三星電子宣布，在其晶圓代工產(chǎn)品組合中將增加11nm的FinFET工藝。

公司表示，11nm LPP或者11LPP是從上一代14nm工藝進一步發(fā)展而來，它能提供15%的性能提升，減少10%面積，但功耗卻保持不變。

三星補充道：使用該制程的產(chǎn)品將在2018年上半年才開始。

這位韓國科技巨頭在去年年底就為自己的芯片和客戶提供了先進的10nm工藝，目前也在為最新的Galaxy Note 8的處理器使用第二代10nm工藝。

三星表示，10nm工藝是針對旗艦手機的處理器，而11nm則將被用于中高端手機。將為客戶提供“更廣泛的選擇”。

三星正在與臺積電進行10nm工藝競爭，并將成為第一個部署7nm制程的公司。

得益于極紫外(EUV)光刻技術的成熟，三星表示其7nm的定價和收益的優(yōu)勢高于臺積電。

三星還在計劃能在2018年上半年提供8nm制程，該工藝將比臺積電7nm工藝在價格競爭上更具優(yōu)勢，而且在技術水準上卻很接近。

自2014年以來，三星已經(jīng)使用EUV光刻制造了20萬個晶圓，并包攬了805的256M SRAM產(chǎn)量。

今年5月，三星將芯片制造部門提升為一項業(yè)務。它以前是在邏輯芯片業(yè)務下生產(chǎn)處理器的。