TCD1206是一款高靈敏度、低暗電流、2160像元的雙溝道線陣CCD圖像傳感器。由2236個PN結光電二極管構成光敏元陣列，其中前64個和后12個是用作暗電流檢測而被遮蔽的，中間2160個光電二極管是曝光像敏單元，每個光敏單元的尺寸為長14μm、高14μm，中心距亦為14μm。光敏元陣列總長為30.24 mm。

　　TCD1206的主要特性有：1)光敏像元數(shù)為2 160像元;2)像敏單元為：14μmxl 414μm(相鄰像元中心距為14μm);3)光譜范圍為250～l 100 nm：4)光敏區(qū)域采用高靈敏度PN結作為光敏單元;5)時鐘為二相(5 V);6)內(nèi)部電路包含采樣保持電路，輸出預放大電路;7)采用22引腳DIP封裝。

　　TCD1206的結構原理和引腳功能

　結構原理

　　TCD1206是二相電極的雙溝道線型CCD，其結構原理如圖1所示。中間一排是由多個光敏二極管構成的光敏陣列，有效單元為2 160位，其作用是接收照射到CCD硅片的光，并將其轉化成電荷信號，光敏元兩側是存儲其電荷的MOS電容列一存儲柵。MOS電容列兩側是轉移柵電極SH。轉移柵的兩側為CCD模擬移位寄存器，其輸出部分由信號輸出單元和補償單元構成。

　　引腳功能

　　TCD1206器件采用DIP封裝，各引腳功能如表1所示。

　　 驅(qū)動時序及驅(qū)動設計

　　驅(qū)動時序分析

　　TCD1206在圖2所示的驅(qū)動脈沖作用下工作。當SH脈沖高電平到來時，φ1脈沖為高電平，其下形成深勢阱，同時SH的高電平使φ1電極下的深勢阱與MOS電容存儲勢阱溝通。MOS電容中的信號電荷包通過轉移柵轉移到模擬移位寄存器的φ1電極下的勢阱中。當φSH由高變低時，φSH低電平形成的淺勢阱將存儲柵下的勢阱與φ1電極下的勢阱隔離開。存儲柵勢阱進入光積分狀態(tài)，而模擬移位寄存器將在φ1與φ2脈沖的作用下驅(qū)使轉移到φ1電極下的勢阱中的信號電荷向左轉移，并經(jīng)輸出電路由OS電極輸出。DOS端輸出補償信號。