如圖1所示，當單面雙接觸的FPC電極長度大于3.0mm，寬度小于0.3mm時，在制程當中（蝕刻、去膜、表面清洗、貼保護膜）容易造成電極變形、扭曲、斷裂，嚴重影響了產品的良率。如以前我司接過這樣一個定單，按正常的工藝流程制作，良率很低，只有50%左右，連貨都沒有辦法交付。后經過的工藝改進，良率提升到了85~93%之間。下面我就介紹如何進行工藝改良：

1、工藝改進出發(fā)點：

如圖1所示，我們假設B部分是在制程中（蝕刻后至上保護膜壓合）需要鏤空的部分。當這部分鏤空后，沒有加強部分來支撐鏤空的電極，在外力（如水平機的噴淋壓力、收放、運輸）的作用下容易造成電極扭曲、變形、斷裂。所以工藝改善的關鍵點就是給脆弱的電極一個支撐物。

2、支撐物的選用：

由于支撐物從蝕刻前到上保護膜都的用，特別是還要進行熱壓。所以，我們必須選用能夠耐高溫的物質。在此可以選用高溫膠帶（如KAPTON膠帶KA00），該膠帶要求膠不會轉移，能夠耐熱壓（快壓機）的高溫。

3、工藝說明：

3.1 線路用濕膜來做，先絲印B面，烘烤后再絲印A面，再烘烤。然后進行曝光、顯影，該步的注意點就是B面不用曝光，若曝光會造成后續(xù)去膜困難；

3.2 顯影后對B面進行貼膠帶（貼在濕膜的表面），如圖2。在此要注意，高溫膠帶要貼平整，有補強對位標記時，膠帶盡量不要超過標記線，因為在壓合后在高溫膠帶位置會有一點痕跡，如有補強的話，則正好可以蓋住壓痕；

3.3 蝕刻、顯影、表面清洗按正常步驟進行；

3.4 上保護膜壓合（用快壓機進行壓合）。此時一定要對壓合參數(shù)進行一個最優(yōu)化，優(yōu)化原則就是用最少時間、最小壓力及較低溫度壓合。因為高溫、長時間、大壓力容易造成高溫膠的轉移以及高溫膠蓋住的濕膜去膜困難。

3.5 撕掉高溫膠帶，去膜（小心操作）、磨板去除電極處的灰化銅；

3.6 烘烤，進行上保護膜固化；

3.7 后面工序照舊。

4、后話

該方法是一個土辦法，工序也稍微麻煩了一些，而且還要額外高溫膠帶輔助材料。但我覺得還是很適用電極長度大于3.0mm，寬度小于0.3mm的單面雙接觸的FPC的制造，對良率的提升是肯定的。

有興趣可以試試，利弊自己衡量。