有消息稱(chēng),NVIDIA有意推出GTX 1070 Ti新品顯卡。
芯片的制造工藝這么多年一直都在穩(wěn)步進(jìn)步。從28nm到22nm,16nm,14nm等。最近有消息稱(chēng)臺(tái)積電正在測(cè)試7nm制造工藝,預(yù)計(jì)于2018年上半年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),當(dāng)前已經(jīng)吸引不少公司的注意。
臺(tái)積電今天宣布,計(jì)劃聯(lián)合ARM、Xilinx、Cadence,共同打造全球首個(gè)基于7nm工藝的芯片。
聯(lián)發(fā)科公布5月份應(yīng)收?qǐng)?bào)表,業(yè)績(jī)延續(xù)上半年一貫走勢(shì):繼續(xù)下滑,且下滑比令人震驚,達(dá)到了25%。一度是安卓機(jī)寵兒的聯(lián)發(fā)科真的一去不復(fù)返了?10nm之后聯(lián)發(fā)科在高端手機(jī)芯片市場(chǎng)可能就要淪為小眾了,逐漸淡出人們的視野。
北京時(shí)間12日凌晨1時(shí)許,蘋(píng)果公司發(fā)布新品,位于美國(guó)加州·庫(kù)比蒂諾市的新蘋(píng)果總部大樓Apple Park,人潮涌動(dòng)。記者在等候了兩個(gè)小時(shí)之后,終于進(jìn)入發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)。
美國(guó)休斯敦大學(xué)華人科學(xué)家余存江助理教授課題組在新一期美國(guó)《科學(xué)進(jìn)展》雜志上報(bào)告說(shuō),他們?cè)谌嵝钥衫祀娮宇I(lǐng)域取得新突破,研制出了可拉伸的橡膠半導(dǎo)體和導(dǎo)體材料,并利用這些材料制成全橡膠晶體管、傳感器和機(jī)器人皮膚。
2017年9月13日,日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723),今日宣布推出新型語(yǔ)音電力線(xiàn)通信(PLC)解決方案,支持在現(xiàn)有電力網(wǎng)絡(luò)中進(jìn)行數(shù)據(jù)通信和語(yǔ)音通信。PLC解決方案可減少建筑物內(nèi)部布線(xiàn)的數(shù)量,從而降低公共廣播(PA)系統(tǒng)和安全系統(tǒng)的實(shí)施和維護(hù)成本。
2017年9月14日 – 專(zhuān)注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類(lèi)型的業(yè)界頂級(jí)半導(dǎo)體和電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics),宣布即日起開(kāi)始備貨全球領(lǐng)先互連與傳感器領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)TE Connectivity (TE) 的microQSFP——高速可插拔式輸入/輸出 (I/O) 互連解決方案。
近日,中國(guó)復(fù)旦大學(xué)研發(fā)了一款可植入人體靜脈的輕型發(fā)電機(jī)。該發(fā)電機(jī)可利用血管中流動(dòng)的血液自主發(fā)電,或?qū)⒃谖磥?lái)用于臨床。
三星宣布,新加入了11nm LPP工藝,性能比此前的14nm提升了15%,單位面積的功耗降低了10%。三星將于9月15日在東京舉辦的半導(dǎo)體會(huì)議上公布,未來(lái)的技術(shù)還會(huì)有所提升。
2017 年 9 月 13 日–最新半導(dǎo)體和電子元器件的全球授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 宣布即日起備貨Silicon Labs 的CPT212B和CPT213B TouchXpress電容式觸摸控制器。CPT212B和CPT213B TouchXpress控制器無(wú)需費(fèi)時(shí)費(fèi)力的固件開(kāi)發(fā),為在各類(lèi)產(chǎn)品中添加時(shí)尚的觸摸式用戶(hù)界面設(shè)計(jì)提供了簡(jiǎn)單的交鑰匙解決方案。這些產(chǎn)品包括家電、醫(yī)療設(shè)備、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、儀器和控制面板,以及照明控制等。
據(jù)今日公布的一項(xiàng)調(diào)查顯示,芯片行業(yè)的高管們?cè)絹?lái)越樂(lè)觀地認(rèn)為,該行業(yè)將采用極端的紫外線(xiàn)光刻技術(shù)和多波束掩模。新系統(tǒng)將有助于推動(dòng)先進(jìn)設(shè)備的發(fā)展,而這一時(shí)代正變得越來(lái)越復(fù)雜和昂貴。
三星電子宣布,在其晶圓代工產(chǎn)品組合中將增加11nm的FinFET工藝。
設(shè)計(jì)一個(gè)要求高通道密度的系統(tǒng)時(shí),例如在測(cè)試儀器儀表中,電路板上通常需要包括大量開(kāi)關(guān)。當(dāng)使用并行接口控制的開(kāi)關(guān)時(shí),控制開(kāi)關(guān)所需的邏輯線(xiàn)路以及用于生成GPIO控制信號(hào)的串行轉(zhuǎn)并行轉(zhuǎn)換器會(huì)占用很大比例的板空間。本文討論旨在解決這種設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的ADI公司新一代SPI控制開(kāi)關(guān)及其架構(gòu),以及相對(duì)于并行控制開(kāi)關(guān),它在提高通道密度上有何優(yōu)勢(shì)。ADI公司創(chuàng)新的多芯片封裝工藝使得新型SPI轉(zhuǎn)并行轉(zhuǎn)換器芯片可以與現(xiàn)有高性能模擬開(kāi)關(guān)芯片結(jié)合在同一封裝中。這樣既可節(jié)省空間,又不會(huì)影響精密開(kāi)關(guān)性能。
現(xiàn)在,《華爾街日?qǐng)?bào)》有送出了一些跟iPhone 8有關(guān)的內(nèi)幕消息,鑒于他們跟蘋(píng)果的關(guān)系,以及以往最后關(guān)頭曝光iPhone的信息準(zhǔn)確度,基本就等于官方確認(rèn)一樣。