功率晶體管的強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭進(jìn)入今年第一季度，全球銷售額與2018年同期相比增長(zhǎng)了近10％，但預(yù)計(jì)2019年下半年增長(zhǎng)率將大幅放緩。此外，預(yù)計(jì)2019年功率晶體管的銷售額將增長(zhǎng)5％，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的171億美元，然后在2020年下降2％，達(dá)到168億美元。

在過(guò)去兩年中，功率晶體管收入受到強(qiáng)勁的單位出貨量和由于設(shè)備短缺導(dǎo)致的價(jià)格上漲以及沒(méi)有足夠的制造能力來(lái)滿足需求的推動(dòng)而走高。IC Insights的2019年OSD報(bào)告顯示，2018年功率晶體管出貨量在2018年增長(zhǎng)了8％，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的628億臺(tái)設(shè)備，此前該公司預(yù)計(jì)今年的單位產(chǎn)量將增加6％，達(dá)到667億。功率晶體管的平均銷售價(jià)格在2018年增長(zhǎng)了近6％，其中一些廣泛使用的部件（如功率MOSFET）的交付周期在去年下半年超過(guò)40周，而正常市場(chǎng)條件下為8周。

功率晶體管制造商在過(guò)去一年中穩(wěn)步增加了制造能力，但大多數(shù)供應(yīng)商仍在努力趕上2019年第一季度的需求。大多數(shù)功率晶體管產(chǎn)品類型的供應(yīng)預(yù)計(jì)將在今年下半年結(jié)束。部分原因是全球經(jīng)濟(jì)放緩以及2020年初設(shè)備出貨需求增長(zhǎng)放緩。如果經(jīng)濟(jì)和需求放緩問(wèn)題不解決，中美之間日益激烈的貿(mào)易戰(zhàn)也可能對(duì)2019年的晶體管市場(chǎng)產(chǎn)生負(fù)面影響。

根據(jù)新的OSD報(bào)告，在2018年，除了一個(gè)功率晶體管產(chǎn)品類別之外，其他所有產(chǎn)品都實(shí)現(xiàn)了銷售增長(zhǎng)，但射頻/微波功率晶體管除外，其年度下降了近1％。2018年功率晶體管銷售增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的是40-100V應(yīng)用的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（功率FET），增長(zhǎng)了21％，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）增長(zhǎng)了20.3％。其他主要的功率晶體管類別在2018年表現(xiàn)出強(qiáng)勁的銷售增長(zhǎng)：功率FET用于高達(dá)40V的應(yīng)用（+ 17％）; 功率FET適用于100-200V應(yīng)用（+ 16％）; 和IGBT功率模塊（+ 15％）。報(bào)告稱，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（包括模塊系統(tǒng)中使用的晶體管）占2018年總功率晶體管銷售額的58％。IGBT產(chǎn)品總量（模塊和分立晶體管）占2018年功率晶體管銷售額的32％。

在2017年和2018年兩年兩位數(shù)的增長(zhǎng)泡沫之后，預(yù)計(jì)未來(lái)五年內(nèi)功率晶體管市場(chǎng)將恢復(fù)到中低個(gè)位數(shù)百分比范圍內(nèi)更正常的增長(zhǎng)，此外，OSD報(bào)告預(yù)測(cè)2020年將下降2％。預(yù)計(jì)2018年至2023年期間，功率晶體管的銷售額將以3.3％的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)全球收入將達(dá)到192億美元。