[導讀]飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領先的薄型封裝版本，幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工程師和采購經(jīng)理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench® MOSFET與肖特基二極
飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領先的薄型封裝版本，幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工程師和采購經(jīng)理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench® MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T，利用單一封裝解決方案，滿足對電池充電和功率多工(power-multiplexing)應用至關重要的效率和熱性能需求。
相比傳統(tǒng)MOSFET器件，F(xiàn)DFMA2P859T具有出色的功率耗散和傳導損耗特性，且其封裝高度為0.55mm，比行業(yè)標準0.8mm MicroFET降低了30%，適用于在最新的便攜式手機、媒體播放器和醫(yī)療設備中常見的薄型設計。
FDFMA2P859T專為滿足客戶的設計需求而開發(fā)，在緊湊的占位面積中提供了出色的熱性能，并確保肖特基二極管在Vr=10V下保持1µA的極低反向泄漏電流(lr)。這些特性都能夠大大提升線性模式電池充電和功率多工應用的性能和效率。
FDFMA2P859T是飛兆半導體廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列的一部分，此系列的特別設計能夠滿足當今和未來設計之效率、空間和熱性能需求。
價格 (訂購1000個，每個): 0.39美元
供貨: 現(xiàn)提供樣品
交貨期: 6至8周
下載文檔本站聲明： 本文章由作者或相關機構(gòu)授權發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權益，請及時聯(lián)系本站刪除。
熱門文章
- 國產(chǎn)GPU第一股摩爾線程終于來了：12月5日上市 市值537億
- 1.2億天價罰單！全球第三大設備商因臺積電2nm泄密案被起訴
- 科技巨頭集體預警：內(nèi)存價格將大幅上漲！
- 基于PLC的焊點檢測隔離機的電控設計
- 盤點GET 和 POST請求的本質(zhì)區(qū)別
- CAN收發(fā)器
- CAN的數(shù)據(jù)幀
- 荷蘭安世仍未向中國供應晶圓 全球汽車產(chǎn)線幾周內(nèi)或?qū)⑼．a(chǎn)
- 終止一切對華采購！美國汽車巨頭要求數(shù)千供應商“斷華”！
- AI 史詩三幕劇：架構(gòu)師搭臺、協(xié)調(diào)者唱戲、哨兵守夜——Gartner 2026 十大戰(zhàn)略技術趨勢全景解碼
編輯精選
更多
論壇活動
更多
論壇熱帖
技術子站
更多
