在選擇一個(gè)具體電容時(shí)，不僅要考慮其自諧振頻率，還同樣要考慮電容的介質(zhì)材料工藝。電容產(chǎn)品中最常用的介質(zhì)材料是BTC（Barium Titanite Ceramic）。這種材料有高的介電常數(shù)，能允許小體積的電容器有大的電容值。設(shè)計(jì)和制造工藝的差別，使其自諧振頻率范圍為1～20 MHz。工作頻率超過(guò)自諧振頻率后，由于介質(zhì)的損耗因素變成主要因素，使得BTC的性能下降，最高使用頻率為50 MHz。

另一種廣泛使用的電介質(zhì)材料是NPO（鍶硝石），由于它的介電常數(shù)非常小，因此具有更好的高頻特性和溫度穩(wěn)定性。與其他易受外界溫度和環(huán)境變化的電容相比較，NPO的電容值在很寬泛的溫度環(huán)境下基本保持不變。

VLSI及高速元件（如CMOS、EOL、BOT邏輯門器件）需要并聯(lián)去耦電容。元器件的轉(zhuǎn)換速率越陡峭，產(chǎn)生的射頻電流頻譜就越大。去耦電容的并聯(lián)放置一股用于過(guò)濾高頻RF能量并能對(duì)電源板噪聲產(chǎn)生旁路作用。多個(gè)成對(duì)電容圍繞VLSI四周放置在電源和接地引腳之間。在50 MHz系統(tǒng)下，最典型的高頻去耦電容是0，1 pF與0．001 pF并聯(lián)；在更高的時(shí)鐘頻率下則為0．01 pF與100 pF并聯(lián)。

在PCB上1英寸（1英寸＝2．54厘米）的方格上放置一個(gè)1 nF的電容（具有非常高的自激頻率），能對(duì)信號(hào)線和電源板產(chǎn)生的RF電流給予額外的保護(hù)，尤其是在高密度分層的PCB上。雖然這些額外的去耦電容的放置位置無(wú)法精確計(jì)算，但從PCB的模板分析中可見(jiàn)，它們?nèi)匀恍枰^續(xù) 提供去耦旁路。根據(jù)PCB的諧振結(jié)構(gòu)不同，方格上放置的電容值可以小到從30~40pF下等。

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