NEC公司和NEC電子公司近日推出多層Cu/Low-k互連技術(shù)，適于第二代65nm節(jié)點(diǎn)VLSI應(yīng)用。通過改善互連結(jié)構(gòu)和介質(zhì)材料，減小有效介電常數(shù)，keff，在不影響可靠性的前提下使keff的目標(biāo)值達(dá)到3.0。與常規(guī)結(jié)構(gòu)比較，互連功耗縮減了15%，信號(hào)速度提高24%。

Cu/Low-k互連技術(shù)特性：

（1）為第二代65nm節(jié)點(diǎn)低功耗VLSI應(yīng)用開發(fā)出采用雙重鑲嵌（DD）結(jié)構(gòu)的高性能、多層Cu/Low-k互連技術(shù)

（2）開發(fā)DD互連結(jié)構(gòu)，引入具有次微毫米孔隙的多孔low-k電介質(zhì)，通過連接寄生電容，可使互連功耗減少15%。借助薄勢(shì)壘金屬的耦合作用，使互連CR產(chǎn)品的性能提升24%

（3）開發(fā)"DD孔隙封焊技術(shù)"，使用超薄有機(jī)low-k薄膜覆蓋多孔low-k薄膜的所有側(cè)面，通路電介質(zhì)可靠性提升5倍

采用多孔low-k薄膜的高性能DD互連技術(shù)要點(diǎn)：

1）蝕刻技術(shù)，減少對(duì)low-k薄膜等離子體的損壞
2）低熱預(yù)算處理，抑制銅互連中的熱應(yīng)力

采用DD孔隙封焊技術(shù)以保證通路電介質(zhì)的可靠性，用等離子體聚合BCB（p-BCB）薄膜作為孔隙封焊薄膜，線路電阻和通路電阻可分別減少9%和75%。

NEC將致力于開發(fā)這項(xiàng)技術(shù)的早期產(chǎn)品，預(yù)計(jì)在2004年6月15日的夏威夷VLSI技術(shù)座談會(huì)上公布研發(fā)結(jié)果。