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[導(dǎo)讀]隨著電子組件功能提升,各種電子產(chǎn)品不斷朝向高速化方向發(fā)展,然而高性能化、多功能化、可攜帶化的結(jié)果,各式各樣的EMC(Electro Magnetic Compatibility)問題,卻成為設(shè)計(jì)者揮之不去的夢魘。 目前EMI(Electro Magne

隨著電子組件功能提升,各種電子產(chǎn)品不斷朝向高速化方向發(fā)展,然而高性能化、多功能化、可攜帶化的結(jié)果,各式各樣的EMC(Electro Magnetic Compatibility)問題,卻成為設(shè)計(jì)者揮之不去的夢魘。

目前EMI(Electro Magnetic Interference)噪訊對策,大多仰賴設(shè)計(jì)者長年累積的經(jīng)驗(yàn),或是利用仿真分析軟件針對框體結(jié)構(gòu)、電子組件,配合國內(nèi)外要求條件與規(guī)范進(jìn)行分析,換句話說電子產(chǎn)品到了最后評鑒測試階段,才發(fā)現(xiàn)、對策EMI問題,事后反復(fù)的檢討、再試作與對策組件的追加,經(jīng)常變成設(shè)計(jì)開發(fā)時(shí)程漫無節(jié)制延長,測試費(fèi)用膨脹的主要原因。

EMI主要發(fā)生源之一亦即印刷電路板(Printed Circuit Board,以下簡稱為PCB)的設(shè)計(jì),自古以來一直受到設(shè)計(jì)者高度重視,尤其是PCB Layout階段,若能夠?qū)MI問題列入考慮,通常都可以有效事先抑制噪訊的發(fā)生,有鑒于此本文要探討如何在PCB的Layout階段,充分應(yīng)用改善技巧抑制EMI噪訊的強(qiáng)度。

測試條件

如圖1所示測試場地為室內(nèi)3m半電波暗室,預(yù)定測試頻率范圍為30MHz~1000MHz的電界強(qiáng)度,依此讀取峰值點(diǎn)(Peak Point)當(dāng)作測試數(shù)據(jù)(圖2)。

測試環(huán)境

圖3是被測基板A的外觀,該基板為影像處理系統(tǒng)用電路主機(jī)板,動(dòng)作頻率為27MHz與54MHz,電路基板內(nèi)建CPU、Sub CPU、FRASH,以及SDRAM×5、影像數(shù)據(jù)/數(shù)字轉(zhuǎn)換處理單元、影像輸出入單元,此外被測基板符合「VCCI規(guī)范等級B」的要求,測試上使用相同的電源基板(Board)與變壓器(Adapter)。

被測板外觀

 
首先針對被測基板A進(jìn)行下列電路設(shè)計(jì)變更作業(yè):

‧CPU的頻率線(Clock Line)追加設(shè)置EMI噪訊對策用濾波器(Filter),與頻率產(chǎn)生器(Clock Generator)( 圖4)。

‧影像輸出入單元追加設(shè)置Common mode Choke Coil(DLWxxx系列)(圖5)

‧各IC電源輸入線的Bypass Condenser與電源之間,追加設(shè)置Ferrite Beads(圖6)。

‧追加設(shè)置Bypass Condenser,使各IC的所有電源腳架,全部從基板電源層(Plane)通過Bypass Condenser提供電源(圖7)。

測試方法1
測試方法2


各種EMI噪訊對策

a.EMI噪訊對策用電容

接著進(jìn)行EMI測試獲得圖8的測試結(jié)果,根據(jù)測試結(jié)果再進(jìn)行噪訊抑制設(shè)計(jì)作業(yè),在此同時(shí)將設(shè)計(jì)變更的被測基板A的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)讀入EMI噪訊抑制支持工具,并針對支持工具指出的主要部位,例如頻率線、Bus導(dǎo)線Via周圍,分散設(shè)置EMI噪訊對策用電容(圖9),主要原因是信號(hào)導(dǎo)線的return路徑如果太長或是非連續(xù)狀態(tài)時(shí),EMI噪訊有增大之虞,為了縮短Return路徑,因此設(shè)置連接電源與接地的電容。

測試結(jié)果1
分散EMI


圖10~圖13是改變上述電容容量時(shí)的EMI噪訊測試結(jié)果,根據(jù)測試結(jié)果顯示,依照圖14的頻率范圍設(shè)置的大容量EMI噪訊對策用電容DuF,可以抑制低頻噪訊Level。雖然設(shè)置電容增加PCB的容量負(fù)載,不過為了要抑制噪訊,設(shè)置在各部位的電容頻率特性,卻可以發(fā)揮預(yù)期的EMI噪訊抑制效果。

電容測試
電容特性


實(shí)際應(yīng)用時(shí)只要在頻率導(dǎo)線、Bus導(dǎo)線等高頻導(dǎo)線 圖案(Pattern)附近、形成CPU、Return路徑的內(nèi)層面(Plane)的分?jǐn)喔浇?、形成噪訊出入口的基板?cè)面附近分散設(shè)置EMI噪訊對策用電容,就可以消除該部位周邊的噪訊。

對各式各樣基板外形、組件封裝、導(dǎo)線的PCB而言,只要以一定間隔設(shè)置EMI噪訊對策用電容,同樣可以獲得分散性的噪訊抑制效果。
 
b.改變基板的層結(jié)構(gòu)

接著針對被測基板A進(jìn)行層結(jié)構(gòu)改善,制作圖15所示6層Built up被測基板B,它是利用「Pad on Via」與「雷射Via」加工技術(shù),將上述被測基板A的外層信號(hào)線導(dǎo)線變成內(nèi)層,使Return電流可能流入接地Plane,外層當(dāng)作接地Plane包覆所有信號(hào)層。

改變被測基板結(jié)構(gòu)主要理由是一般4層基板的Return路徑,通常都設(shè)有可以通行電源Plane或是最短距離接地,因此在貫穿部位經(jīng)常造成Return路徑迂回問題,如果信號(hào)導(dǎo)線包覆接地Plan e,如此一來大部份的Return路徑會(huì)流入接地 Plane,進(jìn)而解決Return路徑迂回的困擾,被測基板B就是根據(jù)上述構(gòu)想制成 ,因此Return路徑在PCB整體減少30%,同時(shí)縮減信號(hào)圖案與Return路徑構(gòu)成的電流Loop距離,進(jìn)而達(dá)成EMI噪訊抑制的目的。圖16是被測基板B的各層結(jié)構(gòu)圖。

被測板外觀及結(jié)構(gòu)

 
圖16是被測基板B的EMI噪訊測試結(jié)果,根據(jù)測試結(jié)果顯示包含利用外層接地Plane的遮蔽(Field)結(jié)構(gòu),與回避Return路徑迂回的設(shè)計(jì)確實(shí)具有抑制EMI噪訊的效果,不過實(shí)際上各式各樣的電路基板要作如此的層結(jié)構(gòu)變更,勢必面臨制作成本暴增的困擾,尤其是所有信號(hào)導(dǎo)線都將Return路徑列入設(shè)計(jì)考慮的話,幾乎無法作業(yè),因此Layout階段盡量避免高頻信號(hào)導(dǎo)線透過Via作布線,同時(shí)必需在該信號(hào)導(dǎo)線鄰近的層設(shè)置接地Plane,藉此防止Return路徑迂回或是分?jǐn)?,接地Plane之間以復(fù)數(shù)Via連接,Return路徑利用復(fù)數(shù)Via作理想性的歸返。

EMI結(jié)果

 
c.設(shè)置多點(diǎn)Grand接地

Return電流流動(dòng)時(shí)PCB內(nèi)的接地Plane會(huì)產(chǎn)生電位差,該電位差往往是EMI噪訊的發(fā)生原因之一,而且可能會(huì)通過PCB形成所謂的二次噪訊,因此將接地Plane與金屬板作多點(diǎn)連接(圖18、圖19),使PCB的側(cè)面與中心位置得電位差均勻化,同時(shí)降低接地Plane本身的阻抗(Impedance)并抑制電壓下降。

圖20是多點(diǎn)接地后的EMI測試結(jié)果,由圖可知低頻領(lǐng)域EMI噪訊強(qiáng)度略為上升,不過200MHz以上時(shí)EMI噪訊受到抑制,這意味著多點(diǎn)接地的有效性獲得證實(shí)。

多點(diǎn)接地測試結(jié)果


d.鋪設(shè)Shield

圖21是在基板側(cè)面鋪設(shè)Shield的實(shí)際外觀,具體方法是在基板側(cè)面粘貼導(dǎo)電膠帶,試圖藉此抑制基板內(nèi)層信號(hào)線、Via與電源Plane的噪訊,接著再與外層接地Plane連接,測試基板側(cè)面的EMI噪訊遮蔽效果,圖22是基板側(cè)面鋪設(shè)Shield的EMI測試結(jié)果,根據(jù)測試結(jié)果顯示200MHz以下時(shí)EMI噪訊強(qiáng)度有下降趨勢,甚至符合規(guī)范的Level,證實(shí)基板側(cè)面鋪設(shè)Shield確實(shí)可以抑制EMI噪訊。

實(shí)際制作PCB時(shí)在基板側(cè)面鋪設(shè)Shield,同樣會(huì)面臨成本上升的質(zhì)疑,類似圖23在基板側(cè)面附近設(shè)置接地Plane與連續(xù)性貫穿Via的新結(jié)構(gòu),除了可是解決成本問題之外,還可以有效抑制基板側(cè)面的EMI噪訊強(qiáng)度;圖24是結(jié)合以上各種EMI噪訊對策的PCB測試結(jié)果。

基板測試結(jié)果
新結(jié)構(gòu)
EMI強(qiáng)度變化結(jié)語

綜合以上介紹的EMI噪訊對策,分別如下所示:

‧設(shè)置EMI噪訊對策用電容

‧回避Return路徑迂回的基板層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

‧設(shè)置多點(diǎn)Grand接地

‧基板側(cè)面包覆Shield

實(shí)際上PCB得EMI噪訊對策會(huì)隨著組件封裝、導(dǎo)線、基板外形、層結(jié)構(gòu),與筐體限制出現(xiàn)極大差異,因此本文主要是探討如何在PCB Layout階段,充分應(yīng)用EMI噪訊對策手法,根據(jù)一連串的對策中找出最符合制作成本,同時(shí)又可以滿足規(guī)范要求的方法。



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