摘要：分析新型SiC功率器件在實際應用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對SiC MOSFET柵極電阻對開關特性的影響，以及開關頻率與傳輸效率的關系進行了闡述。同時，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建了實驗樣機，依據(jù)實測數(shù)據(jù)對理論分析進行驗證，并與同類型Si器件相互比較，得出了關于SiC功率器件在系統(tǒng)電路設計方面的優(yōu)點和一些值得注意的問題。

1 引言

風能、太陽能等新能源均需經(jīng)過電力電子變換才能接入電網(wǎng)，隨著新能源發(fā)電量的逐年攀升，市場對電力電子變換器的要求朝著大功率、高頻率、低損耗的方向快步前進。作為傳統(tǒng)電力電子變換的開關器件，Si IGBT已難以滿足需求，而新型半導體器件SiC MOSFET具有更好的性能，被普遍認為是新一代的功率器件。

對于電力電子變換器而言，SiC MOSFET可作為開關器件使用。而在電力電子變換器中，升降壓斬波電路是最基本的電路結構，以此為基礎可擴展出各類電力電子變換器。因此，這里以升壓變換電路為載體，對SiC MOSFET在實際應用中所面臨的兩大主要問題(即柵極電阻對開關性能的影響及頻率對功率傳輸效率的影響)，進行理論分析和實驗驗證，以此得出應用SiC MOSFET進行系統(tǒng)設計時的一些注意事項。

2 Boost電路的基本原理

Boost變換電路通過對輸入直流電壓進行斬波，從而達到升壓變換的目的，其基本電路結構如圖1所示，其中，U1，U2為電源電壓和輸出電壓。

通過控制開關管V的開關狀態(tài)，可控制V2。

V由控制信號us控制，當us為高電平時，V導通，電感電壓uL=U1>0，電感儲能增加。當us為低電平時，V關斷，uL<0，電感存儲電能傳輸至負載側;已知uL在一個開關周期內(nèi)積分為零，則U1ton+(U1-U2)toff=0，ton，toff為開通、關斷時間?？傻茫篣2/U1=1/(1-D)，D為占空比，0≤D<1。由上述可知，U2>U1。假定電路無損耗，則輸入功率P1等于輸出功率P2，即P1=P2，由此可得平均輸出電流關系為：

I2/I1=1-D (1)

3 柵極電阻對SiC MOSFET開關特性的影響

對于SiC MOSFET而言，為將控制器信號發(fā)送至柵極以控制其開關狀態(tài)，在設計時往往附加一驅動電路以實現(xiàn)電壓等級轉換和功率擴大。然而在實際設計中，驅動電路不可能與開關管柵極直線相連，線路電感的存在不可避免。由于SiC MOSFET自身任意兩極之間存在電容特性，在驅動電壓作用下，線路電感必然與之發(fā)生激烈振蕩，為消弱振蕩阻尼至可接受范圍內(nèi)，通常采用的手段是在柵極串聯(lián)電阻，從這一層面上看，柵極電阻越大越好。然而，由于柵極電阻的加入，驅動電源的電壓特性遭到了破壞，降低了開關信號前后沿陡度，控制信號波形前后沿會出現(xiàn)明顯的上升和下降指數(shù)。柵極驅動電路示意圖如圖2a所示，控制電壓波形如圖2b所示。其中，ug為控制器所發(fā)出的電壓信號，L為線路電感，Rg為串聯(lián)的柵極電阻，C為MOSFET柵極等效電容，us為柵極所接收的電壓信號。

由此可知，Rg越大，τ越小，電流衰減越快;Rg越小，T越小。由于T決定電流第一次到達零值所需時間，故T越小，關斷時間越短，下降沿陡度越大。

4 開關頻率對SiC MOSFET傳輸效率的影響

理想的開關器件其導通壓降為零，但即使SiCMOSFET也無法達到導通壓降為零，此外由于存在開關損耗，使功率傳輸過程中必然存在一定損耗。

以Boost電路連續(xù)工作狀態(tài)為例，分別對開關損耗和導通損耗粗略估算。U1和U2波形如圖3所示。其中，δ1，δ2分別為開關管的開通和關斷時間。

5 實驗分析

實驗電路基本參數(shù)：負載電阻40 Ω，串聯(lián)電感10 mH，直流電容450μF，電壓比310 V/400 V，輸入功率2 630 W，占空比0.23。系統(tǒng)電路主要由功率模塊、信號模塊及控制模塊3部分構成。

功率模塊為主電路部分，使用兩個SiC器件，其中一個作為開關管，另一個設定為關斷狀態(tài)，利用器件自身所攜帶二極管作為反向二極管，所使用的SiC器件具有高開關頻率和低導通阻抗的優(yōu)點。

信號模塊主要功能是將功率模塊測量得到的電壓、電流及頻率傳送到控制模塊，以此對開關管進行控制?？刂颇K可分為控制電路和觸摸屏兩部分，觸摸屏主要功能在于顯示測量所得數(shù)據(jù)以下達控制指令;控制電路核心部分是DSP(F2812)和FPGA(XC38500E)芯片，主要功能是接受觸摸屏發(fā)出的指令，并以此向功率模塊開關管發(fā)出相應的控制信號。利用實驗電路，針對不同Rg和不同f做了兩部分實驗，分別驗證上述理論的正確性。

(1)不同柵極電阻情況下SiC MOSFET開通、關斷電流暫態(tài)過程

設f=20 kHz，分別選取Rg為6 Ω和10 Ω時分析開關管上升沿和下降沿暫態(tài)過程，圖4為實驗結果?？梢钥闯觯?delta;1(Rg=10 Ω)>δ1(Rg=6 Ω)δ2(Rg=10 Ω)>δ2(Rg=6 Ω)。與Rg=10 Ω相比，Rg=6 Ω開關速度更快。這驗證了Rg越小，上升和下降暫態(tài)過程越短。對于傳統(tǒng)Si IGBT而言，其開通和關斷時間約400 ns，而從SiC電路實驗結果可見，Rs=6 Ω時，δ1≈80 ns，δ2≈50 ns，減少了80%以上，這意味著SiC器件在開關頻率方面開發(fā)前景更廣闊。

(2)不同開關頻率情況下功率傳輸效率

實驗通過控制SiC MOSFET f逐步從零增加至100 kHz，測量不同f下η值，其結果如圖5所示。

可見，在0～100 kHz區(qū)間內(nèi)，SiC器件傳輸效率始終大于98.4%，這完全能夠滿足應用需求。隨著f逐步增加，η逐步降低;Rg越大，η也越低，此結果符合f對η影響的理論分析。

6 結論

通過對實驗結果的分析對比可見，SiC器件在電力電子設備應用上與Si器件相比有較大優(yōu)勢，但同樣存在限制自身潛力開發(fā)的因素。在SiC系統(tǒng)電路設計中，柵極電阻的選擇需充分考慮到限制暫態(tài)電流和開關時間限制這兩個要求，同時為保證SiC器件傳輸效率，開關頻率的選擇也需慎重。