DRAM廠2009年脫離財(cái)務(wù)危機(jī),營(yíng)運(yùn)開始累積現(xiàn)金后,募資能力也是強(qiáng)弱分明,攸關(guān)未來(lái)長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力,其中南亞科以私募、現(xiàn)金增資和聯(lián)貸合計(jì)募資超過(guò)新臺(tái)幣400億元,是2009年最佳的搶錢王,以目前制程微縮的進(jìn)度來(lái)看,南亞科
分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開關(guān)速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結(jié)果表明:這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開關(guān)時(shí)間,提高器件的動(dòng)態(tài)性能。
設(shè)計(jì)一種實(shí)用的八位的競(jìng)賽搶答器,為學(xué)習(xí)電子的人提供一種電路的分析和設(shè)計(jì)方法,采用了電路系統(tǒng)的分析方法對(duì)實(shí)用電子技術(shù)電路進(jìn)行分析和設(shè)計(jì),最終得出一種創(chuàng)新的應(yīng)用型電路。
現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)器件廣泛用于數(shù)字信號(hào)處理領(lǐng)域.而使用VHDL或VerilogHDL語(yǔ)言進(jìn)行設(shè)計(jì)的難度較大。提出一種采用DSP Builder實(shí)現(xiàn)FIR濾波器的設(shè)計(jì)方案,按照Matlab/Simulink/DSP Builder/Modelsim/QuartusⅡ的設(shè)計(jì)流程,設(shè)計(jì)一個(gè)16階的FIR低通濾波器,并完成了軟硬件的仿真與驗(yàn)證。結(jié)果表明,該方法簡(jiǎn)單易行,可滿足設(shè)計(jì)要求,它驗(yàn)證了采用DSP Builder實(shí)現(xiàn)濾波器設(shè)計(jì)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
目前,線陣CCD圖像傳感器的種類很多,驅(qū)動(dòng)時(shí)序的產(chǎn)生方法也是多種多樣。CCD時(shí)序驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是CCD應(yīng)用的關(guān)鍵,只有設(shè)計(jì)出符合要求的驅(qū)動(dòng)時(shí)序,CCD器件才能穩(wěn)定可靠的工作。常用的驅(qū)動(dòng)方法存在某些缺點(diǎn)。在詳細(xì)了解線陣CCD器件μPD795,分析其驅(qū)動(dòng)時(shí)序與電路邏輯后,沒有使用常規(guī)方法,而是使用CPLD進(jìn)行功能的實(shí)現(xiàn)。該方法采用CPLD產(chǎn)生驅(qū)動(dòng),按要求寫好VHDL代碼產(chǎn)生可執(zhí)行文件.通過(guò)JTAG接口下載到可編程器件中。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該電路穩(wěn)定可靠,在線陣CCD驅(qū)動(dòng)電路中具有一定的代表性。
在全球電子產(chǎn)業(yè)遭受一片重創(chuàng)之際,能逆勢(shì)而上的公司顯然并不算很多。而進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)3年多的派睿電子就是這為數(shù)不多的公司之一。該公司發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示,2008年在中國(guó)的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)為39.4%,在經(jīng)濟(jì)危機(jī)最為嚴(yán)重的第四季度
“山寨”在一定程度上是“盜版”、“仿制”的代名詞。然而,被譽(yù)為中國(guó)IC圈內(nèi)消息最靈通人士之一的老杳卻認(rèn)為,正是山寨手機(jī)促進(jìn)了本土IC的爆發(fā)性增長(zhǎng),本土IC的成熟又反過(guò)來(lái)增強(qiáng)了山寨手機(jī)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力和創(chuàng)新。他認(rèn)
產(chǎn)品研發(fā)解決方案供貨商PTC參數(shù)科技宣布,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備與零組件廠商家登精密, 繼采用PTC Pro/ENGINEER后旋即導(dǎo)入Windchill PDMLink解決方案,不僅改善內(nèi)部協(xié)同設(shè)計(jì),更能縮短工時(shí),預(yù)估節(jié)省設(shè)計(jì)時(shí)間約二至三成。
大陸政府發(fā)放3G執(zhí)照已接近1年時(shí)間,大陸3大電信業(yè)者如中國(guó)移動(dòng)、中國(guó)聯(lián)通、中國(guó)電信等,陸續(xù)完成3G基地臺(tái)及網(wǎng)絡(luò)建置后,已開始加強(qiáng)促銷以拉抬3G 用戶數(shù)。為了搶攻大陸3G手機(jī)市場(chǎng)大餅,包括高通、英飛凌、ST-Ericsson
日前深圳中芯國(guó)際集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目12英寸廠房在深圳坪山新區(qū)順利封頂,建成后將導(dǎo)入IBM授權(quán)的45納米工藝技術(shù),成為華南地區(qū)第一條12英寸集成電路生產(chǎn)線,這將進(jìn)一步完善深圳電子信息產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵環(huán)節(jié),提升深圳
臺(tái)積電公司近日重申該公司不會(huì)謀求在中芯國(guó)際公司中占據(jù)董事會(huì)席位,也不會(huì)參與這家大陸芯片公司的內(nèi)部管理運(yùn)作。以回應(yīng)最近大陸地區(qū)有些媒體的不實(shí)報(bào)道,這些報(bào)道稱:臺(tái)積電在與中芯國(guó)際的專利訴訟官司中占據(jù)上風(fēng)并
晶圓延續(xù)2009年第2季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣自谷底彈升,包括臺(tái)積電、聯(lián)電、特許半導(dǎo)體(Chartered)及中芯等前4大晶圓代工廠,2009年第3季合計(jì)營(yíng)收達(dá)43.3億美元,較前季成長(zhǎng)22.1%,但與2008年同期相較,仍出現(xiàn)5.7%衰退。其中,
據(jù)稱,全球第一大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電已經(jīng)完全取消了下一代32nm工藝,算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。 臺(tái)積電方面尚未就此發(fā)表官方評(píng)論,不過(guò)已經(jīng)有多個(gè)消息來(lái)源確認(rèn)了這一點(diǎn)。 不過(guò)這并不意味著
不同含義的效率 D類音頻放大器最具吸引力的特性是高效率。音頻放大器的效率有多種含義不同的效率,傳統(tǒng)定義是輸出電功率與總輸入功率之比。對(duì)于音頻放大器,轉(zhuǎn)換為可聽聲音的電功率與總輸入功率之比需要最大,這引
根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測(cè),DDR3(DoubleDataRate3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流,全球DRAM市場(chǎng)出貨占比可望突破50%。 以單位出貨量計(jì)算,DDR3明年第2季的市占率將達(dá)50。9%,較今年第2季的14。2%