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[導(dǎo)讀]電磁兼容性(EMC)是開關(guān)電源的設(shè)計難點之一,需綜合考慮PCB布線、變壓器設(shè)計、EMC濾波器結(jié)構(gòu)等因素。 芯朋微技術(shù)團隊本期為大家分享幾個EMC優(yōu)化典型案例,說明PCB布線的重要性。 ★案例一:傳導(dǎo)優(yōu)化 問題描述: 該

電磁兼容性(EMC)是開關(guān)電源的設(shè)計難點之一,需綜合考慮PCB布線、變壓器設(shè)計、EMC濾波器結(jié)構(gòu)等因素。
芯朋微技術(shù)團隊本期為大家分享幾個EMC優(yōu)化典型案例,說明PCB布線的重要性。
★案例一:傳導(dǎo)優(yōu)化
問題描述:
該案例為5V2A帶Y充電器,原始PCB布線如圖1,傳導(dǎo)測試結(jié)果(圖2)在500kHz附近裕量不足3dB。


圖1 5V2A充電器原始布線


圖2 5V2A充電器原始布線傳導(dǎo)結(jié)果


原因分析:
由于主控PSR芯片工作在電流斷續(xù)模式,在去磁結(jié)束后存在勵磁電感與寄生電容振蕩,該振蕩頻率約為500kHz。由圖1布線可見LN線(即橋堆輸入部分)離SW干擾源(D1正極)較近,部分開關(guān)干擾串入LISN導(dǎo)致傳導(dǎo)裕量不足。
改善對策:
改善PCB布線如圖3,相同電路參數(shù)下,增大LN線與SW干擾源空間距離,500kHz傳導(dǎo)裕量增大至6dB以上(圖4)。


圖3 5V2A充電器改善布線


圖4 5V2A充電器改善布線傳導(dǎo)結(jié)果


★案例二:輻射優(yōu)化
問題描述:
該案例為5V3.4A充電器,原始PCB布線如圖5,輻射測試40MHz超標(biāo)7dB以上(圖6)。


圖5 5V3.4A充電器原始布線


圖6 5V3.4A充電器原始布線輻射結(jié)果


原因分析:
主開關(guān)管Drain極為強干擾源, RCD吸收用以減弱此干擾量,圖5中RCD吸收遠(yuǎn)離Drain極,造成干擾量擴散。
改善對策:
改善PCB布線如圖7,由于RCD吸收靠近Drain極,干擾能量迅速被吸收,輻射裕量改善15dB(圖8)。


圖7 5V3.4A充電器改善布線


圖8 5V3.4A充電器改善布線輻射結(jié)果


★案例三:EFT優(yōu)化
問題描述:
該案例為12V0.5A去Y適配器,原始PCB布線如圖9(共模電感在整流橋前面,紅色標(biāo)注為干擾源,黃色標(biāo)注為主控芯片的反饋回路),存在EFT 2kV掉電重啟問題。


圖9 12V0.5A適配器原始布線


原因分析:
主控反饋回路太長且靠近干擾源。
改善對策:
改善PCB布線如圖10(共模電感放整流濾波后,黑色標(biāo)注為GND,黃色標(biāo)注為主控反饋回路),由于反饋回路大幅縮短且被地線包圍,EFT輕松通過4kV 標(biāo)準(zhǔn)A。


圖10 12V0.5A適配器改善布線


★案例四:ESD優(yōu)化
問題描述:
該案例為12V1A帶Y適配器,原始PCB布線如圖11,存在主控芯片在適配器ESD測試后高概率損壞問題。


圖11 12V1A適配器原始布線

原因分析:
主控信號回路VDD GND與Y-Cap GND共線,干擾能量通過Y電容耦合損壞芯片。
改善對策:
改善PCB布線如圖12,主控信號回路VDD GND與Y-Cap GND分開,ESD輕松通過8kV接觸/15kV空氣 標(biāo)準(zhǔn)A。


圖12 12V1A適配器改善布線

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