濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 MICrostructures在SEMICON China期間推出了干法刻蝕模塊與氧化物釋放技術(shù)，該技術(shù)為MEMS器件設(shè)計(jì)師提供了更多的生產(chǎn)選擇，同時(shí)帶來了寬泛的制造工藝窗口，從而使良率得到了提升。

SVR-vHF氧化物釋放模塊結(jié)合現(xiàn)有的memsstar SVR-Xe 犧牲性汽相釋放模塊，利用無水氫氟蒸汽(aHF)來去除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)。SVR蝕刻方法可以完全地去除犧牲材料而不損害機(jī)械結(jié)構(gòu)或?qū)е吗じ剑瑫r(shí)提供了高度的可選擇性、可重復(fù)性和均勻性。SVR保留有干燥的表面，沒有任何殘留物或水汽，這也省去了包含在濕法工藝中的表面準(zhǔn)備、引入酸、中和以及隨后的干燥等步驟。

SVR與CMOS工藝和CMOS晶圓設(shè)施是兼容的，這使得MEMS器件可以像傳統(tǒng)的集成電路一樣在相同的設(shè)施和基板上進(jìn)行生產(chǎn)，這也將適用于新類型的單片MEMS/CMOS 器件。SVR進(jìn)一步的好處包括減少材料的使用和更低的浪費(fèi)。