[導(dǎo)讀]韓國存儲器廠海力士(Hynix)于2009年12月20日發(fā)表40納米制程2GbGDDR5繪圖芯片DRAM,工作頻寬為7Gbps,32位元I/O通道,數(shù)據(jù)處理速率每秒28GB/s,電壓為1。35V。
新推出的GDDR5繪圖DRAM采用海力士40納米制程制造,體積
韓國存儲器廠海力士(Hynix)于2009年12月20日發(fā)表40納米制程2GbGDDR5繪圖芯片DRAM,工作頻寬為7Gbps,32位元I/O通道,數(shù)據(jù)處理速率每秒28GB/s,電壓為1。35V。
新推出的GDDR5繪圖DRAM采用海力士40納米制程制造,體積小,功耗比50納米制程產(chǎn)品下降20%。海力士預(yù)計在2010年下半開始量產(chǎn)新款GDDR5DRAM。





