EL7532是帶有內(nèi)部補(bǔ)償?shù)耐郊蒄ET2A降壓穩(wěn)壓器。它工作的輸入電壓范圍為2.5V~5.5V，適用于3.3V，5V的電源，或鋰離子電池。輸出可通過(guò)電阻分壓器從外部設(shè)置，范圍為0.8V~VIN。

EL7532的主要特點(diǎn)是PWM模式控制。它的工作頻率的典型值是1.5MHz。其他特點(diǎn)還包括100ms的上電復(fù)位輸出，小于1μA的關(guān)機(jī)電流，短路保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)。

啟動(dòng)和關(guān)機(jī)

當(dāng)EN引腳連接到VIN和VIN到達(dá)約2.4V的穩(wěn)壓器開(kāi)始切換。該輸出電壓逐漸增加，以確保適當(dāng)?shù)能涢_(kāi)始操作。當(dāng)EN引腳被連接到一個(gè)邏輯低電平時(shí)，EL7532是在停機(jī)方式下。所有的控制電路和兩個(gè)MOSFET都被切斷，而VOUT下降到零。在這種模式下，總輸入電流小于1μA。當(dāng)EN達(dá)到邏輯高電平，調(diào)節(jié)重復(fù)啟動(dòng)步驟，包括軟啟動(dòng)功能。

典型應(yīng)用

PWM工作模式

在PWM模式中，P溝道MOSFET和N溝道MOSFET通常進(jìn)行互補(bǔ)。當(dāng)用PMOSFET是上和NMOS場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，電感器電流線性增加。輸入能量被轉(zhuǎn)移到輸出并也被存儲(chǔ)在電感器。當(dāng)P溝道MOSFET導(dǎo)通和關(guān)閉，電感器的N溝道MOSFET電流線性減小，并且能量從轉(zhuǎn)移電感器的輸出。因此，平均電流通過(guò)電感器為輸出電流。由于電感和輸出電容充當(dāng)?shù)屯V波器，占空比周期比大約等于VO用V劃分IN.輸出LC濾波器具有二階效應(yīng)。為了保持轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)定性，整體控制器必須補(bǔ)償。這與在內(nèi)部做固定補(bǔ)償?shù)恼`差放大器和PWM補(bǔ)償器。因?yàn)檠a(bǔ)償是固定的，輸入的值和輸出電容為10μF 22μF的陶瓷。該電感器的標(biāo)稱值是1.8μH，1.5μH雖為2.2μH可使用。

100%占空比操作EL7532采用CMOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為內(nèi)部同步電源開(kāi)關(guān)。上部開(kāi)關(guān)是PMOS和更低的開(kāi)關(guān)是NMOS 。這不僅節(jié)省了開(kāi)機(jī)電容，而且可以100%打開(kāi)上位PFET的開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)了VO接近VIN?？蛇_(dá)到的最大VO是，VO=VIN–(RL+RDSON1)×IO 其中RL是電感和R的直流電阻DSON1PFET導(dǎo)通電阻，標(biāo)稱70mΩ在室溫下與溫度系數(shù)0.2mΩ/℃的含量。隨著輸入電壓逐漸降至接近或甚至低于預(yù)置VO時(shí)，轉(zhuǎn)換器進(jìn)入100%的占空比。在這條件下，上位PFET需要一定的最小關(guān)斷時(shí)間，如果它被關(guān)閉。這個(gè)關(guān)斷時(shí)間是與輸入/輸出條件。這使得占空比隨機(jī)出現(xiàn)和增加輸出紋波有些直至100%的占空比被達(dá)到。較大的輸出電容可以減少隨機(jī)找紋波。用戶需要驗(yàn)證，如果這個(gè)條件具有整體的電路，如果接近100%上產(chǎn)生不良影響占空比被預(yù)期。

RSI/POR功能當(dāng)通電時(shí)，集電極開(kāi)路上電復(fù)位大約100ms的V后輸出保持低電平O到達(dá)預(yù)設(shè)電壓。當(dāng)活動(dòng)喜復(fù)位信號(hào)RSI為發(fā)行，POR立即變?yōu)榈碗娖?，并保存了RSI的時(shí)間后，同一時(shí)期又回到低電平。該輸出電壓不受影響。當(dāng)該功能沒(méi)有被使用，將RSI地面和留有余地的上拉電阻?4在POR引腳。上電復(fù)位輸出也作為一個(gè)100ms的延遲電源良好的信號(hào)時(shí)，上拉電阻?4已安裝。該RSI管腳要直接(或間接通過(guò)一個(gè)電阻R6)，連接到接地此才能正常工作。

時(shí)序圖

電流限制和短路保護(hù)

電流極限設(shè)定為大約3A對(duì)于PMOS。當(dāng)一個(gè)短路發(fā)生在負(fù)載時(shí)，預(yù)設(shè)的電流限制限制了當(dāng)前可用的量來(lái)輸出，該輸出使輸出電壓下降到低于預(yù)定電壓。在此期間，過(guò)量的電流加熱的調(diào)節(jié)器，直到達(dá)到熱關(guān)斷點(diǎn)。

熱關(guān)斷

一旦結(jié)點(diǎn)溫度達(dá)到145℃時(shí)，穩(wěn)壓器關(guān)下來(lái)。兩個(gè)P溝道和N溝道MOSFET開(kāi)啟關(guān)。輸出電壓將下降到零。與輸出MOSFET的關(guān)斷時(shí)，穩(wěn)壓器將很快降溫。一旦結(jié)點(diǎn)溫度下降到約130℃，則調(diào)節(jié)器將再次重新啟動(dòng)中的相同方法EN引腳連接到邏輯高電平。

熱性能

EL7532是在熔融鉛MSOP10包。相比到正規(guī)MSOP10包，該稠合引線封裝提供更低的熱阻。典型的θJAof115℃/W可通過(guò)最大化周圍的覆銅面積改善銷。一θJA以100℃/W能夠在一個(gè)四層電路板來(lái)實(shí)現(xiàn)和125℃/上2層基板W。

引腳