功率晶體管的強勁增長勢頭進入今年第一季度，全球銷售額與2018年同期相比增長了近10％，但預(yù)計2019年下半年增長率將大幅放緩。此外，預(yù)計2019年功率晶體管的銷售額將增長5％，達到創(chuàng)紀錄的171億美元，然后在2020年下降2％，達到168億美元。

在過去兩年中，功率晶體管收入受到強勁的單位出貨量和由于設(shè)備短缺導(dǎo)致的價格上漲以及沒有足夠的制造能力來滿足需求的推動而走高。IC Insights的2019年OSD報告顯示，2018年功率晶體管出貨量在2018年增長了8％，達到創(chuàng)紀錄的628億臺設(shè)備，此前該公司預(yù)計今年的單位產(chǎn)量將增加6％，達到667億。功率晶體管的平均銷售價格在2018年增長了近6％，其中一些廣泛使用的部件（如功率MOSFET）的交付周期在去年下半年超過40周，而正常市場條件下為8周。

功率晶體管制造商在過去一年中穩(wěn)步增加了制造能力，但大多數(shù)供應(yīng)商仍在努力趕上2019年第一季度的需求。大多數(shù)功率晶體管產(chǎn)品類型的供應(yīng)預(yù)計將在今年下半年結(jié)束。部分原因是全球經(jīng)濟放緩以及2020年初設(shè)備出貨需求增長放緩。如果經(jīng)濟和需求放緩問題不解決，中美之間日益激烈的貿(mào)易戰(zhàn)也可能對2019年的晶體管市場產(chǎn)生負面影響。

根據(jù)新的OSD報告，在2018年，除了一個功率晶體管產(chǎn)品類別之外，其他所有產(chǎn)品都實現(xiàn)了銷售增長，但射頻/微波功率晶體管除外，其年度下降了近1％。2018年功率晶體管銷售增長最強勁的是40-100V應(yīng)用的功率場效應(yīng)晶體管（功率FET），增長了21％，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）增長了20.3％。其他主要的功率晶體管類別在2018年表現(xiàn)出強勁的銷售增長：功率FET用于高達40V的應(yīng)用（+ 17％）; 功率FET適用于100-200V應(yīng)用（+ 16％）; 和IGBT功率模塊（+ 15％）。報告稱，場效應(yīng)晶體管（包括模塊系統(tǒng)中使用的晶體管）占2018年總功率晶體管銷售額的58％。IGBT產(chǎn)品總量（模塊和分立晶體管）占2018年功率晶體管銷售額的32％。

在2017年和2018年兩年兩位數(shù)的增長泡沫之后，預(yù)計未來五年內(nèi)功率晶體管市場將恢復(fù)到中低個位數(shù)百分比范圍內(nèi)更正常的增長，此外，OSD報告預(yù)測2020年將下降2％。預(yù)計2018年至2023年期間，功率晶體管的銷售額將以3.3％的復(fù)合年增長率（CAGR）增長，預(yù)計全球收入將達到192億美元。