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[導讀]單結(jié)晶體管構(gòu)成的弛張振蕩電路如圖2-55(a)所示。設(shè)電容器的初始電壓為0。接通電源后電源通過電阻R 向電容充電,單結(jié)晶體管內(nèi)部的UA決定于電源電壓E(即Ubb)和器件的伏安特性,峰點與谷點也由此而確定。電容電壓UC

單結(jié)晶體管構(gòu)成的弛張振蕩電路如圖2-55(a)所示。設(shè)電容器的初始電壓為0。接通電源后電源通過電阻R 向電容充電,單結(jié)晶體管內(nèi)部的UA決定于電源電壓E(即Ubb)和器件的伏安特性,峰點與谷點也由此而確定。電容電壓UC依指數(shù)規(guī)律上升,在發(fā)射極電壓達到峰點之前,發(fā)射極電流很小,由于流過R1的電流很小,其兩端的電壓可以忽略。當電壓上升的峰點,UC=UP 時,單結(jié)晶體管進入負阻區(qū),內(nèi)部的二極管導通,電容通過導通著的二極管、R1放電,放電電流呈指數(shù)規(guī)律衰減,該電流經(jīng)過R1產(chǎn)生壓降。此時通過R1的電流由兩部分組成,其一是電容的放電電流,其二為電源通過電阻R 和導通著的二極管供給R1的電流。當電容放電使發(fā)射極電流Ie到達谷點時,單結(jié)晶體管脫離負阻區(qū),內(nèi)部電阻Rb1的增大,使UA增高,內(nèi)部二極管再度承受反壓,呈阻斷狀態(tài),Ie消失,電路進入下一次電
容充電階段。當電容電壓在一次達到峰點電壓時,出現(xiàn)又一次放電。電路中不斷重復(fù)充電和放電過程,形成振蕩,電容電壓在峰點電壓和谷點電壓之間變化,每一次放電都會在R1上產(chǎn)生一個電壓脈沖。電容電壓和R1上電壓的波形如圖2-55(b)所示。

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