請?jiān)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域表現(xiàn)杰出的清大校友，在2010年舉辦一系列半導(dǎo)體創(chuàng)新人才演講及座談會，并提供清大先進(jìn)65奈米與90奈米制程

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2009-12-23

芯片晶圓臺積電 3G手機(jī)
新加坡特許將逐步與GlobalFoundries合并

剛剛被阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)正式完成收購，新加坡特許半導(dǎo)體就已經(jīng)開始了與GlobalFoundries的合并，最終將成為后者的一部分。GlobalFoundries是AMD的芯片制造業(yè)務(wù)拆分而來的新公司，今年3月初正式啟

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2009-12-23

半導(dǎo)體新加坡 GLOBALFOUNDRIES
太陽能線纜連接器鎖緊套環(huán)(Tyco)

作為久負(fù)盛名的SOLARLOK品牌太陽能線纜連接器的配件，這款全新的連接器鎖緊套環(huán)能夠應(yīng)用于配套連接器，以防止其發(fā)生失誤或者意外斷開情況。該套環(huán)能夠在配套連接器上鎖死，可以避免觸及配套連接器上的釋放裝置。該產(chǎn)

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2009-12-23

太陽能線纜連接器 SOLAR
傳中芯棄守成芯、新芯王寧國辟謠

傳中芯國際要舍棄代管成都成芯、武漢新芯，此謠傳已引發(fā)武漢地方政府跳腳，要求中芯講清楚、說明白。中芯執(zhí)行長王寧國對此謠傳亦相當(dāng)震怒，將在近日親自赴武漢與當(dāng)?shù)卣吻?、溝通。王寧國說，他本人不知道為何有這

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2009-12-23

中芯國際中芯晶圓廠新加坡
中國集成電路業(yè)：發(fā)展模式轉(zhuǎn)型內(nèi)需拉動回升

2007年第一季度-2009年第三季度中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額規(guī)模及增長數(shù)據(jù)來源：CSIA 2009年，在整體大環(huán)境不利的情況下，中國集成電路業(yè)不可避免地出現(xiàn)了一定幅度的下滑。但隨著國家各項(xiàng)激勵政策的出臺，中國集成電路

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2009-12-23

核心技術(shù) 中國集成電路集成電路產(chǎn)業(yè) 集成電路設(shè)計(jì)業(yè)
東芝、爾必達(dá)提高半導(dǎo)體事業(yè)資本支出

自2009年夏季起全球半導(dǎo)體市場需求回溫，日本半導(dǎo)體大廠增資動作亦轉(zhuǎn)趨積極。日本經(jīng)濟(jì)新聞報導(dǎo)指出，東芝(Toshiba)將與美國業(yè)者共同投資1，500億日圓(約16億美元)于NANDFlash事業(yè)，提高約4成產(chǎn)能；爾必達(dá)(Elpida)亦計(jì)

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2009-12-23

半導(dǎo)體東芝爾必達(dá) NANDFLASH
海力士發(fā)表40納米制程繪圖芯片DRAM

韓國存儲器廠海力士(Hynix)于2009年12月20日發(fā)表40納米制程2GbGDDR5繪圖芯片DRAM，工作頻寬為7Gbps，32位元I/O通道，數(shù)據(jù)處理速率每秒28GB/s，電壓為1。35V。新推出的GDDR5繪圖DRAM采用海力士40納米制程制造，體積

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2009-12-23

DRAM 芯片 40納米海力士
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)將功耗尺寸成本銳降75%（TI）

德州儀器 (TI) 宣布推出一款在 2.2 V 電壓下電源流耗僅為 600 uA 的完整型片上數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) (DAS) 100 kSPS ADS8201，與獨(dú)立實(shí)施方案相比，該產(chǎn)品可節(jié)省高達(dá) 75% 的功耗。ADS8201 在同一器件中高度集成了具備 4 顆芯

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2009-12-23

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) ADS OPA
16位8通道同時采樣ADC(Maxim)

Maxim推出8通道、16位、同時采樣ADC MAX11046。器件采用獨(dú)特的架構(gòu)(專利申請中)產(chǎn)生一路噪聲極低的片內(nèi)負(fù)電壓。這種創(chuàng)新架構(gòu)能夠在單路外部正電源供電、高阻雙極性輸入條件下實(shí)現(xiàn)真正的16位性能，優(yōu)于IEC 62053標(biāo)準(zhǔn)規(guī)

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2009-12-23

器件緩沖器 ADC MAXIM
ADI公司完成制造工廠戰(zhàn)略性升級改造計(jì)劃

美國和愛爾蘭晶圓廠已提前完成升級改造計(jì)劃充足的庫存和擴(kuò)充的產(chǎn)能可確保為客戶帶來快捷的交貨周期Analog Devices, Inc.最近成功完成了對專有模擬、混合信號和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級和改進(jìn)，目的是降

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2009-12-23

高性能模擬 MEMS ADI ADAM

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一種大電流高輸出阻抗電流鏡的設(shè)計(jì)

高速串行連接火爆推動保障性技術(shù)創(chuàng)新和市場發(fā)展

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