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[導(dǎo)讀]以下內(nèi)容主要是針對DDR2 667內(nèi)存的設(shè)計。信號分組:DDR2的布線中習(xí)慣把信號分成若干組來進(jìn)行設(shè)計,分成同組的信號具有相關(guān)或者相似的信號特性。時鐘組:差分時鐘信號,每一對信號都是同頻同相的。ckp0和ckn0為一對。

以下內(nèi)容主要是針對DDR2 667內(nèi)存的設(shè)計。

信號分組:

DDR2的布線中習(xí)慣把信號分成若干組來進(jìn)行設(shè)計,分成同組的信號具有相關(guān)或者相似的信號特性。

時鐘組:差分時鐘信號,每一對信號都是同頻同相的。ckp0和ckn0為一對。

數(shù)據(jù)組:對主板64位DDR2內(nèi)存來說數(shù)據(jù)每8位(也就是一個byte)為一組可以分為八組,數(shù)據(jù)dq[0:7]、數(shù)據(jù)掩碼dqm0、數(shù)據(jù)選通差分信號dqsp0和dqsn0為一組,以此類推。同個數(shù)據(jù)組的信號應(yīng)該在同一個信號層上走線,換層也應(yīng)該一起換,為了方便在同一個信號層走線可以將數(shù)據(jù)位互換。比如dq2信號在走線的時候發(fā)現(xiàn)如果按照原理圖來走線會跟dq4交錯,這樣就不得不換層走線,我們通過互換數(shù)據(jù)位就可以使信號走同層,對內(nèi)存來說每一位存進(jìn)什么內(nèi)容讀出也是什么內(nèi)容,互換不會受影響,但是互換的條件必須是在同一組內(nèi)8個bit之間。

地址/命令組:MA[0:14]、BA0、BA1、BA2、RAS、CAS、WE

控制組:時鐘使能CKE、片選CS、終端電阻選通ODT為一組,對內(nèi)存條來說DIMM0用到了CKE0、CKE1、CS0、CS1、ODT0、ODT1。做板載內(nèi)存設(shè)計的時候,可以只用CKE0、CS0、ODT0,控制4片16位的內(nèi)存芯片。

疊層:

對六層板來說一般的疊層都是top、GND、singnal2、singnal3、POWER、bottom,信號一般情況下以GND為參考平面比較好。走線的阻抗由走線寬度、走線的銅箔厚度、走線到參考平面的距離、參考平面的銅箔厚度和板介質(zhì)材料決定,設(shè)計的時候應(yīng)該遵守CPU廠家阻抗設(shè)計要求來設(shè)置疊層。一般設(shè)計軟件也能計算阻抗,找生產(chǎn)廠家了解了板材介質(zhì)厚度的資料后可以自行設(shè)計疊層、線寬。地址/命令信號、控制信號可以以1.8V內(nèi)存工作電壓為參考平面。

長度控制:

對DDR2這種高頻的信號來說走線長度應(yīng)該計算到CPU核心,這就引入了一個叫封裝長度的概念。硅晶元經(jīng)過物理化學(xué)的方法刻蝕而成CPU核心,再將CPU核心封裝到一塊小的基板上就成了我們常見的CPU。那塊小的上管腳到CPU核心的走線長度被稱為封裝長度。

到同一行列(rank)內(nèi)存的時鐘長度應(yīng)該控制在正負(fù)5mil以內(nèi)。

同一個數(shù)據(jù)組內(nèi)所有走線長度控制在數(shù)據(jù)選通信號DQS的正負(fù)20mil范圍內(nèi)為宜,不同數(shù)據(jù)組之間長度可以不同,但是應(yīng)該控制在時鐘信號的正負(fù)500mil以內(nèi)。

地址/命令組信號長度控制不是特別嚴(yán)格,INTEL凌動N450要求控制在時鐘信號負(fù)500mil到正1000mil以內(nèi)。也就是說最長和最短的信號可以相差1500mil,但是布線的時候還是盡量把信號長度差縮小比較好。布線的時候這組信號長度完全相等也沒有問題,但是這樣占用的空間也大,花費(fèi)的時間也多。如果地址/命令信號長度超出時鐘信號幾千mil,那就需要在BIOS固件中好好調(diào)節(jié)了。控制在CPU要求的范圍內(nèi),需要做板載內(nèi)存的時候只需要配置好內(nèi)存SPD就可以了。

控制組信號長度控制要求和地址/命令組信號的要求類似,設(shè)計的時候應(yīng)該按照CPU廠家的要求來做,INTEL凌動N450要求控制在時鐘信號0mil到正1000mil以內(nèi)。

走線間距:

一般來說走線都應(yīng)該按照3W原則來走線,也就是同一個平面上線與線的間距為3倍線的寬度。但是這個不是必須的,intel要求的就比較小。一般走線蜿蜒線的間距可以為16到20mil,對時鐘信號可以加大到30mil。不同組信號之間的距離應(yīng)該適當(dāng)拉大,可以為20mil以上,地址/命令組和控制組信號的間距可以比較小8mil以下都可以。BGA扇出的地方間距可以小,出線后應(yīng)該以CPU設(shè)計要求來走線。

其它:

VREF走線可以用一根20mil的線,每接到一個器件應(yīng)該加一個0.1uf的電容。

VTT走線應(yīng)該在135mil以上,每四個電阻接一個0.1uf電容,兩端接10uf大電容。

點(diǎn)對多點(diǎn)的信號,如地址/命令信號、控制信號、時鐘信號應(yīng)該按照“T”形走線,也就是芯片中間走上再分支,長度應(yīng)該滿足CPU設(shè)計要求。附拓?fù)鋱D:

 

 

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