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新款20V P溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA4
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東芝將在華建芯片合資公司
據國外媒體報道，東芝周五表示，出于節(jié)省成本的考慮，計劃在中國設立合資公司，用以組裝系統(tǒng)芯片?！ |芝表示，將和南通富士通微電子股份有限公司合作，并將在新合資公司中持有80%的股權，但東芝拒絕給出投資數據或
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SICAS認為全球半導體業(yè)已停止出售工廠
芯片制造產能的下降及隨著需求市場的增長芯片制造業(yè)開始停止出售工廠。按半導體國際產能統(tǒng)計（SICAS）組織的數據,在先進制程方面的產能利用率已上升到超過90%。全球fab的產能利用率在2009年第三季度的平均值己從第二
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Tektronix自動化方案支持HDMI 1.4兼容性測試
Tektronix宣布推出采用直接合成功能的完整全自動化兼容性測試解決方案，采用具直接合成功能的Tektronix AWG7000B系列任意波形產生器，并已通過HDMI標準組織認證，適用于近期發(fā)布的全新高畫質多媒體接口(HDMI) 1.4兼
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中芯國際深圳廠房順利封頂深圳集成電路產業(yè)戰(zhàn)略地位提升
日前中芯國際集成電路芯片生產線項目１２英寸廠房在坪山新區(qū)順利封頂，建成后將導入ＩＢＭ授權的４５納米工藝技術，成為華南地區(qū)第一條１２英寸集成電路生產線，這將進一步完善深圳電子信息產業(yè)鏈的關鍵環(huán)節(jié)，提升深
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采用薄型封裝的MicroFET（飛兆）
飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領先的薄型封裝版本，幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工程師和采購經理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench® MOSFET與肖特基二極
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芯動世界“成都造”芯片將走向國際
把西部智谷打造成區(qū)域經濟總部聚集區(qū)、技術研發(fā)服務外包中心、IT軟件動漫創(chuàng)意產業(yè)園、創(chuàng)業(yè)基地 在不久的將來，你將在世界各地買到“成都造”的芯片，買到更多來自成都的電子商務產品……武侯區(qū)工投公司投資30多億元
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基于Matlab的交流斬波型PFC電路仿真研究
為改善傳統(tǒng)功率因數校正電路的不足，提出一種新型交流斬波型單相功率因數校正電路的拓撲結構，使開關管處于整流橋的交流側。該方案有助于提升電路的諧波抑制和功率因數校正能力，可實現(xiàn)單位功率因數，增強電路的電磁兼容性，降低電路的傳導損失。仿真結果表明，功率因數可達0．997，仿真結果驗證了方案的可行性和理論分析的正確性。
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一種自動變?？刂频膶掝l帶全數字鎖相環(huán)
針對傳統(tǒng)的全數字鎖相環(huán)只能鎖定已知信號和鎖頻范圍較小的問題，提出了一種自動變?？刂频膶掝l帶全數字鎖相環(huán)。對比分析了各類全數字鎖相環(huán)鎖頻、鎖相的工作機理，提出了一種新的系統(tǒng)模型，重點研究了快速鎖定和頻帶拓寬的原理及實現(xiàn)方法。應用EDA技術完成系統(tǒng)設計，并進行計算機仿真。仿真結果證實了該設計具有快的鎖定速度、寬的鎖頻范圍、并能快速跟蹤頻率突變的輸入信號。該鎖相環(huán)通用性強，易于集成，可作為IP核用于SoC的設計。
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基于MO-OTAS和CCCII電流模式通用濾波器
提出一種采用跨導運算放大器MO-OTAS與電流傳送器CCCII相結合構成的電流模式多功能濾波器，該電路由一個CCCII器件、二個MO-OTAS和三個接地電容所組成。在輸入端加入信號并將其與相應的輸出端進行適當的組合，即可得到低通、高通、帶通、帶阻和全通五種二階濾波器功能。所提出的電路中心頻率可調范圍大，中心頻率ω0和品質因數Q獨立可調，無源元件全部接地，利于集成，產生的電路具有很低的靈敏度。理論分析和HSpice計算機仿真表明，提出的電路方案正確。
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基于在系統(tǒng)可編程模擬電路的聲發(fā)射前置電路設計
1聲發(fā)射檢測系統(tǒng) 聲發(fā)射技術是根據結構內部發(fā)出的應力波，判斷結構內部損傷程度的一種有效的動態(tài)無損檢測技術?！ 膶囕v懸掛系統(tǒng)進行動態(tài)無損檢測的要求出發(fā)，為了節(jié)約成本，我們自行研制了一套聲發(fā)射檢測系統(tǒng)
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SMD CU壓敏電阻的新樣品套裝（TDK-EPC）
TDK集團分公司TDK-EPC推出了愛普科斯SMD CU壓敏電阻的新樣品套裝。這些CTVS(陶瓷瞬時電壓抑制)元件的電氣參數對應于成熟的愛普科斯SIOV-S05系列 （外殼尺寸3225）以及SIOV-S07系列（外殼尺寸4032）產品。 樣品套裝中
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NI發(fā)布10款最新DC、數字、射頻和開關設備
美國國家儀器有限公司(National Instruments，簡稱NI)近日發(fā)布10款最新PXI產品，有效擴展PXI進行混和信號半導體測試的功能。全新以軟件定義的產品套件專為NI LabVIEW圖形化開發(fā)系統(tǒng)而設計，包含四個高速數字I/O(HSDI
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英飛凌推出一款高安全的雙界面微控制器系列產品
英飛凌科技股份公司近日在“智能卡暨身份識別技術工業(yè)展”(CARTES & IDentifica-tion)上推出了一款高安全的雙界面微控制器系列產品，該系列產品實現(xiàn)了非接觸式芯片前所未有的數字安全特性，是英飛凌在非接
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深圳集成電路產業(yè)戰(zhàn)略地位進一步提升
昨天，中芯國際集成電路芯片生產線項目12英寸廠房在坪山新區(qū)順利封頂，建成后將導入IBM授權的45納米工藝技術，成為華南地區(qū)第一條12英寸集成電路生產線，這將進一步完善深圳電子信息產業(yè)鏈的關鍵環(huán)節(jié)，提升深圳在國內
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