摘要：閃速存儲器具有結構簡單、控制靈活、編程可靠、擦除快捷的優(yōu)點，而且集成度可以做得很高，因此獲得了較廣泛的應用。本文詳細介紹Samsung公司生產的64M×8位閃速存儲器K9F1208UOM的主特性、應用方法和接口技術；介紹采用K9F1208UOM作為圖像存儲介質的圖像采集記錄系統(tǒng)的組成原理和具體實現(xiàn)方法。

    關鍵詞：閃速存儲器 K9F1208UOM 圖像采集 圖像存儲

引言

圖像的保存和恢復是一個圖像采集系統(tǒng)所不可或缺的功能之一。保存圖像信息所用的介質或設備有很多種，如常用的電影膠片、膠卷、硬盤、軟盤、光盤、各種靜態(tài)和動態(tài)RAM、ROM以及固態(tài)存儲器件等。其中，F(xiàn)lash ROM以其內容掉電不消失、價格低廉、控制方法靈活、與微處理器接口方便等特點，越來越多地應用在圖像采集與存儲系統(tǒng)中，如常見的數(shù)碼像機。因此，研究Flash ROM在圖像采集記錄系統(tǒng)中的應用技術有著重要的意義。

1 閃速存儲器的分類和發(fā)展現(xiàn)狀

目前常見的圖像采集記錄系統(tǒng)如數(shù)碼像機、數(shù)碼攝像機中，通常采用半導體存儲器作為其記憶部分。半導體存儲器通?？煞譃殡S機存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM_。RAM的內容可以隨時刷新，訪問速度快，但是掉電后其存儲的信息會丟失；ROM則具有掉電不丟失數(shù)據的特性。通常ROM又可分為固定ROM、PROM、EPROM和EEPROM。

圖1 K9F1208UOM引腳定義

    閃速存儲器（Flash ROM）屬于半導體存儲器的一種，屬于非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory）。它采用類似于EPROM的單管疊柵結構的存儲單元揣怕，是新一代用電信號擦除的可編程ROM；它既吸收了EPROM結構簡單、編程可靠的優(yōu)點，又具有EPROM用隨道效應擦除的快捷特性，集成度可做得很高，因而在便攜式數(shù)據存儲和各種圖像采集記錄系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。

全球閃速存儲器的主要供應商有AMD、Atmel、Fujistu、Hitachi、Hyundai、Intel、Micron、Mitsubishi、Samsung、SST、Sharp、Toshiba。由于各自技術架構的不同，分為幾大陣營，因此閃速存儲也按其采用技術的不同而分為幾大類：

*NOR技術——代表公司Intel，特點為擦除和寫入慢、隨機讀快；

*NAND技術——代表公司Samsung，特點為隨機讀寫慢、以頁為單位連續(xù)讀寫快；

*AND技術——代表公司Hitachi，特點為低功耗，價格高。

*由EEPROM派生的閃速存儲器。特點：介于NOR與EEPROM之間。

存儲器的發(fā)展具有容量更大、體積更小、價格更低的趨勢，這在閃速存儲器行業(yè)表現(xiàn)得淋漓盡致。隨著單導體制造工藝的展，主流閃速存儲器廠家采用0.18μm，甚至0.15μm的制造工藝。

借助于先進工藝的優(yōu)勢，閃速存儲器的容量可以變大：NOR技術將出現(xiàn)256Mb的器件，NAND和AND技術已經有16Gb的器件。

芯片的封裝尺寸更?。簭淖畛鮀IP封裝，到PSOP、SSOP、TSOP封裝，再到BGA封裝，閃速存儲器已經變得非常纖細小巧。

工作電壓更低：從最初12V的編程電壓，一步步下降到5V、3.3V、2.7V、1.8V單電壓供電；符合國際上低功耗的潮流，更促進了便攜式產品的發(fā)展。

位成本大幅度下降：采用NOR技術的Intel公司的28F128J3價格為25美元，NAND技術和AND技術的閃速存儲器已經突破10MB 2美元的價位，性價比極高。

本文中討論的是采用NAND技術的K9F1208U0M。

圖2 AT90S8515和K9F1208UOM硬件接口原理

2 64M閃速存儲器K9F1208UOM簡介

K9F1208U0M是Samsung公司生產的采用NAND技術的大容量、高可靠Flash存儲器。該器件采用三星公司的CMOS浮置門技術和與非存儲結構，存儲容量為64M×8位，除此之外還有2048K×8位的空閑存儲區(qū)。該器件采用TSSOP48封裝，工作電壓2.7～3.6V。

K9F1208U0M對528字節(jié)一頁的寫操作所需時間典型值是200μs，而對16K字節(jié)一塊的擦除操作典型民僅需2ms。每一頁中的數(shù)據出速度也很快，平均每個字節(jié)只需50ns，已經與一般的SRAM相當。8位I/O端口采用地址、數(shù)據和命令復用的方法。這樣既可減少引腳數(shù)，還可使接口電路簡潔。片內的寫控制器能自動執(zhí)行寫操作和擦除功能，包括必要的脈沖產生，內部校驗等，完全不用外部微控制器考慮，簡化了器件的編程控制難度。

2.1 器件結構

K9F1208U0M的結構如圖1所示。由以下幾部分組成：

①地址譯碼器。它是一個二維的譯碼器，A0～A7為Y方向譯碼器，A9～A25為X方向譯碼器；而A8是由命令寄存器決定的，用于選擇Flash ROM存儲器的區(qū)號。

②存儲陣列。如圖1所示，由于地址A8的不同，可以把存儲陣列分為第一和第二兩部分；同時，它還有一個空閑區(qū)，都可通過命令進行選擇。整個存儲陣列又可分為4096塊，每一塊分為32頁，一頁包含528字節(jié)。這528字節(jié)包含第一部分的256字節(jié)和第二部分的256字節(jié)以及空閑區(qū)的16字節(jié)。

③命令寄存器。命令寄存器把輸入的命令暫存起來，根據不同的命令和控制線執(zhí)行不同的操作。

④控制邏輯和高電壓產生器?？刂七壿嫯a生各種控制信號，用于對內部的存儲陣列緩存器等進行合理的控制。高電壓產生器可以產生用于對存儲陣列進行編程的高壓。

⑤I/O緩存、全局緩存及輸出驅動。用于對輸入及輸出進行必要的緩存，以符合時序的要求。輸出驅動加強帶載能力。

2.2 引腳說明

表1概要地說明了K9F1208U0M各個引腳的功能。

表1 K9F1208U 0 引腳定義

引   腳	功      能
I/O0～I/O	數(shù)據輸入輸出端，芯片未選中為高阻態(tài)
CLE	命令鎖存使能
ALE	地址鎖存使能
CE	芯片選擇控制
RE	數(shù)據輸出控制，有效時數(shù)據送到I/O總線上
WE	寫I/O口控制，命令地址數(shù)據在上升沿鎖存
WP	寫保護
R/B	指示器件的狀態(tài)，0為忙，1為閑。開漏輸出
Vcc	電源端
Vss	地

①命令鎖存使能（CLE），使輸入的命令發(fā)送到命令寄存器。當變?yōu)楦唠娖綍r，在WE上升沿命令通過I/O口鎖存到命令寄存器。

②地址鎖存使能（ALE），控制地址輸入到片內的地址寄存器中，地址是在WE的上升沿被鎖存的。

③片選使能（CE），用于器件的選擇控制。在讀操作、CE變?yōu)楦唠娖綍r，器件返回到備用狀態(tài)；然而，當器件在寫操作或擦除操作過程中保持忙狀態(tài)時，CE的變高將被忽略，不會返回到備用狀態(tài)。

④寫使能（WE），用于控制把命令、地址和數(shù)據在它的上升沿寫入到I/O端口；而在讀操作時必須保持高電平。

⑤讀使能（RE），控制把數(shù)據放到I/O總線上，在它的下降沿tREA時間后數(shù)據有效；同時使用內部的列地址自動加1。

⑥I/O端口，用于命令、地址和數(shù)據的輸入及讀操作時的數(shù)據輸出。當芯片未選中時，I/O口為高阻態(tài)。

    ⑦寫保護（WP），禁止寫操作和擦除操作。當它有效時，內部的高壓生成器將會復位。

⑧準備/忙（R/B），反映當前器件的狀態(tài)。低電平時，表示寫操作或擦除操作以及隨機讀正進行中；當它變?yōu)楦唠娖綍r，表示這些操作已經完成。它采用了開漏輸出結構，在芯片未選中時不會保持高阻態(tài)。

2.3 K9F1208U0M的接口控制方法

K9F1208U0M在應用時必須通過外部微控制器來控制其內容的讀寫，圖2給出了K9F1208U0M與AT90S8515單片機接口的方法。

K9F1208U0M的數(shù)據總線與AT90S8515的數(shù)據口PA口相連，用單片機的地址高位引腳PC6作為K9F1208U0M的片選信號（CS）；PC5接K9F1208U0M的命令數(shù)據選擇端（CMD/DATA），而PC4接K9F1208U0M的地址鎖存允許端（ALE）。因此，對K0F1208U0M的訪問就相當于訪問地址分別為0xaf00、0x9f00、0x8f00的三個端口，分別對應K9F1208U0M的命令端口、地址端口、數(shù)據端口。因此，對于單片機而言，對K9F1208U0M的命令、地址和數(shù)據操作可通過不同的端口進行，簡化了K9F1208U0M讀寫控制的難度。

2.4 讀寫操作流程

圖3所示為K9F1208U0M的寫時序流程。

由圖3可看出，進行寫操作時先要寫入命令字80H，通知K9F1208U0M要進行寫操作，然后順序寫入目的地地址和待寫入的數(shù)據。應該注意的是，地址只需寫入一次，便可以連續(xù)寫入多個字節(jié)數(shù)據。地址指針的調整是由K9F1208U0M內部邏輯控制的，不用外部干預。寫入操作是以頁為單位（1～528字節(jié)）進行的，即每次連續(xù)寫入能超過528個字節(jié)。這是由于K9F1208U0M的工作方式決定的：寫入的數(shù)據先保存至Flash內部的頁寄存器（528字節(jié)）中，然后再寫入存儲單元。數(shù)據寫完之后還要給K9F1208U0M發(fā)出1個寫操作指令10H，通知其將頁寄存器中的數(shù)據寫入存儲單元，隨后就應該對狀態(tài)引腳進行查詢。如果該引腳為低，表明此次寫操作結束。最后的步驟是數(shù)據校驗，如果采用了ECC校驗模式，則此步驟可以省略。

其它操作如讀操作、擦除操作等過程均與此類似，可參考相關的器件說明文檔。限于篇，這里不再多述。

2.5 注意事項

在以K9F1208U0M為數(shù)據存儲介質的系統(tǒng)設計中，需要注意無效塊的問題。無效塊即包含一個和多個無效數(shù)據位的塊。由于結構方面的原因，一塊（32頁）中有一個無效位也會導致整個塊無效。因此，系統(tǒng)必須在寫入數(shù)據時避開無效塊。出廠時，每片K9F1208U0M的無效塊信息均保存在一個無效塊信息表中，可以根據該表中的原始無效塊信息識別無效塊的位置。在K9F1208U0M的使用過程中，應隨時對無效塊情況進行檢查和更新，以保證無效塊表內容的準確性；同時，應該禁止任何試圖擦除無效塊信息表的操作。

3 閃速存儲器在圖像采集記錄系統(tǒng)中應用

圖4是一種采用閃速存儲器為圖像記錄介質的數(shù)字圖像采集記錄系統(tǒng)的原理框圖。

在該系統(tǒng)中，通過光學鏡頭把像成在位于焦平面處的CMOS圖像傳感器（OV7620）的像面上。CMOS圖像傳感器對其進行空閑采用并數(shù)字化以后，直接輸出分辨率為512×480的8位灰度數(shù)字圖像數(shù)據。由于K9F1208U0M的讀寫時序無法與CMOS圖像傳感器配合，因此，需要在兩者之間加一個靜態(tài)緩存。這里使用的是HM62815（512×8位SRAM）。先把圖像數(shù)據保存在靜態(tài)緩存中，然后通過AVR單片機的控制，把圖像轉存到K9F1208U0M里。至于何時需要轉存，則由AVR單片機根據外部控制命令接口傳來的命令；同時，還要由CMOS圖像傳感器輸出的行場同步時序信號來決定。

圖像記錄保存的最終目的是要顯示出來，因此還需要把保存在閃速存儲器K9F1208U0M中的圖像數(shù)據讀出。本系統(tǒng)中K9F1208U0M的圖像數(shù)據是通過USB接口讀出的。采用了AVR系列的AT90S8515單片機作為USB接口控制器，負責對與上位機通信用的USB接口進行配置及管理，此外，其主要的工作還包括對靜態(tài)緩存、K9F1208U0M等進行讀寫控制。在上位機中采用Visual C++語言編寫相應的圖像數(shù)據采集軟件，就能夠實現(xiàn)通過USB總線對K9F1208U0M中圖像數(shù)據的讀取、顯示及保存。

該圖像采集系統(tǒng)輸出的數(shù)字圖像分辨率為512×480，而K9F1208U0M是64M×8位的閃速存儲器；因此，最多可以存儲272張圖片，并且讀寫速度達到300kB/s，基本能夠滿足一般使用的要求。

4 結論

閃速存儲器是圖像采集記錄系統(tǒng)中的記憶部分，對它的希望就是讀寫速度快、容量大以及操作方便。通過對Samsung公司采用NAND技術的閃速存儲器K9F1208U0M進行的研究表明：K9F1208U0M器件與系統(tǒng)的接口十分簡單、操作靈活方便、器件從硬件到軟件均有多種保護、數(shù)據可靠性高、使用壽命長，為大容量固態(tài)圖像存儲器市場提供了最具成本效益的解決方案，因而在各種數(shù)字圖像采集和存儲應用領域具有廣闊的應用前景。