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[導(dǎo)讀]JTAG,UART測(cè)試點(diǎn)務(wù)必預(yù)留;32K晶體時(shí)相關(guān)走線盡量左右上下包地,不可以要其它trace穿過(guò)32K相關(guān)trace;震蕩晶體務(wù)必放置BB旁邊, 越近越好;Vbat電源線務(wù)必星形走線,建議分2組A:40mils供給BB的LDO(V DIGITAL ,ANALOG

JTAG,UART測(cè)試點(diǎn)務(wù)必預(yù)留;32K晶體時(shí)相關(guān)走線盡量左右上下包地,不可以要其它trace穿過(guò)32K相關(guān)trace;震蕩晶體務(wù)必放置BB旁邊, 越近越好;Vbat電源線務(wù)必星形走線,建議分2組A:40mils供給BB的LDO(V DIGITAL ,ANALOG ),80mil 給到RF PA;VBAT_SPK 寬度盡量寬,距離短。至少25mils;SPK Amp 的走線內(nèi)層包地,寬度盡量寬 , 距離短;LCM電源Bypass 電容請(qǐng)靠近LCM,并確保電源先經(jīng)過(guò)Bypass電容再接到LCM;非Camera走線請(qǐng)勿走在Camera 相關(guān)pad的L2層面下, 降低noise-couple的影響;盡可能保持connector旁的GND完整性, 減少表層走線距離;充電線路不要和其它走線平行;Vbat,PWRKEY,SYSRST等務(wù)必遠(yuǎn)離板邊。Vbat各路寬度遵守design note 要求;VREF CAP 請(qǐng)盡量靠近IC 并給一個(gè)乾凈的地;LDO的濾波電容盡量靠近IC Pin并接地良好,(靠近BB input) ;FM GND直接打孔到主地; FM天線trace不能和按鍵訊號(hào)有平行;遠(yuǎn)離Vbat/DC-DC等電源,CLK和高速數(shù)字訊號(hào)線(LCM/Camra/USB/Memory/PWM等) ;晶體第一二層的地要keep out,參考第三層的主地;晶體的接地引腳直接打孔到主地,不要接到其他地網(wǎng)絡(luò),防止引入干擾;所有RF都要做到50歐姆阻抗匹配;開(kāi)關(guān)的控制邏輯等敏感線路要遠(yuǎn)離PA的ANT走線;避免CPU下面的地被分割,尤其是第二層的地;VRF的bypass電容都要靠近CPU的引腳處擺放;Camera, LCM和SD卡的時(shí)鐘和信號(hào)線要用地保護(hù)好,避免和電源等其他線路平行走線,防止出現(xiàn)干擾;VBAT應(yīng)該星型走線,PA供電的22uF bypass電容盡可能的靠近PA擺放;memory應(yīng)該放在遠(yuǎn)離天線的地方擺放,并且一定加屏蔽罩;天線PAD應(yīng)盡量放在PCB的四角,PAD周?chē)?mm內(nèi)不能放元件,5mm內(nèi)不能放喇叭、電池、麥克風(fēng)等金屬件(到PAD中心距離);天線PAD下方所有層都不能鋪銅及走線,以免造成信號(hào)損失;但如果天線PAD離LCM Connector太近則僅在LCM Connector所在層鋪銅;ANT到RF匹配之間的走線應(yīng)盡量短(減少信號(hào)損失,避免引入干擾),阻抗應(yīng)控制在 50ohm, 如果50ohm走線線太細(xì),可以挖掉layer 2直接參考layer3;所有電源pin的bypass cap 靠近pin腳擺放,且都要有獨(dú)立的GND via打到主地。

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