91婷婷社区第五色婷婷,色av100国产综合第一页

業(yè)界最低功耗高速全差動放大器（TI）

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出可針對單通道與多通道逐次逼近寄存器 (SAR) 與 Δ-Σ 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 實現(xiàn)最高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的新型全差動放大器產(chǎn)品系列，能夠滿足工業(yè)、醫(yī)療以及音頻等各種應(yīng)用的需求。THS4521、THS4

模擬
2009-02-12

低功耗差動放大器 BSP
新型Bulk Metal箔表面貼裝電阻（Vishay）

Vishay Intertechnology, Inc.目前推出采用 Bulk Metal® 箔技術(shù)制造的多款表面貼裝電阻，以實現(xiàn)最高端領(lǐng)域?qū)ζ骷呖煽啃院透叻€(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。這次發(fā)布的器件中，包括新改進的 VSMP（0805 至 2512）系列、及VC

模擬
2009-02-12

器件電阻 Vishay METAL
英飛凌擴大面向可再生能源和傳統(tǒng)電機驅(qū)動應(yīng)用的功率模塊生產(chǎn)

英飛凌科技股份公司在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部宣布，該公司正在擴建其位于匈牙利Cegléd的生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統(tǒng)系統(tǒng)的需求。從現(xiàn)在開始到2012年，公司將投資近1,700萬歐元用

模擬
2009-02-12

英飛凌功率模塊可再生能源電機驅(qū)動
全新電流/數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADI）

Analog Devices, Inc.（ADI）最新推出一款全新的電流/數(shù)字轉(zhuǎn)換器芯片—— ADAS1128，它使得高層數(shù)CT系統(tǒng)能夠以高精度和豐富信息量捕獲實時移動圖像（如跳動的心臟）。CT（計算機斷層掃描）掃描的應(yīng)用隨著技術(shù)進步正在

模擬
2009-02-11

電流數(shù)字轉(zhuǎn)換器 ADAS ADI
愛立信攜手意法半導(dǎo)體出擊手機芯片領(lǐng)域

在手機芯片領(lǐng)域，愛立信和意法半導(dǎo)體(ST)選擇了攜手出擊。兩家公司日前宣布，已完成愛立信手機平臺與ST-NXP Wireless 的整合，成立雙方各持股50%的合資公司。在業(yè)界看來，此合資公司的成立，將對高通的霸主地位形成挑

模擬
2009-02-11

愛立信手機芯片芯片領(lǐng)域意法半導(dǎo)體
聯(lián)電CEO:Q1將為公司運營谷底今年不配發(fā)股利

2月11日，據(jù)臺灣媒體報道，繼臺積電CEO蔡力行指出，首季運營可能是谷底后，聯(lián)電CEO孫世偉昨在股東說明會上進一步表示：“近期從公司內(nèi)部的定單及出貨情況來看，定單有改善且有急單出現(xiàn)，客戶信心逐漸恢復(fù)，但急單是不

模擬
2009-02-11

聯(lián)電發(fā)光二極管臺積電 CE
英特爾投資70億美元升級32納米芯片技術(shù)

2月11日消息，英特爾計劃在未來兩年里投資70億美元升級其在美國的工廠。這個跡象表明經(jīng)濟衰退還沒有消滅芯片廠商追求高級設(shè)備的欲望。英特爾首席執(zhí)行官歐德寧本周二在華盛頓的講話中宣布的這個投資表明半導(dǎo)體行業(yè)需

模擬
2009-02-11

英特爾芯片技術(shù) AMD 納米芯片
移相全橋變換器的建模與仿真

本文主要是通過Buck變換器推導(dǎo)出移相全橋變換器的小信號電路模型，接著用MATLAB軟件進行仿真，來判斷系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

模擬
2009-02-11

移相全橋全橋變換器建模與仿真 BSP
英飛凌發(fā)布2009財年第一季度財務(wù)數(shù)據(jù)

近日，英飛凌在其位于德國慕尼黑Neubiberg的總部公布了截止到2008年12月31日的2009財年第一季度的財務(wù)數(shù)據(jù)（依照國際財務(wù)報告準(zhǔn)則IFRS編制）。英飛凌2009財年第一季度實現(xiàn)營收8.30億歐元，環(huán)比下降28%，同比下降24

模擬
2009-02-10

英飛凌奇夢達熒光燈
2009年大陸晶圓代工廠搶攻臺系MEMS訂單

對于微機電系統(tǒng)(MEMS)市場，不僅臺灣半導(dǎo)體廠商抱持高度興趣，就連大陸晶圓代工廠同樣十分關(guān)注，臺系MEMS設(shè)計公司透露，繼中芯國際(SMIC)日前宣布投入MEMS晶圓代工后，再度有大陸晶圓代工廠加入MEMS晶圓代工行列。

模擬
2009-02-10

晶圓代工微電子 MEMS CMOS
三星研制出首款40納米內(nèi)存年內(nèi)量產(chǎn)

繼05年率先開發(fā)出60納米內(nèi)存、06年開發(fā)出50納米內(nèi)存后，三星電子日前研發(fā)出了世界首款40納米1GDDR2動態(tài)內(nèi)存(1納米等于十億分之一米)，今年第3季度將實現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)了解，40納米內(nèi)存與目前普遍使用的50、60納米內(nèi)存相

模擬
2009-02-09

三星內(nèi)存三星電子 40納米
2008年Hynix巨虧32億美元

在存儲器市況惡劣的背景下，Hynix日前公布第四季度虧損9.64億美元。相比之下，去年同期虧損額為3.35億美元，第三季度虧損12億美元。 “DRAM價格下跌43%，NAND flash價格下跌18%，而位出貨量DRAM為持平，NAND flas

模擬
2009-02-09

DRAM Flash NI NAND
紐約州建造晶圓工廠帶來5千至1萬新職位

據(jù)有關(guān)消息報道，從AMD公司的剝離出來的制造部分，與阿布扎比的ATIC公司共同組建，并獲得紐約州政府12億美元激勵資金的The Foundry Company，將在紐約州的馬耳他鎮(zhèn)開始其建造晶圓工廠的新計劃。該公司計劃位于Luther

模擬
2009-02-09

晶圓 AMD 晶圓廠 FOR
無線集散醫(yī)療監(jiān)護系統(tǒng)的設(shè)計

介紹一種能測量心電波、呼吸波、心率、呼吸率、體溫、脈率、血氧和血壓等多種生理參數(shù)的無線集散醫(yī)療監(jiān)護系統(tǒng)。通過三個獨立的OEM模塊分別和一個具有控制、顯示和無線收發(fā)功能的模塊連接，實現(xiàn)上述參數(shù)的測量以及和上位機的信息交互。該方案設(shè)計的系統(tǒng)具有體積小、便于攜帶、分散控制、集中管理、開發(fā)周期短、性能可靠、易于維護、便于升級等優(yōu)點。

模擬
2009-02-09

無線控制醫(yī)療監(jiān)護系統(tǒng) BSP
0．5μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計

依據(jù)帶隙基準(zhǔn)原理，采用華潤上華(CSMC)O．5μm互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝，設(shè)計了一種用于總線低電壓差分信號(Bus Low Voltage Differential Signal，簡稱BLVDS)的總線收發(fā)器帶隙基準(zhǔn)電路。該電路有較低的溫度系數(shù)和較高的電源抑制比。Hspice仿真結(jié)果表明，在電源電壓yD0==3．3 V，溫度強25℃時，輸出基準(zhǔn)電壓V~r=1．25 V。在溫度范圍為-45℃～+85℃時，輸出電壓的溫度系數(shù)為20 pm／℃，電源電壓的抑制比6(PSRR)=一58．3 dB。

模擬
2009-02-09

電路設(shè)計 CMOS 帶隙基準(zhǔn)電路 BSP

首頁上一頁 2154 2155 2156 2157 2158 2159 2160 2161 2162 2163 下一頁尾頁

發(fā)布文章

模擬

業(yè)界最低功耗高速全差動放大器（TI）

新型Bulk Metal箔表面貼裝電阻（Vishay）

英飛凌擴大面向可再生能源和傳統(tǒng)電機驅(qū)動應(yīng)用的功率模塊生產(chǎn)

全新電流/數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADI）

愛立信攜手意法半導(dǎo)體出擊手機芯片領(lǐng)域

聯(lián)電CEO:Q1將為公司運營谷底今年不配發(fā)股利

英特爾投資70億美元升級32納米芯片技術(shù)

移相全橋變換器的建模與仿真

英飛凌發(fā)布2009財年第一季度財務(wù)數(shù)據(jù)

2009年大陸晶圓代工廠搶攻臺系MEMS訂單

三星研制出首款40納米內(nèi)存年內(nèi)量產(chǎn)

2008年Hynix巨虧32億美元

紐約州建造晶圓工廠帶來5千至1萬新職位

無線集散醫(yī)療監(jiān)護系統(tǒng)的設(shè)計

0．5μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電路設(shè)計

活動預(yù)告

論壇

相關(guān)標(biāo)簽

課程視頻