來自集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）的消息稱，預計長江存儲到年底擴張達至少60K/m的投片量，與其他競爭者動輒200K/m以上的產能并不算大，但預估NAND Flash市場價格仍會受到一定沖擊，進而導致跌價趨勢持續(xù)。

在技術方面，為了盡快縮短與國外廠商的差距，長江存儲在閃存技術上采取了跳躍式發(fā)展，32層堆棧的只是小量生產，64層堆棧是今明兩年生產的主力，再下一代則會直接進入128層堆棧，跳過了三星、美光、東芝、Intel等公司現在力推的96層堆棧閃存，這幾家公司預計在2020年才會推出128層堆棧的閃存。

在這個問題上，去年長江存儲推出了Xtacking結構的3D NAND閃存技術，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。

采用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

性能上，長江存儲表示“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業(yè)來講將是顛覆性的。”

日前在GSA Memory+會議上，長江存儲聯席CTO湯強發(fā)表了《三維閃存技術發(fā)展的展望》演講，表示長江存儲今年8月份將會推出Xtacking 2.0閃存技術，Xtacking依然會不斷進化中。