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[導(dǎo)讀]EL6249C是美國Elantec半導(dǎo)體公司推出的四通道激光二極管電流放大器。


   摘要:EL6249C是美國Elantec半導(dǎo)體公司推出的四通道激光二極管電流放大器。文中根據(jù)頻閃成像原理,利用EL6249C設(shè)計了一套頻閃驅(qū)動電路,該驅(qū)動電路可驅(qū)動高亮LEC,以產(chǎn)生MEMS動態(tài)測試中所需的頻閃光,為后續(xù)MEMS器件的動態(tài)特性提取和分析做準(zhǔn)備。

    關(guān)鍵詞:MEMS EL6249C 動態(tài)測試 頻閃

1 引言

微電子機械系統(tǒng)(MEMS)是在微電子技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的多學(xué)科交叉的新興學(xué)科。由于它與傳統(tǒng)機械系統(tǒng)相比,具有可大批量生產(chǎn)、成本低、功耗小、集成化等一系列顯著的優(yōu)點,近十年來得到了迅速的發(fā)展。隨著MEMS從研究階段逐漸步入產(chǎn)業(yè)化階段,其對測試系統(tǒng)的需求也越來越迫切。特別是對動態(tài)特性的測試技術(shù),這是因為MEMS的動態(tài)特性決定了MEMS器件的基本性能;而且MEMS微結(jié)構(gòu)三維微運動情況、材料屬性及機械力學(xué)參數(shù)、MEMS可靠性與器件失效模式、失效機理等關(guān)鍵問題均可通過MEMS動態(tài)測試技術(shù)加以解決;同時,通過動態(tài)測試技術(shù),還可以研究一系列相關(guān)的基礎(chǔ)理論問題。因此,MEMS動態(tài)測試技術(shù)近年來得到了國內(nèi)外許多MEMS研究機構(gòu)的高度重視。

    由于許多MEMS器件的運動頻率都比較高,一般在50~500kHz左右,甚至更高。在這種情況下,如果用攝像機在連續(xù)光照下采集高速運動的MEMS器件的運動圖像,由于CCD的曝光時間一般需要30ms,因此,最終得到的圖像是模糊的。這樣不能正確反映MEMS器件在某一個位置的運動情況。為了能夠采集到高速運動的MEMS器件的清晰運動圖像,筆者引用了頻閃成像技術(shù),同時利用這個技術(shù)捕獲到了MEMS器件運動時瞬間的清晰圖像。在通過頻閃成像技術(shù)得到一系列不同時刻不同相位的MEMS器件運動的清晰圖像后,筆者采用機器微視覺技術(shù)(如塊匹配或光流法)來對它們進(jìn)行分析處理,從而得到MEMS器件的運動特性。頻閃成像技術(shù)的關(guān)鍵問題之一是如何產(chǎn)生頻閃成像所需的頻閃光。選用EL6249C驅(qū)動高亮LED產(chǎn)生所需的頻閃光后,就可以利用頻閃照明原理來采集高速運動的MEMS器件的清晰圖像,從而為后續(xù)MEMS器件動態(tài)特性的提取和分析做充分地準(zhǔn)備。下面具體介紹頻閃成像的原理、EL6249C的基本功能及其在MEMS動態(tài)測試中的具體運用。

2 頻閃成像原理

運動MEMS器件的運動頻率都相當(dāng)高,一般在50~500kHz左右。為了利用機器微視覺技術(shù)對高速運動的MEMS器件的運動狀態(tài)進(jìn)行描述,可引入頻閃成像技術(shù)。頻閃成像技術(shù)來自頻閃效應(yīng)原理。所謂頻閃效應(yīng),就是物體在人的視野中消失后能留一定時間的視覺印象,即視后效。視后效的持續(xù)時間,在物體一般光度條件下約在1/5~1/20s的范圍內(nèi)。如果來自被觀察物體的視覺刺激信號是一個跟一個的信號,每兩次間隔都少于1/20s,則視覺來不及消失,從而給人以連貫的假象。此時,如果用一閃一閃的光來照明周期運動的MEMS器件,則在MEMS器件的運動頻率與閃光頻率相等時,就相當(dāng)于閃光燈“凍結(jié)”在某個位置上,這樣,通過多次曝光即可得到MEMS器件在此相位的清晰圖像。圖1所示為頻閃成像原理。假設(shè)要采集高速運動的MEMS器件零相位時的清晰圖像,首先可用函數(shù)發(fā)生器來產(chǎn)生照明所需的窄脈沖信號,此信號的周期與MEMS器件的驅(qū)動信號相同且在零相位保持同步。即每個周期內(nèi)高電平的位置應(yīng)與MEMS驅(qū)動信號的零相位位置一致。只有這樣才能捕捉到MEMS器件零相位時的運動圖像。為了使照明的效果進(jìn)一步優(yōu)化,照明信號高電平的時間應(yīng)為100ns~1000ns。這樣,利用這一照明信號并通過頻閃驅(qū)動電路來驅(qū)動高亮度LED以便使其發(fā)出足夠強度的光照,就可以使CCD在零相位多次曝光,從而最終得到所需的固定圖像。

    從頻閃成像原理可以看出,為了能夠采集到高速運動的MEMS器件在不同運動相位、不同驅(qū)動頻率下的清晰圖像,需要設(shè)計一個頻閃照明電路。因為成像的好壞直接影響到后續(xù)MEMS器件運動特性的提取與分析,所以它對LED有很高的要求。首先要有足夠的強度,且對其穩(wěn)定性、可控性也有較高的要求。本文選用LuxeoTM Star的LED來滿足應(yīng)用需求。實際上,要讓LED發(fā)出頻閃成像所需的頻閃光,通常還需要進(jìn)一步設(shè)計頻閃驅(qū)動電路。為此,筆者以EL6249C作為驅(qū)動LuxeoTM Star發(fā)光的驅(qū)動芯片設(shè)計了一個簡單可靠地頻閃照明電路。3?。牛蹋叮玻矗梗玫幕竟ぷ髟?/P>

EL6249C是一個四通道的激光二極管電流放大器。它采用QSOP封裝形式,其引腳排列如圖2所示。各個引腳的功能如表1所列。

表1 EL6249C的引腳說明

引腳號 符  號 名  稱 功  能  及  用  法
13 GND 輸入級地端 接供電電源VCC地
9 VCC 輸入級工作電源端 供電電源,為抗干擾,該端應(yīng)接去耦網(wǎng)絡(luò)
14 IOUT 輸出級電流 供給激光二極管的輸出電流
1,2,4,5 IIN 輸入級電流 供給放大器的輸入電流
6,7,8 OUTEN 輸出控制端 輸出電流的數(shù)字控制端(OUTEN Low=No) IOUT,不能懸空
11 ENABLE 電路使能端 ENABLE Low=No IOUT,不能懸空
3 RFREQ 振蕩頻率控制端 接外部電阻來設(shè)置振蕩器的振蕩頻率
12 RAMP 振蕩幅度控制端 接外部電阻來設(shè)置振蕩器的振蕩幅度
10 OSCEN 振蕩器控制端 OSCEN Low=Oscillator Off

當(dāng)EL6249C工作時,它可以提供受控的電流給激光二極管。四個通道之和作為IOUT的輸出,從而允許用戶創(chuàng)建多級波形以優(yōu)化激光二極管的性能。輸出電流的級數(shù)由模擬電壓施加一個外部電阻來設(shè)置。通常該電阻可以將電壓轉(zhuǎn)換成電流輸入到IIN管腳,然后這個管腳上的電流再經(jīng)內(nèi)部電路放大后由IOUT輸出,以驅(qū)動激光二極管發(fā)光。

EL6249C片內(nèi)還有一個500MHz的振蕩器。當(dāng)輸出電流為讀模式時,可以對其進(jìn)行調(diào)制。當(dāng)引腳OSCEN為高時,振蕩器被使能。如果通道2、3、4都未激活,則振蕩器關(guān)閉。振蕩器幅度和頻率的控制可由兩個外部電阻與管腳RFREQ和RAMP相連來設(shè)置。

EL6249C的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖3所示。電路中輸出電流的級數(shù)由管腳OUTEN2、OUTEN3和OUTEN4的高低電平共同決定;片內(nèi)振蕩器的使能則由管腳OSCEN、OUTEN2、OUTEN3和OUTEN4的高電平來使能;管腳ENABLE則用于控制整個電路的使能。EN-ABLE為高電平時,整個電路才能正常工作,但應(yīng)注意,該腳不能懸空。

圖4給出了EL6249C的一種典型應(yīng)用電路。在該電路的運行過程中,由于高電流值需要快速地on/off切換,所以保證電源供應(yīng)的有效去耦非常重要。在切換過程中,VCC承受著極大的瞬態(tài)電流,因此應(yīng)該給VCC去耦,并將激光二極管的陰極與去耦電容以一個短路徑相連。由于導(dǎo)線的電感,即使選用一個非常好的旁路電容也會受到響應(yīng)限制,因此有必要在電源旁放置一個電感,并且在電感旁接一個去耦電容來防止供應(yīng)線上的切換電流產(chǎn)生的電磁干擾。

4?。牛蹋叮玻矗梗迷冢停牛停訙y試中的應(yīng)用

根據(jù)頻閃成像原理,為了采集到MEMS器件高速運動時的清晰圖像,本文選用EL6249C作為驅(qū)動芯片來驅(qū)動高亮度激光二極管發(fā)光,并利用函數(shù)發(fā)生器產(chǎn)生頻率與MEMS運動頻率相同的窄脈沖信號,同時用其作為EL6249C的控制信號,然后設(shè)置合適的外接電阻以使EL6249C輸出適當(dāng)?shù)碾娏鱽眚?qū)動LED發(fā)出所需的頻閃光。圖5為筆者設(shè)計的頻閃照明電路原理圖。

在本電路中,為了保證供電電壓穩(wěn)定在所需的5V上,筆者選用了MAX8869,這樣可以更好地提高整個電路的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性。

5 結(jié)論

本文從MEMS動態(tài)測試的需求出發(fā),根據(jù)頻閃成像原理,利用EL6249C作為驅(qū)動芯片來驅(qū)動高亮度激光二極管發(fā)出頻閃光,以便采集高速運動的MEMS器件在不同相位不同頻率下的清晰圖像,從而為后續(xù)MEMS器件運動特性的提取與分析做充分地準(zhǔn)備。實驗證明,此設(shè)計是行之有效的。

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