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[導(dǎo)讀]安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)于2006年6月5日推出便攜式應(yīng)用帶來(lái)領(lǐng)先效能與設(shè)計(jì)靈活度的新功率MOSFET產(chǎn)品µCool™系列,新推出的首六款µCool™器件采用強(qiáng)化散熱的超小型WDFN6封裝。 新推出

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)于2006年6月5日推出便攜式應(yīng)用帶來(lái)領(lǐng)先效能與設(shè)計(jì)靈活度的新功率MOSFET產(chǎn)品µCool™系列,新推出的首六款µCool™器件采用強(qiáng)化散熱的超小型WDFN6封裝。

新推出的六款µCool™產(chǎn)品采用外露漏極DFN封裝技術(shù),可以在極小的4 mm2面積上取得卓越的熱阻(38oC/W)與額定功率 (1.9 W),額定持續(xù)功率比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SD-88封裝提高了高達(dá)190%,比SD-70-6扁平引腳封裝提供高了130%。由功率的角度來(lái)看,采用WDFN6封裝的 µCool™器件能更有效益的使用便攜式應(yīng)用中寶貴的電路板空間。

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