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意法半導(dǎo)體推出離線轉(zhuǎn)換器提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費(fèi)和工業(yè)電源的靈活性。

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2018-06-22

MOSFET 意法半導(dǎo)體離線轉(zhuǎn)換器
超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領(lǐng)先的低損耗特性

英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能力，關(guān)斷速度可達(dá)5 kA/μs。Prime Soft以廣受好評(píng)的基于單硅芯片設(shè)計(jì)的IGCT續(xù)流二極管系列為基礎(chǔ)。該二極管的典型應(yīng)用為使用電壓源變換器的HVDC/FACT和中壓驅(qū)動(dòng)設(shè)備，這些應(yīng)用的特點(diǎn)是對(duì)功率損耗的要求很高。

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2018-06-22

igbt 續(xù)流二極管
二極管最高漲價(jià)超17倍產(chǎn)能吃緊訂單直接排到年底

業(yè)內(nèi)人士向記者表示，受到上游原材料漲價(jià)和下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，二極管的市場(chǎng)價(jià)格在暴漲，原本通用型二極管——安森美2N7002，從去年每顆4分錢，最高漲價(jià)每顆到7毛錢，最高價(jià)格漲幅超過(guò)17倍。

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2018-06-15

二極管硅晶圓
夏普今年10月量產(chǎn)業(yè)界最高光輸出的綠色激光二極體

夏普此次將量產(chǎn)的綠色激光二極體的光輸出達(dá) 130mW，較夏普現(xiàn)行產(chǎn)品提高 3.3 倍，波長(zhǎng)為 520nm。光輸出越高越能增加色彩的鮮艷度。

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2018-06-15

夏普激光二極管
手機(jī)話音，經(jīng)聽筒的聲電轉(zhuǎn)換以后送入電源集成電路

在邏輯部分，接收的RXI、RXQ模擬基帶信號(hào)在調(diào)制解調(diào)器U501內(nèi)部完成D/A轉(zhuǎn)換、解密及自適應(yīng)均衡后將數(shù)字基帶信號(hào)從U501的6#送入CPU的10#，在CPU內(nèi)進(jìn)行信道解碼，去掉糾錯(cuò)碼源以及取實(shí)控制信息以后，恢復(fù)的話音數(shù)據(jù)流經(jīng)數(shù)據(jù)線和地址線，傳送到語(yǔ)音器U801進(jìn)行解碼。

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2018-06-15

電源集成電路手機(jī)通訊
新品速遞：IT8900A/E大功率直流電子負(fù)載發(fā)售在即

ITECH艾德克斯電子即將于5月底發(fā)售大功率密度的直流電子負(fù)載IT8900A/E系列，電壓最高可達(dá)1200V，并機(jī)功率最大可以達(dá)到384 kW，體積更小，4U高度最大輸入6kw功率, 重量更輕。為滿足更快的測(cè)試需求，其內(nèi)部整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了全面升級(jí)，電流上升下降速度更快，并具有超高的性價(jià)比。

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2018-06-12

直流電子負(fù)載 it8900a/e
MOSFET、IGBT下半年恐現(xiàn)缺貨潮漲價(jià)不可避免！

茂矽近期已發(fā)函通知客戶漲價(jià)，預(yù)計(jì)7月起依產(chǎn)品別調(diào)漲晶圓代工價(jià)格15～20%，高單價(jià)客戶及高售價(jià)產(chǎn)品優(yōu)先投片，6月底未投產(chǎn)完畢的訂單退回并請(qǐng)客戶重新評(píng)估需求，重新來(lái)單則適用7月起已調(diào)漲后的晶圓代工價(jià)格。

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2018-06-12

igbt MOSFET
英特爾已能夠生產(chǎn)多達(dá)26個(gè)量子位的量子芯片

英特爾現(xiàn)在每周能夠生產(chǎn)多達(dá)五片硅晶片，其中包含多達(dá)26個(gè)量子位的量子芯片。這一成就意味著英特爾大幅增加了現(xiàn)有量子器件的數(shù)量，并可望在未來(lái)幾年穩(wěn)步增加量子比特?cái)?shù)。英特爾量子硬件總監(jiān)Jim Clarke接受采訪時(shí)透露，目前用于小規(guī)模生產(chǎn)的技術(shù)最終可能會(huì)擴(kuò)展到超過(guò)1000個(gè)量子位。由于溫度波動(dòng)引起的膨脹和收縮限制使得工程師不能簡(jiǎn)單地?cái)U(kuò)展芯片上的量子位數(shù)。

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2018-06-12

英特爾量子計(jì)算芯片全硅晶圓
不再靠進(jìn)口我國(guó)半導(dǎo)體集成電路用硅料已達(dá)國(guó)際一流質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)

電子級(jí)多晶硅材料是集成電路的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，過(guò)去中國(guó)市場(chǎng)上的集成電路用多晶硅材料基本完全依賴進(jìn)口。電子級(jí)多晶硅是純度最高的多晶硅材料。相對(duì)于太陽(yáng)能級(jí)多晶硅99.9999%純度，電子級(jí)多晶硅的純度要求達(dá)到99.999999999%。5000噸的電子級(jí)多晶硅中總的雜質(zhì)含量相當(dāng)于一枚1元硬幣的重量。

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2018-06-08

半導(dǎo)體集成電路硅料
采用緊湊柵格陣列封裝的ADI 44 GHz硅開關(guān)提供業(yè)界最低插入損耗

ADRF5024和ADRF5025采用固有的反射式架構(gòu)，工作溫度范圍為 –40°C 至105°C 。所有引腳均具有強(qiáng)固的靜電放電 (ESD) 保護(hù)。器件標(biāo)稱電源電壓為 ±3.3 V，電源電流低于120 μA (典型值)。器件使用標(biāo)準(zhǔn)的正邏輯控制電壓，簡(jiǎn)化了接口設(shè)計(jì)。

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2018-06-08

技術(shù) 絕緣硅片硅開關(guān) (soi)
GaN Systems與羅姆聯(lián)手致力于GaN功率器件的普及

此次合作將充分發(fā)揮GaN Systems公司GaN功率晶體管的業(yè)界頂級(jí)性能與羅姆的GaN功率器件技術(shù)優(yōu)勢(shì)及豐富的電子元器件設(shè)計(jì)/制造綜合實(shí)力。雙方將利用GaN Systems公司的GaNPXTM封裝技術(shù)和羅姆的功率元器件傳統(tǒng)封裝技術(shù)，聯(lián)合開發(fā)最適合GaN器件的產(chǎn)品。這將能夠最大限度地挖掘并發(fā)揮GaN器件的潛力。另外，雙方通過(guò)提供兼容產(chǎn)品，將能夠?yàn)殡p方的客戶穩(wěn)定地供應(yīng)GaN器件。

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2018-06-05

羅姆功率器件 gan systemsl
薄膜電容器: 結(jié)構(gòu)緊湊且過(guò)壓保護(hù)功能可靠

TDK公司推出全新的應(yīng)用于濾波器領(lǐng)域的愛(ài)普科斯 (EPCOS) 金屬化聚丙烯膜交流(MKP AC)電容器B33331V*系列。該系列元件的額定電壓為460 VRMS，對(duì)應(yīng)峰值電壓為650 V，其電容值范圍為2 μF 至50 μF。

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2018-06-05

tdk 薄膜電容器
采樣保持(THA)輸出噪聲的兩個(gè)關(guān)鍵噪聲分量

采樣保持 (THA) 輸出噪聲有兩個(gè)關(guān)鍵噪聲分量：采樣噪聲和輸出緩沖放大器噪聲。本文將重點(diǎn)探討這兩個(gè)分量。

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2018-06-05

采樣噪聲輸出緩沖放大器噪聲 tha
Vishay推出新款大電流平面阻流電感---IPLA 32

IPLA 32高度可定制，針對(duì)汽車和嵌入式大電流，大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器

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2018-06-04

Vishay 電感
解決模擬輸入IEC系統(tǒng)保護(hù)問(wèn)題

與系統(tǒng)模擬輸入和輸出節(jié)點(diǎn)交互作用的外置高壓瞬變可能破壞系統(tǒng)中未采用充分保護(hù)措施的集成電路 (IC)?，F(xiàn)代 IC 的模擬輸入和輸出引腳通常采用了高壓靜電放電 (ESD) 瞬變保護(hù)措施。人體模型 (HBM)、機(jī)器模型 (MM) 和充電器件模型 (CDM) 是用來(lái)測(cè)量器件承受 ESD 事件的能力的器件級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。這些測(cè)試旨在確保器件能承受器件制造和 PCB 裝配流程中的靜電壓力，通常在受控環(huán)境中實(shí)施。

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2018-06-04

模擬輸入 iec系統(tǒng) 靜電壓力

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