這篇主要講解dracula LPE部分，其中LPE—Layout Parasitic Extraction即版圖寄生提取，開始為介紹LPE中用到的dracula命令，接著是LPE Dracula command file的例子，最后是實例操作與結果分析。

LPE提取過程大概分三個階段，LVS比對與器件匹配、器件創(chuàng)建與提取、輸出格式文件。LPE應該是有選擇性的，對整個chip講，LPE會產(chǎn)生很大的netlist同時也消耗大量的仿真時間，所以選擇有需要的部分進行提取是十分有用的。

(一)、LPE 常用dracula 命令

PARSET=pname, param1, param2…paramn

命名一個參數(shù)集合，參數(shù)可以是幾何單元或者數(shù)值參數(shù)。在提取參數(shù)時，LEXTRACT和EQUATION會用到這些參數(shù)。通常名稱最長4個字符或數(shù)字，開關必須為字母，不允許出現(xiàn)MOSD、DIOD、DIO2、DIO3、CAPD、CAPF、BJTD、RESD，默認為CAPO。集合最多包含18個參數(shù)，前10個用于SPICE，后8個用于LPE。

參數(shù)可以有三種類型：

幾何單元(線段、多邊形等)，提取的值與每個LEXTRACT中的layer-a(device layer)相關，這些值不能被等式所改變。字元具體含義如下：

ANG:  total internal angle

AREA:  area

PERI:  perimeter

W1:  overlapped perimeter to node1 of second layer

W2:  overlapped perimeter to node2 of second layer

OVAR:  overlapped area to second layer

OVPR:  overlapped perimeter to second layer

WIDT:  distance that the geometries on the layer run parallel

DEPT:  distance between the parallel geometries

TPR:  perimeter of touching geometries that case fringe effect

CLL:  sum of fringe effect related to TPR

保留字參數(shù)，這些參數(shù)與特定的device 相關，其值可以使用EQUATION 命令來改變。

W:  MOS, BJT and RES channel Width

L:  MOS, BJT and RES channel Length

AD/ PD/ AS/ PS : MOS

A1/ A2/ A3: DIO area

P1/ P2/ P3: DIO perimeter

C: CAP value

R: RES value

CA: BJT collector area

CP: BJT collector perimeter

BA: BJT base area

BP: BJT base perimeter

EA: BJT emitter area

EP: BJT emitter perimeter

K: fringe capacitance, attribute 2

用戶自定參數(shù)，最長四個字符或數(shù)字，開頭必須為字母。

MODEL = (layout-element, model-name …)

連接element 與仿真model 名稱，這些名稱通過LPE以SPICE格式輸出。

UNIT = (parameter-name, parameter-unit …)

給定單位。例： UNIT = capacitance, pf area, p perimeter, u resistance, k

PREFIX-PARASITIC = (parasitic-element, prefix…)

指定LPE輸出到SPICE或CDL netlist中寄生device名稱的前綴。例：PREFIX-PARASITIC=CAP,CC DIO,DID RES,RAN

SUBCKT-NAME = name

指定LPE輸出SPICE文檔中top subcircuit 的名稱，如果沒有指定將默認為LPESELECT中輸出文件的名稱。

LUMPCAP = YES /NO /{subtype1,factor1 …}/{ALL,factor}

打開塊狀電容提取模式。REDUCE=YES將自動打開該命令。

其他相關命令：LPE-QUERY, SELECT-MODE, NODE-FILE, NODE-SELECT.

LEXTRACT pset layer-a {layer-b} by [element [type] / parasitic [type] / node] {pfname}{&}

從device (BJT、CAP、DIO、MOS、RES)的一或兩層提取圖形單元。提取參數(shù)的多少由parset 定義的參數(shù)集合來決定。第一層必須是device 層或者用DEVTAG命令標識過device number的層。定義第二層可以增加提取第一層時的參數(shù)。LEXTRACT通常與EQUATION連接起來使用。DEVTAG、LEXTRACT、LVSCHK、LPECHK等命令語句需要分類集合，不這樣做Dracula 也不會報錯，但結果可能有誤。

EQUATION K parameter = FORTRAN-Expression {&}
 
等式定義，不要在語句中使用tab字符，否則將導致LPEXTR失敗。K為邊緣系數(shù)，應用于同一層或不同層之間的邊緣參數(shù)提取。僅可使用DEPT或WIDT作為參數(shù)。等式可用函數(shù)：LOG、EXP、MAX、MIN、SIN、COS、TAN、ASIN、ACOS、ATAN、SINH、COSH、TANH、SQRT、LOGIO。等式最長為80個字符。

CALCULATE RATIONFILE parExpression

計算比重，從COMPUTE命令擴展而來。檢查“天線效應”時還會同時使用LEXTRACT和CHKPAR命令。

CHKPAR  [option] infile layer-a relation value1 {value2} [{outlayer} {output c-name l-num} {data-type}]

從COMPUTE命令結果中選取一組節(jié)點。輸出結果到log 文檔，并以LISTERROR=YES/ NO作為開關選項。

PARAMETER CAP [type] value-a value-b

輸入單位面積(value-a)和單位周長(value-b)的值。LVS提取電容值，與ELEMENT CAP 連接使用。

PARAMETER RES [type] value

輸入單位電阻值與ELEMENT RES連接使用。

定義器件及寄生器件：

ELEMENT MOS {[type]} layer-a layer-b layer-c {layer-d};;device layer+g+s/d+sub

ELEMENT CAP {[type]} layer-a layer-b layer-c {layer-s}

ELEMENT RES {[type]} layer-a layer-b {layer-d}

ELEMENT BJT {[type]} layer-a layer-b layer-c layer-d {layer-s}

ELEMENT DIO {[type]} layer-a layer-b layer-c {layer-s}

ELEMENT LDD {[type]} layer-a layer-b layer-c layer-d {layer-e}

ELEMENT  PAD {[type]} layer-a layer-b

ELEMENT device layer-a layer-b {layer-c} {layer-d} {layer-e}

PARASITIC CAP[R] [subtype] deviceLayer termLayer1 termLayer2

PARASITIC RES [type] layer-a layer-b {layer-c}

PARASITIC DIO [type] layer-a layer-b layer-c {layer-d} {layer-e}

標識device layer：

DEVTAG element[type] layer-b layer-c

(for tagging from a defined ELEMENT BJT  device)

DEVTAG [L] layer-a layer-b layer-c

(for tagging from an intermediate layer)

DEVTAG [S] BJT [type] layer-d layer-e

用device layer將device layer number傳遞給device的其他層。

ATTACH device-subType parameter-file {parset-name} {&}

當使用LEXTRACT NODE 選項可以提取source/drain 參數(shù)，使用ATTACH命令將這些參數(shù)分配給指定的MOS或LDD。

ATTRIBUTE CAP

For area and perimeter capacitance

PARASITIC CAP {type} layer-a layer-b layer-c

ATTRIBUTE CAP {type} value-a value-b

For same-layer fringe-field capacitance

PARASITIC CAP {type} layer-a layer-a layer-a

ATTRIBUTE CAP {type} value-a1 value-b1

ATTRIBUTE CAP {type} value-a2 value-b2

For same-layer or different-layer fringe-field capacitance

FRINGE CAP {type} layer-a layer-b

ATTRIBUTE CAP {type} value-a1 value-b1

ATTRIBUTE CAP {type} value-a2 value-b2

For overlap capacitance with consideration of the fringe effect of the first terminal layer on the overlap capacitance

PARASITIC CAP {subtype} device-layer terminal-layer1 terminal-layer2

ATTRIBUTE CAP {subtype} areaCoeff perimCoeff depthRange sidewallCoeff

將從工藝所得的數(shù)據(jù)指定給PARASITIC CAP或FRINGE CAP命令，并運用于等式計算。

ATTRIBUTE RES [type] sheet_res_value  {smashResValue maxResValue}

將從工藝所得的單位電阻值指定給PRASITIC RES命令，單位不會受UNIT命令影響。

LPECHK  …

說明進行LPE提取，其選項與LVS相似，可參考LVSCHK選項。

LPESELECT  {[options]} element {[type]} {GE/ GT value-a} {RANGE value-a value-b} {CORNER = n1} {OUTPUT c-name {l-num}} {&}

選擇一組element以CDL或SPICE格式輸出。常用選項含義如：

A：輸出電容全部節(jié)點，包括P/G節(jié)點

C：檢查交叉耦合電容

N：使用SPICE輸出格式

K：保持并聯(lián)結構

S：輸出時保持schematic的名稱

Y：輸出device X, Y坐標